电爆炸丝和脉冲变压器驱动低阻抗负载研究

对脉冲放电电路中金属丝发生电爆炸后产生的高压脉冲驱动脉冲变压器在低阻抗负载(19Ω)上产生的电脉冲进行了研究,利用Ansoft Simplorer7软件建立了模块化集中参数电路模型,得到了与实验吻合的计算结果。初步研究表明,电爆炸丝驱动脉冲变压器在低阻抗负载上不能产生超高压脉冲,但可显著展宽负载得到的电压脉宽,在需要长脉宽应用场合有潜在的应用前景。

能驱动2Ω负载的UHC MOS-FET功率放大器

本文介绍的音频功率放大器只使用一对UHC MOS-FET构成SEPP输出级,就可实现2Ω/110W的大功率输出。UHC MOS-FET漏极电流在100A以内时,栅源间电压VGS与漏极电流ID可始终保持线性关系。电源部分采用常用的R型铁芯变压器,不使用稳压电路。

脉冲形成网络的设计与实验研究

采用陶瓷无感电容器作为储能介质,设计了一种低阻抗高储能密度的中等高压脉冲形成网络。该脉冲形成网络采用无感陶瓷电容器作为储能介质,每一个电容器的容值为1.7 nF。电容器采用相对介电常数较高的钛酸钡作为材料,单个电容器的直径为6 cm、高度为4 cm,该电容器在变压器油中的工作电压可以达到50 kV。实验结果表明,设计的单线型中等高压脉冲形成网络可在1Ω的匹配负载上获得半高宽220 ns,前沿为40 ns的高压脉冲,能很好满足脉冲功率系统小型化的应用要求。实验研究还表明,设计的低阻抗Blum-lein型脉冲形成网络,在工作电压为44 kV时可在2.5Ω的低阻抗负载上获得脉宽230 ns,前沿约为50 ns的脉冲。