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高散热变k介质埋层SOI高压功率器件
1
作者
罗小蓉
李肇基
张波
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2006年第10期1832-1837,共6页
针对常规SOI器件纵向耐压低和自热效应两个主要问题,提出了变k介质埋层SOI(variablekdielectricburiedlayerSOI,VkDSOI)高压功率器件新结构.该结构在高电场的漏端采用低k介质以增强埋层电场,在高电流密度的源端附近采用高热导率的氮化...
针对常规SOI器件纵向耐压低和自热效应两个主要问题,提出了变k介质埋层SOI(variablekdielectricburiedlayerSOI,VkDSOI)高压功率器件新结构.该结构在高电场的漏端采用低k介质以增强埋层电场,在高电流密度的源端附近采用高热导率的氮化硅埋层,从而器件兼具耐高压和降低自热效应的优点.结果表明,对于k1=2,k2=7·5(Si3N4),漂移区厚2μm,埋层厚1μm的器件,埋层电场和器件耐压分别达212V/μm和255V,比相同厚度的常规SOI器件的埋层电场和耐压分别提高66%和43%,最高温度降低52%.
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关键词
SOI
低k介质埋层
纵向电场
击穿电压
自热效应
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职称材料
题名
高散热变k介质埋层SOI高压功率器件
1
作者
罗小蓉
李肇基
张波
机构
电子科技大学IC设计中心
出处
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2006年第10期1832-1837,共6页
基金
国家自然科学基金(批准号:60436030)
模拟IC国家重点实验室基金(批准号:9140C0903050605)资助项目~~
文摘
针对常规SOI器件纵向耐压低和自热效应两个主要问题,提出了变k介质埋层SOI(variablekdielectricburiedlayerSOI,VkDSOI)高压功率器件新结构.该结构在高电场的漏端采用低k介质以增强埋层电场,在高电流密度的源端附近采用高热导率的氮化硅埋层,从而器件兼具耐高压和降低自热效应的优点.结果表明,对于k1=2,k2=7·5(Si3N4),漂移区厚2μm,埋层厚1μm的器件,埋层电场和器件耐压分别达212V/μm和255V,比相同厚度的常规SOI器件的埋层电场和耐压分别提高66%和43%,最高温度降低52%.
关键词
SOI
低k介质埋层
纵向电场
击穿电压
自热效应
Keywords
SOI
low
k
dielectric layer
vertical electric field
brea
k
down voltage
self-heating effect
分类号
TN303 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
高散热变k介质埋层SOI高压功率器件
罗小蓉
李肇基
张波
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2006
0
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职称材料
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