可实现铜及低k技术等离子去胶工艺的湿法清洗技术

用一种顺流微波等离子干法除胶设备开发出了一种享有专利的等离子工艺,该工艺可满足后道工序中铜及低k材料应用中密集和渗透性低k介电材料的抗蚀剂除胶要求。最终结果显示等离子各向同性除胶工艺与其他等离子化学方法相比,在很大程度上可对介电材料的损伤率降到最小,且能实现除胶后的湿法清洗。首先介绍并讨论了在涂覆抗蚀剂片子上得到的综合工艺特征数据。这些数据包括抗蚀剂去胶速率、低k膜厚度损失及折射指数变化、除胶选择性、k值变化、FTIR光谱以及FDS和SIMS分析结果。在有图形的片子上得到的扫描电镜检查结果显示了在等离子去胶和随后的湿法清洗后的清洁度、良好的图形轮廓和图形结构的关键尺寸保持情况。并介绍了评价器件性能的电性能测试和可靠性数据。此外还讨论了等离子工艺在铜表面清洗的有效性。

45nm工艺与关键技术

介绍了45 nm芯片所采用的关键工艺技术:193 nm ArF干法/浸没式光刻技术、低k电介质技术、高k电介质技术和应变硅技术等。英特尔45 nm全功能153 MB SRAM芯片与65 nm芯片相比,晶体管密度提高了2倍,晶体管开关速度提高20%以上,晶体管漏电流降低到65 nm芯片的1/5,存储单元面积为0.346μm2。指出英特尔45 nm芯片MPU将在2007年下半年实现量产,并且继英特尔之后,TI、IBM、特许、英飞凌、三星、台积电和台联电等均已推出了45 nm芯片,说明45 nm芯片技术正在日益走向成熟。