低噪声超宽频带PIN-FET组合电路

研究了用于光接收机的低噪声超宽频带PIN-FET组合电路的CAD.

可用于802.11a/b/g的多频带低噪声放大器设计

本文将介绍一个利用0.35微米SiGe BiCMOS制造工艺所设计出来的多频带低噪声放大器。这个多频带低噪声放大器可操作的频段包括2.4、4.9、5.2及5.7GHz,主要可应用在无线局域网络射频芯片。最后测量出来的结果显示,当第一级晶体管的集极电流偏压在3.8mA时,从2.4GHz到2.5GHz,S11皆小于-27.6dB,而当第一级晶体管的集极电流偏压在比较小的3mA时,从5.1GHz到5.4GHz皆小于-27dB。从5.1GHz到5.4GHz S11则小于-34dB,且从5.7到5.9GHz都小于-21dB。从实验结果我们可清楚地看出,这个低噪声放大器靠着电流大小的改变,就可以让共振频率从某一个频率跳到另一个频率,达到多频带操作的功能。

噪声环境下语音增强的算法分析与研究

文章首先在谱减法的基础上提出了一种改进的加权幅度谱估计多带谱减法,改进的算法能够更好地抑制"音乐噪声",减少了语音谱的波动并提高了语音质量;其次从噪声类型、信噪比大小等方面分析比较改进的加权幅度谱估计多带谱减法(Mband)、最小均方误差对数幅度谱估计(MMSELSA)、维纳滤波法(Wiener)和最小值控制的递归平均算法(MCRA)4种语音增强效果。实验结果表明:在处理类语音噪声且在低信噪比环境下,有效性由高到低依次为:Mband、MMSE-LSA、Wiener、MCRA;在高信噪比条件下,MMSE-LSA增强效果较好。在处理低频带噪声时,有效性由高到低依次为:MMSE-LSA、Wiener、Mband、MCRA。MCRA对噪声的能量大小非常敏感,因此在处理非平稳噪声时增强效果相对较差。