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DC-DC降压芯片使能保护电路的设计
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作者 张睿 《通信电源技术》 2014年第6期48-50,共3页
文中主要对DC-DC降压芯片电路进行研究,重点设计了使能保护电路模块。该电路模块设计了1.5 V和2.5 V两个比较电压点。当UEN小于1.5 V,整个芯片关断。当UEN超过1.5 V但小于2.5 V时,电源供电正常。当使能UEN大于2.5 V后,整个芯片正常工作... 文中主要对DC-DC降压芯片电路进行研究,重点设计了使能保护电路模块。该电路模块设计了1.5 V和2.5 V两个比较电压点。当UEN小于1.5 V,整个芯片关断。当UEN超过1.5 V但小于2.5 V时,电源供电正常。当使能UEN大于2.5 V后,整个芯片正常工作。电路采用CMSC1μm5 V/40 V HVCMOS工艺中的5 V低压器件来构建,并在Cadence软件下进行了仿真验证。 展开更多
关键词 使能保护 施密特触发器 工艺角仿真
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