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低驱动电压k波段电容耦合式RF MEMS开关的设计 被引量:7
1
作者 刘佳 高杨 +1 位作者 白竹川 李仁锋 《传感器与微系统》 CSCD 北大核心 2008年第9期75-77,81,共4页
设计了一种低驱动电压的电容耦合式射频微机械(RF MEMS)开关。RF MEMS开关采用共面波导传输线,双电极驱动,悬空金属膜采用弹性折叠梁支撑。使用MEMS CAD软件CoventorWare、微波CAD软件HFSS,分别仿真了开关的力学性能和电磁性能,仿真结... 设计了一种低驱动电压的电容耦合式射频微机械(RF MEMS)开关。RF MEMS开关采用共面波导传输线,双电极驱动,悬空金属膜采用弹性折叠梁支撑。使用MEMS CAD软件CoventorWare、微波CAD软件HFSS,分别仿真了开关的力学性能和电磁性能,仿真结果表明:开关的驱动电压为2.5 V,满足低驱动电压的设计目标;开关开态的插入损耗约为0.23 dB@20 GHz,关态的隔离度约为18.1 dB@20 GHz。最后给出了这种RF MEMS开关的微制造工艺。 展开更多
关键词 射频开关 低驱动电压 仿真
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低驱动电压RF MEMS开关设计过程中的有限元分析 被引量:1
2
作者 伍文昌 胡宜芬 《新乡学院学报》 2015年第9期53-55,63,共4页
介绍了RF MEMS开关的工作原理和基本结构,给出采用Ansys有限元分析方法仿真RF MEMS开关的流程及方案。对一种新型的低驱动电压RF MEMS开关,使用Ansys有限元软件进行分析:静态分析求解开关的下拉电压,动态分析得到开关时间,并给出该开关... 介绍了RF MEMS开关的工作原理和基本结构,给出采用Ansys有限元分析方法仿真RF MEMS开关的流程及方案。对一种新型的低驱动电压RF MEMS开关,使用Ansys有限元软件进行分析:静态分析求解开关的下拉电压,动态分析得到开关时间,并给出该开关的应用实例。 展开更多
关键词 RF MEMS开关 ANSYS有限元 低驱动电压 开关时间
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适用于多种调制格式的低驱动电压LiNbO_3光调制器
3
作者 叶小华 陈莲 徐建峰 《半导体光电》 CAS CSCD 北大核心 2009年第5期653-655,659,共4页
提出并分析了一种适用于多种调制格式的低驱动电压LiNbO3光调制器,通过延长设计LiNbO3光调制器的波导结构,可显著降低其射频驱动电压及直流偏置电压。通过实验测试并分析了10Gb/s传输速率下的器件参数,包括光眼图,小信号S参数以及啁啾... 提出并分析了一种适用于多种调制格式的低驱动电压LiNbO3光调制器,通过延长设计LiNbO3光调制器的波导结构,可显著降低其射频驱动电压及直流偏置电压。通过实验测试并分析了10Gb/s传输速率下的器件参数,包括光眼图,小信号S参数以及啁啾参数等。实验证明,该调制器的驱动电压由原有的5.8V降低至2.8V,更适于各种新型的编码调制格式的应用场合。 展开更多
关键词 低驱动电压 LiNbO3光调制器 眼图 啁啾 光传输
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低电压电容式RF MEMS开关设计研究
4
作者 伍文昌 《电子技术与软件工程》 2023年第4期70-73,共4页
本文设计了一种低电压电容式RFMEMS开关,开关采用了两端固支梁结构,在梁与CPW共面波导地线的四个固定支撑位置使用了折叠结构,该结构可以减低下拉电压;通过在MEMS开关梁上开孔(直径9μm圆孔)来减小残余应力和杨氏模量和选择合适的开关... 本文设计了一种低电压电容式RFMEMS开关,开关采用了两端固支梁结构,在梁与CPW共面波导地线的四个固定支撑位置使用了折叠结构,该结构可以减低下拉电压;通过在MEMS开关梁上开孔(直径9μm圆孔)来减小残余应力和杨氏模量和选择合适的开关梁厚度,显著降低了MEMS开关梁的弹性系数和下拉电压。以上措施显著降低了电容式RFMEMS开关的下拉电压,在ANSYS仿真下拉电压约为6V,驱动电压约为8.4V,该MEMS开关依旧保持了较好的S参数,开关插入损耗大于-0.35dB(8-40GHz),回波损耗小于-22dB(8-40GHz),隔离度(down态S21)大于25dB(8-40GHz)。 展开更多
关键词 电容式RF MEMS开关 低驱动电压 MEMS器件
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Ka波段分布式MEMS移相器低驱动电平容性开关的机电设计 被引量:1
5
作者 贺训军 吴群 +2 位作者 金博识 宋明歆 殷景华 《电子器件》 CAS 2007年第5期1835-1838,共4页
为降低Ka波段分布式MEMS移相器容性开关的驱动电压,提出不同形状新型低弹性系数铰链梁结构MEMS电容开关的机电设计概念.采用Intelli SuiteTM和ADS软件分析了三种梁结构MEMS电容开关的位移分布、驱动电压、机械振动模式和射频性能等参数... 为降低Ka波段分布式MEMS移相器容性开关的驱动电压,提出不同形状新型低弹性系数铰链梁结构MEMS电容开关的机电设计概念.采用Intelli SuiteTM和ADS软件分析了三种梁结构MEMS电容开关的位移分布、驱动电压、机械振动模式和射频性能等参数,结果表明:所设计新型beam2结构MEMS电容开关具有优越的机电特性和射频特性,即开关的驱动电压为3V,机械振动模式固有频率都大于31kHz,在35GHz处插入损耗和回波损耗分别为0.082dB和18.6dB,而相移量可达到105.9o. 展开更多
