用脉冲电化学法在低HF浓度下制备多孔硅的研究

用脉冲电化学阳极氧化的方法在 5 %的低HF浓度下获得多孔硅。多孔硅的形成和脉冲电场的施加、去除过程中与电解液 硅半导体体系中物理化学过程的变化有关。在施加电场的间隙 ,由于Si/电解液界面处HF的补充 ,SiO2 的溶解增强 ,使得在低HF浓度下Si的溶解速率比其氧化速率高 ,从而导致多孔硅的形成。同时 ,在高电场作用下 ,由于产生了高浓度的空穴 ,使得氧化层变厚 ,导致在低HF浓度或大电流密度下多孔硅的平均孔径增大。