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体硅微机械湿法加工技术研究进展
被引量:
1
1
作者
蒋玉荣
边长贤
秦瑞平
《材料导报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2011年第19期13-17,共5页
湿法腐蚀技术成本低,是硅微机械(Micromachining)加工中最基础、最关键的技术。着重讨论了3种主要湿法技术的优缺点,概述了硅的各向同性存在侧向腐蚀、各向异性受晶格限制以及电化学腐蚀受图形尺寸限制的缺点和局限性,探讨了国内外研究...
湿法腐蚀技术成本低,是硅微机械(Micromachining)加工中最基础、最关键的技术。着重讨论了3种主要湿法技术的优缺点,概述了硅的各向同性存在侧向腐蚀、各向异性受晶格限制以及电化学腐蚀受图形尺寸限制的缺点和局限性,探讨了国内外研究现状和湿法腐蚀技术存在的问题及今后电化学腐蚀技术在湿法技术中的地位。
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关键词
体硅技术
各向异性
电化学腐蚀
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职称材料
用于微电子机械系统封装的体硅键合技术和薄膜密封技术
被引量:
3
2
作者
王渭源
王跃林
《中国工程科学》
2002年第6期56-62,共7页
对静电键合、体硅直接键合和界面层辅助键合等三种体硅键合技术 ,整片操作、局部操作和选择保护等三种密封技术 ,以及这些技术用于微电子机械系统的密封作了评述 ,强调在器件研究开始时应考虑封装问题 ,具体技术则应在保证器件功能和尽...
对静电键合、体硅直接键合和界面层辅助键合等三种体硅键合技术 ,整片操作、局部操作和选择保护等三种密封技术 ,以及这些技术用于微电子机械系统的密封作了评述 ,强调在器件研究开始时应考虑封装问题 ,具体技术则应在保证器件功能和尽量减少芯片复杂性两者之间权衡决定。
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关键词
体
硅
键合
技术
薄膜密封
技术
微电子机械系统
封装
技术
芯片
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职称材料
偏晶向(111)硅片闪耀光栅的制作
被引量:
6
3
作者
鞠挥
张平
+1 位作者
王淑荣
吴一辉
《光子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2004年第6期755-757,共3页
硅光栅的制作可以利用湿法腐蚀体硅工艺 湿法腐蚀利用硅的各向异性 ,由硅的晶面形成光栅工作凹槽 ,利用湿法工艺可以制作在不同光谱波段内工作的闪耀光栅 设计了一种利用偏晶向 (111)硅片制作闪耀光栅的方法 ,使用这种方法可以批量制...
硅光栅的制作可以利用湿法腐蚀体硅工艺 湿法腐蚀利用硅的各向异性 ,由硅的晶面形成光栅工作凹槽 ,利用湿法工艺可以制作在不同光谱波段内工作的闪耀光栅 设计了一种利用偏晶向 (111)硅片制作闪耀光栅的方法 ,使用这种方法可以批量制作闪耀角度较小的光栅 利用扫描电子显微镜 (SEM)进行了光栅表面形貌测试 ,试验结果表明 ,制作的硅光栅样片具有良好光学特性的反射表面和光栅槽形 硅闪耀光栅可以被用来制作微型光谱仪。
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关键词
(111)
硅
片
闪耀光栅
体硅技术
湿法腐蚀
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职称材料
题名
体硅微机械湿法加工技术研究进展
被引量:
1
1
作者
蒋玉荣
边长贤
秦瑞平
机构
河南师范大学物理与信息工程学院
河南省光伏材料重点实验室
江西师范大学化学与化工学院
出处
《材料导报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2011年第19期13-17,共5页
基金
国家自然科学基金(60571063)
河南省重点科技攻关项目(092102210018)
河南省教育厅自然科学基金(2011A140014)
文摘
湿法腐蚀技术成本低,是硅微机械(Micromachining)加工中最基础、最关键的技术。着重讨论了3种主要湿法技术的优缺点,概述了硅的各向同性存在侧向腐蚀、各向异性受晶格限制以及电化学腐蚀受图形尺寸限制的缺点和局限性,探讨了国内外研究现状和湿法腐蚀技术存在的问题及今后电化学腐蚀技术在湿法技术中的地位。
关键词
体硅技术
各向异性
电化学腐蚀
Keywords
bulk silicon technology, anisotropic, electrochemical ctching
分类号
T-19 [一般工业技术]
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职称材料
题名
用于微电子机械系统封装的体硅键合技术和薄膜密封技术
被引量:
3
2
作者
王渭源
王跃林
机构
中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感技术国家重点实验室
出处
《中国工程科学》
2002年第6期56-62,共7页
基金
国家重点基础研究发展规划资助项目 (G19990 3 3 10 1)
文摘
对静电键合、体硅直接键合和界面层辅助键合等三种体硅键合技术 ,整片操作、局部操作和选择保护等三种密封技术 ,以及这些技术用于微电子机械系统的密封作了评述 ,强调在器件研究开始时应考虑封装问题 ,具体技术则应在保证器件功能和尽量减少芯片复杂性两者之间权衡决定。
关键词
体
硅
键合
技术
薄膜密封
技术
微电子机械系统
封装
技术
芯片
Keywords
packaging of MEMS
bulk silicon bonding technology
film sealed technology
分类号
TN405.94 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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职称材料
题名
偏晶向(111)硅片闪耀光栅的制作
被引量:
6
3
作者
鞠挥
张平
王淑荣
吴一辉
机构
中国科学院长春光学精密机械与物理研究所应用光学国家重点实验室
出处
《光子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2004年第6期755-757,共3页
基金
国家 973 G19990 3310 7
中国科学院知识创新工程项目资助
文摘
硅光栅的制作可以利用湿法腐蚀体硅工艺 湿法腐蚀利用硅的各向异性 ,由硅的晶面形成光栅工作凹槽 ,利用湿法工艺可以制作在不同光谱波段内工作的闪耀光栅 设计了一种利用偏晶向 (111)硅片制作闪耀光栅的方法 ,使用这种方法可以批量制作闪耀角度较小的光栅 利用扫描电子显微镜 (SEM)进行了光栅表面形貌测试 ,试验结果表明 ,制作的硅光栅样片具有良好光学特性的反射表面和光栅槽形 硅闪耀光栅可以被用来制作微型光谱仪。
关键词
(111)
硅
片
闪耀光栅
体硅技术
湿法腐蚀
Keywords
silicon wafer
Blazed grating
Bulk silicon technology
Wet etching
分类号
TN305.7 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
体硅微机械湿法加工技术研究进展
蒋玉荣
边长贤
秦瑞平
《材料导报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2011
1
下载PDF
职称材料
2
用于微电子机械系统封装的体硅键合技术和薄膜密封技术
王渭源
王跃林
《中国工程科学》
2002
3
下载PDF
职称材料
3
偏晶向(111)硅片闪耀光栅的制作
鞠挥
张平
王淑荣
吴一辉
《光子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2004
6
下载PDF
职称材料
已选择
0
条
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参考文献
引证文献
统计分析
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