关键词 MEMS移相器 电容开关 低驱动电压 机电特性 射频特性
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常规岛雨淋阀电磁阀电压低原因分析
6
作者 闫云飞 《电力安全技术》 2021年第7期49-52,56,共5页
辽宁红沿河核电站2号机常规岛在执行雨淋阀联动试验期间,APA泵、CEX泵及GHE密封油等区域火警探测器报警后,雨淋阀电磁阀驱动电压低于额定工作电压。通过不同机组常规岛火警联动试验结果对比分析,发现电磁阀驱动电压低原因为探测器触发... 辽宁红沿河核电站2号机常规岛在执行雨淋阀联动试验期间,APA泵、CEX泵及GHE密封油等区域火警探测器报警后,雨淋阀电磁阀驱动电压低于额定工作电压。通过不同机组常规岛火警联动试验结果对比分析,发现电磁阀驱动电压低原因为探测器触发报警后,火警控制器带载设备过多、线路压降过大,根本原因为常规岛火警控制器消防供电电源设计带载能力不足。通过制定临时方案及工程改造,保证火灾情况下雨淋阀正常动作。 展开更多
关键词 核电 电磁阀 驱动电压 带载能力
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一种非接触式微加速度开关的研究 被引量:5
7
作者 郭涛 李丽华 劳永建 《传感技术学报》 CAS CSCD 北大核心 2008年第4期664-666,共3页
典型的微加速度开关至少包含一个电接触,当阈值加速度值达到时,该开关将闭合。一般为金属接触,比如金。但金属接触可能存在许多问题,如微焊接、电弧、氧化,这些问题可能导致开关工作失灵。鉴于此,本文介绍了一种低驱动电压的非接触式微... 典型的微加速度开关至少包含一个电接触,当阈值加速度值达到时,该开关将闭合。一般为金属接触,比如金。但金属接触可能存在许多问题,如微焊接、电弧、氧化,这些问题可能导致开关工作失灵。鉴于此,本文介绍了一种低驱动电压的非接触式微加速度开关(阈值为5gn)的设计理论、研究方法和主要加工工艺步骤,同时对非接触式微加速度开关结构的力电耦合进行理论计算,结合ANSYS软件仿真分析验证。 展开更多
关键词 微加速度开关 非接触式 低驱动电压 力电耦合分析
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新型光波导阵列电光快速扫描器的馈电特性 被引量:1
8
作者 李家立 石顺祥 +1 位作者 王广生 花吉珍 《西安电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第6期764-767,共4页
研究了新型光波导阵列电光快速扫描器的馈电特性和馈电方式.针对N I N(P I P)型结构和P I N型结构的光波导阵列电光扫描器,导出了相应的馈电电压公式,提出了一种能最大限度降低驱动电压的新方法,并据此研制了4波导P I N阵列扫描器的控... 研究了新型光波导阵列电光快速扫描器的馈电特性和馈电方式.针对N I N(P I P)型结构和P I N型结构的光波导阵列电光扫描器,导出了相应的馈电电压公式,提出了一种能最大限度降低驱动电压的新方法,并据此研制了4波导P I N阵列扫描器的控制电源,成功地进行了电光扫描实验. 展开更多
关键词 扫描器 馈电特性 激光电光扫描 电光效应 光波导阵列 P-I-N结构 低驱动电压
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国内外OLED显示材料技术进展 被引量:9
9
作者 江洪 王春晓 《新材料产业》 2019年第9期48-52,共5页
1OLED发展背景概述有机发光二极管(OLED)具有更轻薄、更具柔韧性、耐低温、视野范围更广、响应速度更快、功耗低、宽温度特性、低驱动电压以及能实现高分辨率显示等优点,是近十年来,显示领域最具前景的研究热点。1953年,Bernanose等人在... 1OLED发展背景概述有机发光二极管(OLED)具有更轻薄、更具柔韧性、耐低温、视野范围更广、响应速度更快、功耗低、宽温度特性、低驱动电压以及能实现高分辨率显示等优点,是近十年来,显示领域最具前景的研究热点。1953年,Bernanose等人在400~800V的高电压下第一次观察到涂有荧蒽类的玻璃纸有明显的电致发光现象。由于需要高电压,这种发光现象只停留在实验室阶段。 展开更多
关键词 有机发光二极管 发光现象 电致发光 高分辨率显示 视野范围 低驱动电压 实验室阶段 温度特性
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垂直结构ZnO薄膜晶体管制备与工作特性
10
作者 朱敏 山岳 +2 位作者 张月 罗双超 王东兴 《哈尔滨理工大学学报》 CAS 2014年第3期31-34,39,共5页
针对目前发表的氧化物薄膜晶体管的研究成果中,存在着驱动电压高,工作电流小的问题,制备了垂直结构的氧化锌薄膜晶体管.器件制备是以石英玻璃为衬底,采用磁控溅射工艺,以氧化锌薄膜为有源层.测试结果表明,制备的晶体管驱动电压低、工作... 针对目前发表的氧化物薄膜晶体管的研究成果中,存在着驱动电压高,工作电流小的问题,制备了垂直结构的氧化锌薄膜晶体管.器件制备是以石英玻璃为衬底,采用磁控溅射工艺,以氧化锌薄膜为有源层.测试结果表明,制备的晶体管驱动电压低、工作电流大、载流子迁移率高.在偏压条件VGS为0.2 V,VDS为3 V时,漏源极电流IDS达到9.15 mA,开启电压Vth仅在1.35 V左右,可以作为有机发光二极管的驱动单元,具备了实用化特性. 展开更多
