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侧栅晶体管太赫兹探测器的物理模型、结构制备与直流测试
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作者 康亚茹 董慧 +4 位作者 刘晶 黄镇 李兆峰 颜伟 王晓东 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2024年第4期526-532,共7页
针对侧栅结构高电子迁移率晶体管(High Electron Mobility Transistors,HEMTs)太赫兹探测器,构建了器件的直流输运和太赫兹探测的物理模型。运用自对准工艺,成功制备了形态良好、接触可靠的侧栅结构,有效地解决了器件双侧栅与台面间的... 针对侧栅结构高电子迁移率晶体管(High Electron Mobility Transistors,HEMTs)太赫兹探测器,构建了器件的直流输运和太赫兹探测的物理模型。运用自对准工艺,成功制备了形态良好、接触可靠的侧栅结构,有效地解决了器件双侧栅与台面间的接触问题,最终获得了不同栅宽(200 nm、800 nm和1400 nm)的侧栅GaN/AlGaN HEMT太赫兹探测器。通过直流测试表征发现,不同器件的栅宽与其阈值电压之间呈现出明显的线性关系,验证了侧栅结构HEMT太赫兹探测器的直流输运模型。上述结果为完整的侧栅HEMT太赫兹探测器的理论模型提供了实验验证和指导,为侧栅HEMT太赫兹探测器的发展提供了重要支持。 展开更多
关键词 氮化镓 太赫兹探测器 侧栅 高电子迁移率晶体管
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基于PSSNa的平面侧栅型氧化物双电层薄膜晶体管 被引量:1
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作者 黄琬晴 桑旭慧 邵枫 《电子元件与材料》 CAS CSCD 北大核心 2022年第3期243-249,共7页
双电层薄膜晶体管(EDLTs)凭借其低电压、多栅调控以及对神经突触的模拟而备受关注。为了实现一种基于聚电解质的新型平面侧栅结构的EDLTs,采用磁控溅射制备的氧化铟镓锌(IGZO)沟道和氧化铟锌(IZO)电极,试验了三种不同的聚电解质作为栅... 双电层薄膜晶体管(EDLTs)凭借其低电压、多栅调控以及对神经突触的模拟而备受关注。为了实现一种基于聚电解质的新型平面侧栅结构的EDLTs,采用磁控溅射制备的氧化铟镓锌(IGZO)沟道和氧化铟锌(IZO)电极,试验了三种不同的聚电解质作为栅介质。发现聚苯乙烯磺酸钠(PSSNa)可以作为栅介质材料实现器件的良好工作。由于其低频时高达2.9μF/cm^(2)的双电层电容,使器件的工作电压可以控制在1 V以内,迁移率为0.23 cm^(2)/(V·s),开关比为4.6×10^(3)。而壳聚糖和全氟磺酸树脂(Nafion)则是受到了本身离子含量低以及侧栅控制能力弱的制约。进一步研究PSSNa-EDLTs器件的湿度响应表明,其转移特性曲线随着相对湿度的上升表现出有规律的变化,且该规律与离子栅介质中的水分子含量直接相关。本文的结果为后续平面侧栅器件的优化提供了依据,且平面侧栅PSSNa-EDLTs器件在相关传感方面具备潜力。 展开更多
关键词 双电层薄膜晶体管 聚苯乙烯磺酸钠 平面侧栅 湿度响应
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基于P掺杂SiO_2为栅介质的超低压侧栅薄膜晶体管 被引量:3
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作者 朱德明 门传玲 +1 位作者 曹敏 吴国栋 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2013年第11期457-461,共5页
在室温下利用等离子体增强化学气相沉积法(PECVD)制备的颗粒膜P掺杂SiO2为栅介质,使用磁控溅射方法利用一步掩模法制备出一种新型结构的侧栅薄膜晶体管.由于侧栅薄膜晶体管具有独特的结构,在射频磁控溅射过程中,仅仅利用一块镍掩模板,... 在室温下利用等离子体增强化学气相沉积法(PECVD)制备的颗粒膜P掺杂SiO2为栅介质,使用磁控溅射方法利用一步掩模法制备出一种新型结构的侧栅薄膜晶体管.由于侧栅薄膜晶体管具有独特的结构,在射频磁控溅射过程中,仅仅利用一块镍掩模板,无需复杂的光刻步骤,就可同时沉积出氧化铟锡(ITO)源、漏、栅电极和沟道,因此,这种方法极大地简化了制备流程,降低了工艺成本.实验结果表明,在P掺杂SiO2栅介质层与沟道层界面处形成了超大的双电层电容(8μF/cm2),这使得这类晶体管具有超低的工作电压1V,小的亚阈值摆幅82mV/dec、高的迁移率18.35cm2/V·s和大的开关电流比1.1×106.因此,这种P掺杂SiO2双电层超低压薄膜晶体管将有望应用于低能耗便携式电子产品以及新型传感器领域. 展开更多
关键词 P掺杂SiO2 侧栅薄膜晶体管 双电层(EDL) 超低压
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客车侧围格栅对发动机舱内热环境的影响 被引量:7
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作者 王晶 张成春 +1 位作者 张春艳 任露泉 《吉林大学学报(工学版)》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第3期563-568,共6页
应用数值模拟和试验相结合的方法,对比研究了高速工况下某客车发动机舱左侧格栅封闭前后舱内流场及温度场的变化。结果表明:从左侧格栅流入发动机舱的冷空气流量远大于从格栅边缘流出的热气流的流量。左侧格栅封闭前,格栅处流入的气流... 应用数值模拟和试验相结合的方法,对比研究了高速工况下某客车发动机舱左侧格栅封闭前后舱内流场及温度场的变化。结果表明:从左侧格栅流入发动机舱的冷空气流量远大于从格栅边缘流出的热气流的流量。左侧格栅封闭前,格栅处流入的气流对后舱门反射的热气流有较强的阻碍作用,左侧格栅封闭后,这种阻碍作用减弱,在车底气流的带动下,热流体从车底更顺畅地流出发动机舱。左侧格栅封闭不会对发动机舱的热环境造成不良影响。 展开更多
关键词 公路运输 热管理 发动机舱 客车围格 热流体
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一种改善分栅快闪存储器擦除能力的方法
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作者 康军 曹子贵 《集成电路应用》 2016年第9期32-35,共4页
