新一代高耐热性、高模量、低CTE覆铜箔层压板材料

随着PCB的发展,对CCL的要求越来越高,主要表现为耐热性,可靠性,特别在高多层板中的密集BGA孔的爆孔,厚铜多层以及HDI应用中发生的爆板问题,这些问题在无铅化时代表现的更为严重。本文研究了一种高耐热性、高模量、低CTE覆铜箔层压板及粘结片材料,该材料的特点为Tg(DMA)>220℃,Td(5%loss)>355℃,Z轴热膨胀系数α1:50.2μm/m℃,α2:170.6μm/m,另外,材料在高温(200℃)下的模量保持率为普通高Tg材料的3倍。通过材料的优化设计,达到性能的平衡。

新一代高耐热性、高模量、低CTE覆铜箔层压板材料

随着PCB的发展,对CCL的要求越来越高,主要表现为耐热性和可靠性,特别在高多层板中的密集BGA孔的爆孔、厚铜多层以及HDI应用中发生的爆板问题,这些问题在无铅化时代表现的更为严重。文章研究了一种高耐热性、高模量、低CTE覆铜箔层压板及粘结片材料,该材料的特点为Tg(DMA)>220℃,Td(5% loss)>355℃,Z轴热膨胀系数α1∶50.2μm/m℃,α2∶170.6μm/m。另外,材料在高温(200℃)下的模量保持率为普通高Tg材料的3倍。通过材料的优化设计,达到性能的平衡。

基于低介电损耗聚酰亚胺的挠性覆铜板结构设计与性能

在5G时代大背景下,随着印制电路板向高频、高速与高密度方向发展,高耐热、低介电损耗的聚酰亚胺材料在PCB中得到了广泛的关注。本文制备了含氟聚酰亚胺基膜(MPI),其在50℃~250℃的热膨胀系数为19.6ppm/℃,玻璃化转变温度为342℃,表现出优异的尺寸稳定性和耐热性能。另外,本文合成了低介电损耗的热塑性聚酰亚胺(MTPI),该薄膜的Df值为0.0023且具有良好的阻燃性。通过对MPI/MTPI/Cu单面板进行性能表征,发现其剥离强度可达到1.4N/mm,在310℃的锡焊浴中不会发生爆板,呈现良好的耐热性。

无铅化焊接的高频基板材料

文章概述了无铅化焊接对高频基板材料的要求。无铅化焊接的实质是提高基板材料的耐热性问题。PCB的耐热的要求主要是基板材料的热分解温度和热膨胀系数方面。

含芳杂环结构的聚酰亚胺/SiO2杂化薄膜及性能研究

以均苯四甲酸二酐(PMDA)为二酐单体,对苯二胺(p-PDA)、2-(4-氨基苯基)-5-氨基苯并噁唑(BOA)和2-(4-氨基苯基)-5-氨基苯并咪唑(BIA)为二胺单体,制备了聚酰亚胺(PI)树脂和薄膜,又采用三辊机制备了PI/SiO2杂化树脂和薄膜。利用傅里叶红外光谱对材料的结构进行了表征,结果表明薄膜完全亚胺化,且SiO2存在于PI基体中。此外,还研究了PI和PI/SiO2杂化薄膜的热学性能和力学性能。随着2种不同粒径SiO2的加入,PI/SiO2杂化薄膜的耐热性能得到明显改善。与纯PI相比,PI/SiO2杂化薄膜的玻璃化转变温度上升3~16℃,1%热失重温度提高了14~30℃,而且线性热膨胀得到抑制,PI-R106-5的线性热膨胀系数(CTE)仅为2.59×10-6/℃。但是,PI/SiO2杂化薄膜的力学性能相对于纯PI薄膜有所降低,未来应继续提高其相容性。