关键词 氧化锌薄膜晶体管 低驱动电压 磁控溅射 载流子迁移率
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Host Engineering for Red Electrophosphorescent Devices
11
作者 Li Huiying Luo Yang +1 位作者 Chen.Ping Duan YU 《China Communications》 SCIE CSCD 2012年第2期66-71,共6页
In this paper,we demonstrate that controlled dopant-concentration is an essential issue for charge carriers transporting in red Phosphorescent Organic Light-Emitting Device(PHOLED).Carriers transport via dopant molecu... In this paper,we demonstrate that controlled dopant-concentration is an essential issue for charge carriers transporting in red Phosphorescent Organic Light-Emitting Device(PHOLED).Carriers transport via dopant molecules in the emitting layer with a single host,however,via both dopant and host molecules when their energy levels are well aligned.Conditions for reduced driving-voltage and enhanced efficiency of red PHOLED are obtained by employing a mixed host structure.A pure red PHOLED with color coordinates of(0.67,0.33) has been realized by using only 4 wt% dopant,The device achieves 100 cd/cm2 at 2.9 V,with corresponding power efficiency of 9.3 lm/W and external quantum efficiency of 14.3%. 展开更多
关键词 主机结构 机电设备 工程 有机发光器件 外部量子效率 低驱动电压 过掺杂 能量水平
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交流电致发光显示器用的黑色Pr-Mn氧化物介电材料
12
作者 张英琴 《液晶与显示》 CAS CSCD 1989年第3期27-29,共3页
新近研制出一种Pr-Mn氧化物黑色介电材料,可用在高对比度和低驱动电压的电致发光显示屏上。Pr-Mn氧化膜的化学相为PrMnO_3。Pr-Mn氧化物薄膜的500nm波长时的光吸收系数大于10~5cm^(-1),电阻大于18~8Ωcm, 10kHz时的介电常数约为200-300。
关键词 电致发光显示器 Pr-Mn 电致发光显示屏 介电材料 氧化物薄膜 低驱动电压 氧化物膜 氧化物材料 介质膜 光吸收系数
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60GHz反射电吸收调制器
13
《现代传输》 2009年第6期5-5,共1页
CIP技术公司近日发布了一款新产品60G—R—EAM-1550。将调制和光电检测组合在一起、能够工作在60GHz的变换器。这款新的反射电吸收调制器(R—EAM)主要用于满足低插入损耗、低驱动电压光调制器的用户需求,比如远距离天线和光纤承载无... CIP技术公司近日发布了一款新产品60G—R—EAM-1550。将调制和光电检测组合在一起、能够工作在60GHz的变换器。这款新的反射电吸收调制器(R—EAM)主要用于满足低插入损耗、低驱动电压光调制器的用户需求,比如远距离天线和光纤承载无线信号(ROF)。 展开更多
关键词 电吸收调制器 反射 CIP技术 低驱动电压 光电检测 插入损耗 用户需求 光调制器
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空间光调制器
14
作者 高晓萍 《光机电信息》 1995年第5期40-41,共2页
关键词 空间光调制器 液晶 分辨率 低驱动电压 光图像处理
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OLED的步履维艰与美好未来
15
作者 李程 丁玉强 王垚浩 《光源与照明》 2007年第4期38-41,43,共5页
1OLED的迷人魅力 1987年Eastman Kodak公司Tang等发明了基于有机小分子材料的三明治结构的有机发光二极管(OLED),其高量子效率及低驱动电压较之以前的研究取得了革命性的突破,也标志着有机电致发光材料及器件研究进入了孕育实用化... 1OLED的迷人魅力 1987年Eastman Kodak公司Tang等发明了基于有机小分子材料的三明治结构的有机发光二极管(OLED),其高量子效率及低驱动电压较之以前的研究取得了革命性的突破,也标志着有机电致发光材料及器件研究进入了孕育实用化的崭新时代。随后,1990年高分子的材料的电致发光(PLED)的发现、 展开更多
