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钙钛矿结构锰氧化物薄膜材料的低频1/f噪声研究
被引量:
3
1
作者
吴晟
贾文娟
+3 位作者
许丽萍
邓云
梁津津
兰卉
《磁性材料及器件》
CAS
CSCD
2019年第3期12-16,共5页
针对A位掺杂钙钛矿结构锰氧化物(A_(1-x)BxMnO_3)薄膜材料的微弱低频1/f噪声信号检测,采用基于双通道信号互相关运算的测试方法,有效消除了接触噪声对本底噪声的影响。通过对薄膜样品La_(0.7)Sr_(0.3)MnO_3的低频1/f噪声和电阻率测量,...
针对A位掺杂钙钛矿结构锰氧化物(A_(1-x)BxMnO_3)薄膜材料的微弱低频1/f噪声信号检测,采用基于双通道信号互相关运算的测试方法,有效消除了接触噪声对本底噪声的影响。通过对薄膜样品La_(0.7)Sr_(0.3)MnO_3的低频1/f噪声和电阻率测量,揭示了由不同衬底材料、不同厚度所引起的薄膜晶格内部应力变化对载流子输运机制的影响。结果表明,薄膜样品的1/f噪声水平和导电特性与材料厚度变化密切相关,La_(0.7)Sr_(0.3)MnO_3/SrTiO_3样品在临界厚度下表现出较低的1/f噪声;而La_(0.7)Sr_(0.3)MnO_3/SrTiO_3/Si样品随着厚度增大,其1/f噪声不断优化。上述结论对基于磁性材料的新型传感器的研制具有重要的参考意义。
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关键词
钙钛矿结构锰氧化物
薄膜材料
晶格结构
低频1/f噪声
热
噪声
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职称材料
基于电路级的低频噪声测试及评估
2
作者
李琛
王浩
+2 位作者
秦仁刚
李鹏
常祥岭
《中国集成电路》
2021年第10期71-78,共8页
随着5G物联网的蓬勃发展,基于MEMS传感器等应用的模拟前端电路对噪声要求水平越来越高,其中对于低频应用,低频闪烁(1/f)噪声往往成为系统性能瓶颈。而对于uV甚至nV级别的噪声信号,如何准确地进行测试评估,也需要投入大量的资源进行研究...
随着5G物联网的蓬勃发展,基于MEMS传感器等应用的模拟前端电路对噪声要求水平越来越高,其中对于低频应用,低频闪烁(1/f)噪声往往成为系统性能瓶颈。而对于uV甚至nV级别的噪声信号,如何准确地进行测试评估,也需要投入大量的资源进行研究分析。本文基于华润上华流片的两款IP以及TI的两款电源芯片,采用不同的平台进行噪声测试对比分析,最终取得了可靠的低频噪声测试解决方案。
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关键词
MEMS微机电系统
低频
闪烁(
1/
f
)
噪声
热
噪声
温度传感器
带隙基准
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职称材料
AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管器件电离辐照损伤机理及偏置相关性研究
被引量:
4
3
作者
董世剑
郭红霞
+8 位作者
马武英
吕玲
潘霄宇
雷志锋
岳少忠
郝蕊静
琚安安
钟向丽
欧阳晓平
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2020年第7期288-296,共9页
本文利用 60Co γ射线,针对 AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(high-electron mobility transistors,HEMT)器件,开展了在不同偏置下器件电离辐照总剂量效应实验研究.采用1/f噪声结合直流电学特性参数对实验结果进行测量分析,分析结果表明,...
本文利用 60Co γ射线,针对 AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(high-electron mobility transistors,HEMT)器件,开展了在不同偏置下器件电离辐照总剂量效应实验研究.采用1/f噪声结合直流电学特性参数对实验结果进行测量分析,分析结果表明,受到辐照诱生氧化物缺陷电荷与界面态的影响,当辐照总剂量达到1 Mrad(Si)时,零偏条件下AlGaN/GaN HEMT器件的电学参数退化得最大,其中,饱和漏电流减小36.28%,最高跨导降低52.94%;基于McWhorter模型提取了AlGaN/GaN HEMT器件辐照前后的缺陷密度,零偏条件下辐照前后缺陷密度变化最大,分别为4.080 × 1017和6.621 × 1017 cm–3·eV–1.其损伤机理是在氧化物层内诱生缺陷电荷和界面态,使AlGaN/GaN HEMT器件的平带电压噪声功率谱密度增加.
