Micro-LED的侧壁损伤以及光学特性

GaN基微型发光二极管(Micro-LED)作为新型显示技术有着广泛的应用前景,在近些年得到了快速的发展。但随着尺寸的降低,Micro-LED的发光效率急剧降低,主要是由于侧壁损伤的影响。本文通过光刻工艺和电感耦合等离子体(ICP)刻蚀制作了5、10、20μm等不同尺寸的Micro-LED结构,分析了刻蚀对Micro-LED带来的台面物理损伤及杂质元素富集的影响,并采用20%浓度四甲基氢氧化铵(TMAH)修复侧壁损伤,采用阴极荧光(CL)分析钝化处理前后Micro-LED的光学特性。结果表明,随着尺寸的降低,侧壁损伤的影响越加严重,采取TMAH钝化工艺能够对侧壁进行有效的修复,提升Micro-LED的发光强度与发光均匀性。

管袋坝接缝侧壁损伤冲刷试验方法研究

为模拟波浪水流沿袋间接缝对侧壁损伤管袋坝的冲刷过程,自行设计了一套试验装置;该装置主要包括模拟管袋的砂箱、接缝管路、波浪水流发生器及信息采集设备;针对该装置提出了相关试验方法,包括试验材料和试验环节;最后,对该试验装置及试验方法的有效性进行了验证,证明该装置及方法可以完成不同条件的波浪水流沿袋间接缝对侧壁损伤管袋坝冲刷过程的模拟。