三维存储芯片堆叠封装技术探研

新的3D封装设计能够简化诸如I/O再分布、侧墙绝缘、侧墙互连和封装成形等工艺;采用机械芯片3D封装原型成功地进行了验证,创建了最新设计的三维(3D)存储芯片堆叠封装。3D封装的制造工艺包括:把晶圆切割成为芯片分段;包含侧墙绝缘的芯片钝化;在原始I/O焊盘上的通道开口;从中心焊盘到侧墙的再分配;采用聚合物胶粘剂的裸芯片堆叠技术;侧墙互连技术;焊球粘附。与传统3D封装相比,在此新的3D封装设计中,进行了显著的改进。此新研发封装的特点是:在芯片的I/O再分布之前,完成芯片的侧墙绝缘,这形成了芯片相对于晶圆更高的集成度;以及在随后的制造步骤中显著的工艺简化。按照此设计,可得到与传统晶圆设计相比,芯片对封装面积的比为100%。不会造成邻近芯片的任何损失,这在传统3D封装设计的I/O再分布工艺期间是常常发生的。证明3D堆叠式封装原型的机械完整性,完全满足JEDECⅢ级和85℃/85%试验的各项要求。