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关键词
ALGAN/GAN
高电子迁移率晶体管
总剂量
1/
f
低频
噪声
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职称材料
题名
钙钛矿结构锰氧化物薄膜材料的低频1/f噪声研究
被引量:
3
1
作者
吴晟
贾文娟
许丽萍
邓云
梁津津
兰卉
机构
天津大学材料科学与工程学院
国家海洋技术中心
出处
《磁性材料及器件》
CAS
CSCD
2019年第3期12-16,共5页
基金
国家重点研发计划基金资助项目(2016YFC1400302
2016YFC1400502)
国家海洋技术中心创新基金资助项目(K11600473)
文摘
针对A位掺杂钙钛矿结构锰氧化物(A_(1-x)BxMnO_3)薄膜材料的微弱低频1/f噪声信号检测,采用基于双通道信号互相关运算的测试方法,有效消除了接触噪声对本底噪声的影响。通过对薄膜样品La_(0.7)Sr_(0.3)MnO_3的低频1/f噪声和电阻率测量,揭示了由不同衬底材料、不同厚度所引起的薄膜晶格内部应力变化对载流子输运机制的影响。结果表明,薄膜样品的1/f噪声水平和导电特性与材料厚度变化密切相关,La_(0.7)Sr_(0.3)MnO_3/SrTiO_3样品在临界厚度下表现出较低的1/f噪声;而La_(0.7)Sr_(0.3)MnO_3/SrTiO_3/Si样品随着厚度增大,其1/f噪声不断优化。上述结论对基于磁性材料的新型传感器的研制具有重要的参考意义。
关键词
钙钛矿结构锰氧化物
薄膜材料
晶格结构
低频1/f噪声
热
噪声
Keywords
perovskite structure manganese oxide
thin
f
ilm material
lattice structure
low
f
requency
1/
f
noise
thermal noise
分类号
O484.43 [理学—固体物理]
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职称材料
题名
基于电路级的低频噪声测试及评估
2
作者
李琛
王浩
秦仁刚
李鹏
常祥岭
机构
无锡华润上华科技有限公司上海分公司
上海贝岭股份有限公司技术中心
出处
《中国集成电路》
2021年第10期71-78,共8页
文摘
随着5G物联网的蓬勃发展,基于MEMS传感器等应用的模拟前端电路对噪声要求水平越来越高,其中对于低频应用,低频闪烁(1/f)噪声往往成为系统性能瓶颈。而对于uV甚至nV级别的噪声信号,如何准确地进行测试评估,也需要投入大量的资源进行研究分析。本文基于华润上华流片的两款IP以及TI的两款电源芯片,采用不同的平台进行噪声测试对比分析,最终取得了可靠的低频噪声测试解决方案。
关键词
MEMS微机电系统
低频
闪烁(
1/
f
)
噪声
热
噪声
温度传感器
带隙基准
Keywords
MEMS
low
f
requency
f
lick(
1/
f
)noise
thermal noise
Temp sensor(TS)
BGR
分类号
TB53 [理学—声学]
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职称材料
题名
AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管器件电离辐照损伤机理及偏置相关性研究
被引量:
4
3
作者
董世剑
郭红霞
马武英
吕玲
潘霄宇
雷志锋
岳少忠
郝蕊静
琚安安
钟向丽
欧阳晓平
机构
湘潭大学材料科学与工程学院
工业和信息化部电子第五研究所
西北核技术研究所
西安电子科技大学微电子学院
出处
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2020年第7期288-296,共9页
文摘
本文利用 60Co γ射线,针对 AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(high-electron mobility transistors,HEMT)器件,开展了在不同偏置下器件电离辐照总剂量效应实验研究.采用1/f噪声结合直流电学特性参数对实验结果进行测量分析,分析结果表明,受到辐照诱生氧化物缺陷电荷与界面态的影响,当辐照总剂量达到1 Mrad(Si)时,零偏条件下AlGaN/GaN HEMT器件的电学参数退化得最大,其中,饱和漏电流减小36.28%,最高跨导降低52.94%;基于McWhorter模型提取了AlGaN/GaN HEMT器件辐照前后的缺陷密度,零偏条件下辐照前后缺陷密度变化最大,分别为4.080 × 1017和6.621 × 1017 cm–3·eV–1.其损伤机理是在氧化物层内诱生缺陷电荷和界面态,使AlGaN/GaN HEMT器件的平带电压噪声功率谱密度增加.
关键词
ALGAN/GAN
高电子迁移率晶体管
总剂量
1/
f
低频
噪声
Keywords
AlGaN/GaN
high electron mobility transistors
total dose
1/
f
low
f
requency noise
分类号
TN386 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
钙钛矿结构锰氧化物薄膜材料的低频1/f噪声研究
吴晟
贾文娟
许丽萍
邓云
梁津津
兰卉
《磁性材料及器件》
CAS
CSCD
2019
3
下载PDF
职称材料
2
基于电路级的低频噪声测试及评估
李琛
王浩
秦仁刚
李鹏
常祥岭
《中国集成电路》
2021
0
下载PDF
职称材料
3
AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管器件电离辐照损伤机理及偏置相关性研究
董世剑
郭红霞
马武英
吕玲
潘霄宇
雷志锋
岳少忠
郝蕊静
琚安安
钟向丽
欧阳晓平
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2020
4
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职称材料
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