关键词 OLED 有机电致发光材料 有机发光二极管 Kodak公司 小分子材料 三明治结构 低驱动电压 量子效率
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铌酸锂横向电光调制器
16
作者 方正 《四川激光》 1981年第A02期122-122,共1页
本文介绍了铌酸锂电光调制器的设计和实验结果,由于考虑了适当的结构及加工工艺,因而获得了低驱动电压和高消光比的优良特性。在1.5毫瓦、1.5毫弧度发散角的He-Ne激光下测试,单晶片铌酸锂调制器的半波电压为360伏,消光比达800:1... 本文介绍了铌酸锂电光调制器的设计和实验结果,由于考虑了适当的结构及加工工艺,因而获得了低驱动电压和高消光比的优良特性。在1.5毫瓦、1.5毫弧度发散角的He-Ne激光下测试,单晶片铌酸锂调制器的半波电压为360伏,消光比达800:1;双晶片铌酸锂调制器的半波电压为180伏,消光比达500:1。 展开更多
关键词 铌酸锂电光调制器 铌酸锂调制器 HE-NE激光 半波电压 低驱动电压 消光比 加工工艺 优良特性 发散角 单晶片
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A polymer electro-optic modulator with ultra wide-band and low driving voltage 被引量:2
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作者 Kambiz Abedi Habib Vahidi 《Optoelectronics Letters》 EI 2011年第6期423-426,共4页
In this paper, a polymer electro-optic modulator is designed and simulated using the full vectorial finite element method. First order edge elements are used in finite element implementation, and the finite element te... In this paper, a polymer electro-optic modulator is designed and simulated using the full vectorial finite element method. First order edge elements are used in finite element implementation, and the finite element technique is used to obtain modulator response thoroughly. From the numerical analysis, frequency dispersions of modulator's important parameters, such as microwave effective index nm , microwave characteristic impedance ZC and microwave loss a, are extracted. Our design exhibits electrical bandwidth of 260 GHz and drive voltage of about 2.8 V.cm in this frequency. 展开更多
关键词 电光调制器 低驱动电压 聚合物 矢量有限元方法 超宽带 频率调制器 有效折射率 调制响应
原文传递
接插元件、继电器、开关、熔断器
18
《电子科技文摘》 2001年第2期8-9,共2页
0101867平面变压器的结构原理与应用[刊]/罗利文//电子技术应用.—2000,26(10).—65~66(D)大多数 DC/DX;变换器都需要隔离变压器,而平面变压器技术在隔离变压器的许多方面实现了重要的突破。介绍了平面变压器的结构、性能和使用方法。... 0101867平面变压器的结构原理与应用[刊]/罗利文//电子技术应用.—2000,26(10).—65~66(D)大多数 DC/DX;变换器都需要隔离变压器,而平面变压器技术在隔离变压器的许多方面实现了重要的突破。介绍了平面变压器的结构、性能和使用方法。参3Y2000-62474-689 0101868信号频率为0.25GHz~40GHz 的低驱动电压射频微电机械系统开关=Low actuation voltage RF MEMSswitches with signal frequencies from 0.25GHz to 40GHz[会,英]/Shen,S.C.& Feng.M.//1999 IEEE Inter-national Electron Devices Meeting.—689~692(PC)介绍一种新的低压无线电频率微电机械系统(RFMEMS)开关,其开关电压为14~17V。当开关以40GHz 接通时,介入损耗不超过0.5dB,返回损耗为-15dB;当处于断开状态时,在0.25GHz~40GHz 频带上可达到27dB 以上隔离。描述了开关结构。 展开更多
关键词 平面变压器 固体继电器 微电机械系统 隔离变压器 接插元件 原理与应用 开关结构 熔断器 低驱动电压 介入损耗
原文传递
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