1
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体硅CMOS集成电路抗辐射加固设计技术 |
米丹
左玲玲
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《电子与封装》
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2016 |
5
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2
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体硅CMOS射频集成电路中高Q值在片集成电感的实现 |
张志勇
海潮和
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《微电子学》
CAS
CSCD
北大核心
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2003 |
3
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3
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体硅CMOS工艺下一种带隙基准的单粒子辐射特性分析 |
文溢
陈建军
梁斌
池雅庆
邢海源
姚啸虎
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《国防科技大学学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
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2024 |
0 |
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4
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CMOS集成电路用Φ150—200mm外延硅材料 |
王启元
林兰英
何自强
龚义元
蔡田海
郁元桓
何龙珠
高秀峰
王建华
邓惠芳
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《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
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2001 |
2
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5
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采用非硅氧化物可以克服硅CMOS集成电路缩小尺寸过程中栅氧化层减薄所带来的问题 |
Rodney Myrvaagnes
王正华
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《今日电子》
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1999 |
0 |
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6
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基于CMOS工艺的中小规模数字集成电路设计浅析 |
孙玲
陈海进
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《南通工学院学报(自然科学版)》
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2004 |
1
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7
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SOI高温电路——突破硅集成电路的高温应用限制 |
多新中
张苗
高剑侠
王连卫
林成鲁
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《微细加工技术》
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1998 |
1
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8
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SOI和体硅集成电路工艺平台互补问题的探讨 |
鲍荣生
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《中国集成电路》
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2006 |
0 |
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9
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用于先进 CMOS电路的 150 mm硅外延片外延生长(英文) |
王启元
蔡田海
郁元桓
林兰英
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《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
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2000 |
3
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10
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硅基光电探测器前置放大电路的输入级CMOS实现 |
梁恩主
冯军
郑婉华
王志功
陈良惠
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《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
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2001 |
2
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11
|
宽温区高温体硅CMOS倒相器的优化设计 |
冯耀兰
魏同立
张海鹏
宋安飞
罗岚
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《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
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2001 |
5
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12
|
体硅衬底上的CMOS Fin FET(英文) |
殷华湘
徐秋霞
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《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
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2003 |
1
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13
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硅与非硅集成电路的未来 |
Ahmed A.Busnaina
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《电子产品世界》
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2006 |
0 |
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14
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体硅CMOS FinFET结构与特性研究 |
殷华湘
徐秋霞
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《电子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
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2005 |
1
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15
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一种新的SOI射频集成电路结构与工艺 |
杨荣
李俊峰
钱鹤
韩郑生
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《微电子学》
CAS
CSCD
北大核心
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2004 |
0 |
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16
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先进集成电路技术发展现状分析 |
张卫
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《集成电路应用》
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2017 |
1
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17
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低压低功耗集成电路: SOI技术的新机遇 |
张兴
王阳元
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《电子科技导报》
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1998 |
0 |
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18
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体硅CMOS寄生参数的数值模拟及抗闩锁能力的测试分析 |
林英
桂力敏
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《微电子学与计算机》
CSCD
北大核心
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1990 |
0 |
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19
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CMOS硅处延技术与硅外延片 |
王启元
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《科技创业月刊》
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2002 |
0 |
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20
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荷兰特温特大开发出与CMOS技术兼容的纯硅光源 |
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《新材料产业》
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2017 |
0 |
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