一种抑制辐射闭锁的新方法

从体硅CMOS器件的闭锁效应入手,提出了抑制闭锁的一种新方法—伪闭锁路径法。详细探讨了伪闭锁路径的设计方法后,还提供了一个设计实例,给出了计算机仿真结果和实验验证结果。伪闭锁路径法能够较好抑制体硅CMOS器件的永久闭锁问题,但不能避免辐射引起的剂量率扰动。