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在ELO-GaN衬底上生长的AlGaInN高功率激光器
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作者 Ikeda M Uchida S 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第z1期83-86,共4页
在ELO-GaN基层上用激光进行条状化处理,可以明显地改善AlGaInN激光二极管的位错密度和界面的粗糙度.其结果是可使激光二极管的寿命,在50℃,30mW输出的连续工作条件下超过1000小时.
关键词 AlGaInN 半导体激光器 侧向外延氮化镓
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在ELO-GaN衬底上生长的AlGaInN高功率激光器(英文)
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作者 Ikeda M Uchida S 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第S1期83-86,共4页
在ELO GaN基层上用激光进行条状化处理 ,可以明显地改善AlGaInN激光二极管的位错密度和界面的粗糙度。其结果是可使激光二极管的寿命 ,在 5 0℃ ,30mW输出的连续工作条件下超过 1 0 0 0小时。
关键词 AlGaInN 半导体激光器 侧向外延氮化镓
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