研究分栅快闪存储器弱擦除失效的机理,提出一种利用湿法刻蚀来调整浮栅侧墙氧化物的高度和宽度的工艺方法,该方法可以有效的调整浮栅尖端的高度和获得最优化的浮栅尖端形状,从而实现最优化字线与浮栅的耦合比率及增强擦除时浮栅尖端附... 研究分栅快闪存储器弱擦除失效的机理,提出一种利用湿法刻蚀来调整浮栅侧墙氧化物的高度和宽度的工艺方法,该方法可以有效的调整浮栅尖端的高度和获得最优化的浮栅尖端形状,从而实现最优化字线与浮栅的耦合比率及增强擦除时浮栅尖端附近的电场的目的。通过对不同湿法刻蚀条件下晶片良率/耐久特性进行对比,我们发现减少40%湿法刻蚀时间的晶片具有更低的弱擦除失效率和更大的耐久性工作窗口。 展开更多
关键词 弱擦除 湿法刻蚀 尖端
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Structure Design Considerations of a Sub-50nm Self-Aligned Double-Gate MOSFET
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作者 殷华湘 徐秋霞 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第12期1267-1274,共8页
A comprehensive way to design a sub 50nm SADG MOSFET with the ability of being fabricated by improved CMOS technique is described.Under this way,the gate length and thickness of Si island of DG device show many diffe... A comprehensive way to design a sub 50nm SADG MOSFET with the ability of being fabricated by improved CMOS technique is described.Under this way,the gate length and thickness of Si island of DG device show many different scaling limits for various elements.Meanwhile,the spacer insulator shows a kind of width thickness on device drain current and circuit speed.A model about that effect is developed and offers design consideration for future.A new design of channel doping profile,called SCD,is also discussed here in detail.The DG device with SCD can achieve a good balance between the volume inversion operation mode and the control of V th .Finally,a guideline to make a SADG MOSFET is presented. 展开更多
关键词 double gate MOSFET structure design sidewall effect SCD
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计量管理 永恒的主题
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作者 仇康生 《计量与测试技术》 1997年第2期41-42,共2页
本文介绍了计量管理在企业生产经营、新品开发、技术改造中的应用、经验和做法。
关键词 计量管理 企业管理 生产经营 技术改造
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A general method of designing phase-shifting algorithms for grating lateral shearing interferometry 被引量:1
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作者 Chao FANG Yang XIANG Ke-qi QI 《Frontiers of Information Technology & Electronic Engineering》 SCIE EI CSCD 2018年第6期809-814,共6页
We propose a general method of designing phase-shifting algorithms for grating lateral shearing interferometry. The algorithms compensate for the zeroth-order effect error and phase-shifting error in varying degrees. ... We propose a general method of designing phase-shifting algorithms for grating lateral shearing interferometry. The algorithms compensate for the zeroth-order effect error and phase-shifting error in varying degrees. We derive a general expression of the phase-shifting algorithm in grating lateral shearing interferometer and introduce the corresponding design method. Based on the expression and method, four phase-shifting algorithms are designed with different phase-shifting errors to obtain high measurement accuracy. A new 13-frame phase-shifting algorithm is designed and simulated with a large zeroth-order effect. Simulation results verify the general expression and the corresponding design method. 展开更多
关键词 INTERFEROMETRY Phase measurement Phase-shifting algorithms
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