浅析耗尽型MOSFET对智能变送器中DAC的供电与保护

具有ESD保护功能的耗尽型MOSFET代替JFET器件和普通耗尽型MOSFET,能有效抑制各种干扰,极大提高整个系统的稳定性和安全性。由于智能变送器在工业控制、物联网、轨道交通、航空航天等领域的广泛应用,特别是近年自动驾驶汽车、医疗仪器和能源环境控制系统应用的日益普及,系统智能化、集成化、小型化的发展趋势对智能变送器的性能、品质要求不断提高,关键模块DAC在恶劣环境下有效的抗干扰能力是整个变送器工作稳定、系统安全的重要保障。传统的JFET器件能实现稳定供电,但不能起到有效的抗干扰作用。普通耗尽型MOSFET器件替代传统的JFET器件,能稳定供电,并能有效抑制浪涌、瞬态电流、电压干扰,但没有静电防护功能。为更有效解决系统电路保护的问题,通过对器件本身结构进行研究,开发自带ESD保护功能的耗尽型MOSFET。在实际测试和使用中有效验证了该器件对DAC模块的供电,不仅能稳定供电,抑制浪涌、瞬态电流、电压干扰,而且能有效消除静电对器件的损坏可能性。该器件的应用大大提高了智能变送器的稳定性,对自动驾驶汽车和医疗仪器的安全性有重要作用。