碳掺杂GaAs激光器侧向扩展电流的研究

实验研究了碳掺杂ＧａＡｓ激光器帽层的侧向扩展电流对阈值的影响。

TS结构半导体激光器的侧向扩展电流分布及波导分析模型

本文给出了具有梯形衬底结构(简称 TS)半导体激光器的侧向电流扩展分布的一般表示式.将 TS 结构看成具有侧向渐变波导,提出了一种新的分析 TS 激光器稳态特性模型.

940nm大功率半导体激光器后工艺优化

波长为940nm的大功率半导体激光器是基于Yb∶YAG激光器的重要泵浦光源。为了制备高输出功率的940nm半导体激光器,基于非对称超大光腔波导外延结构,对芯片后制备工艺进行了优化。在芯片的侧向,引入了隔离双沟结构,以实现对侧向电流扩展的有效抑制,从而提高器件的性能。通过优化双沟的间距和深度,并结合长腔长结构,制备的940nm半导体激光器在室温且未采取任何主动散热的条件下,最高出光功率达到20.3W。