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PTCDA/P-Si光电探测器欧姆接触层的XPS测试分析
被引量:
1
1
作者
张旭
张杰
+2 位作者
闫兆文
周星宇
张福甲
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2014年第12期1459-1463,共5页
在光电探测器PTCDA/P-Si芯片的有机层表面,成功制作出了比接触电阻为4.5×10-5Ω·cm2的低阻欧姆接触层。利用X射线光电子能谱(XPS)对Al/Ni/ITO的欧姆接触层界面的电子状态进行了测试和分析。结果表明,ITO中的In3d及Sn3d各出现...
在光电探测器PTCDA/P-Si芯片的有机层表面,成功制作出了比接触电阻为4.5×10-5Ω·cm2的低阻欧姆接触层。利用X射线光电子能谱(XPS)对Al/Ni/ITO的欧姆接触层界面的电子状态进行了测试和分析。结果表明,ITO中的In3d及Sn3d各出现两个分裂能级的谱峰,它们是In和Sn原子处于氧化环境的结合能。Ni2p有两个谱峰Ni2p(1)及Ni2p(2),低结合能位置Ni2p(1)对应于Ni原子被X射线激发产生的谱峰,说明NiITO之间没有发生化学反应,Ni层阻止了Al层被氧化成Al2O3;高结合能Ni2p(2)谱峰说明已形成了Al3Ni冶金相,有利于低阻欧姆接触层的形成。
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关键词
有机光电探测器
低阻欧姆接触层
反应机理
X射线光电子能谱
下载PDF
职称材料
题名
PTCDA/P-Si光电探测器欧姆接触层的XPS测试分析
被引量:
1
1
作者
张旭
张杰
闫兆文
周星宇
张福甲
机构
兰州文理学院电子信息工程学院
兰州大学物理科学与技术学院
兰州大学应用有机国家重点实验室
出处
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2014年第12期1459-1463,共5页
基金
甘肃省教育厅科研项目(2013A-133)
甘肃省自然科学基金(145RJZA071)资助项目
文摘
在光电探测器PTCDA/P-Si芯片的有机层表面,成功制作出了比接触电阻为4.5×10-5Ω·cm2的低阻欧姆接触层。利用X射线光电子能谱(XPS)对Al/Ni/ITO的欧姆接触层界面的电子状态进行了测试和分析。结果表明,ITO中的In3d及Sn3d各出现两个分裂能级的谱峰,它们是In和Sn原子处于氧化环境的结合能。Ni2p有两个谱峰Ni2p(1)及Ni2p(2),低结合能位置Ni2p(1)对应于Ni原子被X射线激发产生的谱峰,说明NiITO之间没有发生化学反应,Ni层阻止了Al层被氧化成Al2O3;高结合能Ni2p(2)谱峰说明已形成了Al3Ni冶金相,有利于低阻欧姆接触层的形成。
关键词
有机光电探测器
低阻欧姆接触层
反应机理
X射线光电子能谱
Keywords
organic photodetector
low-resistance Ohmic contact layer
reaction mechanism
X-ray photoelectron spectroscopy
分类号
TN36 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
PTCDA/P-Si光电探测器欧姆接触层的XPS测试分析
张旭
张杰
闫兆文
周星宇
张福甲
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2014
1
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职称材料
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