肠易激综合征静息态脑功能MRI低频涨落振幅改变的研究

目的探讨运用静息态f MRI技术研究IBS患者脑内相关功能兴奋区和正常志愿者之间低频涨落振幅(ALFF)值的差异。方法纳入符合2006年罗马Ⅲ标准的腹泻型肠易激综合征(IBS-D)患者31例,同时纳入在性别、年龄、受教育程度、利手与患者相匹配的非IBS健康志愿者20例。所有受试者给予Siemens 3.0T超导磁共振静息态成像,解剖图像用三维快速扰相梯度翻转恢复(3D-FSPGR)序列采集,f MRI扫描序列采用T2-平面回波成像一梯度回波(EPIGRE)序列。扫描完成后运用"DPARSF"软件对数据进行预处理,采用低频涨落振幅(amplitude of low frequency fluctuation,ALFF)作为评价指标,比较IBS组和健康对照组之间静息态下ALFF值的差异。结果与健康对照组相比,IBS组静息状态表现出ALFF增强的脑区有双侧丘脑、右侧海马、左侧海马旁回、双侧顶下回、右侧小脑前叶、小脑蚓部、双侧枕下回、左枕中回;ALFF值减弱的脑区有双侧额叶、左前扣带回、右侧岛叶(双样本t检验,P<0.001,校正后)。结论静息状态下,IBS患者与健康对照组ALFF值存在差异,而且ALFF值降低的脑区与脑内默认网络区域关系密切,这可能有助于IBS的中枢发病机制的研究。

刮削层内低杂波波散射全波解数值模拟研究

低杂波电流驱动(Lower Hybrid Current Drive,LHCD)是托卡马克的主要辅助加热与电流驱动方式之一,研究表明,低杂波在刮削层内的边界寄生效应会显著降低低杂波电流驱动效率。其中,边界密度涨落引起的波散射会导致刮削层内的低杂波波谱变化,从而改变低杂波功率沉积位置和电流驱动效率。本文使用全波解方法研究全超导托卡马克(Experimental Advanced Superconducting Tokamak,EAST)装置上刮削层内密度涨落导致的低杂波波散射,重点分析不同特征的低频电子密度涨落对波散射的影响。模拟结果表明:密度波包(blob)引起的散射导致低杂波功率流的空间结构的改变,blob造成的背向散射比前向散射更明显;blob内的密度涨落大小主要影响波场扰动幅度,blob的半径主要影响波散射的空间范围,多个blob造成的全场扰动显著增加。

超大规模集成电路金属互连线的电迁移过程指示参量研究

通过实验研究分阶段全面描述金属互连电迁移过程的参量集合 ,发现了电阻和金属薄膜电阻的低频涨落在金属互连电迁移演化过程中的变化规律 .实验结果表明 ,将电阻与金属薄膜电阻的低频涨落点功率谱幅值及频率指数 3个指示参数相结合 ,可以明确指示和区分电迁移过程中材料的空位扩散、空洞成核和空洞长大 3个微观结构变化的阶段 .上述 3个参量作为一个集合才能够全面表征金属薄膜电迁移退化的过程 ,在此基础上可望发展新的超大规模集成电路 (VLSI)