俄歇电子能谱测试中非导电粉末样品的荷电效应及消除方法

俄歇电子能谱在分析绝缘样品时,要得到正确的谱图,荷电效应是一个重要的影响因素。本文选取Al_(2)0_(3)粉末为例,提出了俄歇电子能谱分析Al_(2)0_(3)粉末样品的制样方法,通过对比几种减少荷电效应的实验,选取了以覆盖铝导电膜的方法进行实验。此方法流程简便、高效,降低了因荷电效应的影响,通过对Al203的标准摩尔比进行匹配,得到了比较好的匹配度。此方法检测结果较好。

含钽铝锭俄歇电子能谱分析

在电子束蒸镀铝膜过程中,高熔点的杂质钽很难从铝锭中去除,对蒸镀过程产生影响,需明确钽对铝锭的作用形式。针对电子束加热蒸镀后的含钽铝锭样品中钽的存在形式进行研究,利用扫描电子显微镜、X射线衍射仪、俄歇电子能谱仪进行微观形貌、表面物相、微区成分分析,着重对俄歇电子能谱测试过程中样品制备与处理对结果的影响进行讨论。结果表明:钽在铝锭中以Al_(3)Ta及单质形式存在;俄歇电子能谱结果受表面状态影响明显,必要时需结合氩离子溅射技术进行表面清洁。

角分布俄歇显微术──俄歇电子能谱的新进展

综述了俄歇电子能谱的新进展──角分布俄歇显微术。测量和展示俄歇电子的全角分布可给出浅表面原子的影象，借此可对样品表面原子、分子结构进行表征。理论认为这种原子形象是浅表面原子受较深层原子发射俄歇电子映照而成的，以Ｐｔ、Ｉ２为例，用相应理论教学模式模拟，所得结果和实验结果极相符合。角分布俄歇显微术在实践和理论上将俄歇电子能谱向前推进了一步。

俄歇电子谱术

介绍了俄歇电子谱术的某些基本问题。内容包括 :俄歇电子发射 ,表面灵敏性 ,俄歇电子谱的测量 ,定性和定量分析 ,深度剖析等。最后介绍了三种俄歇谱仪的功能扩展 ,功函数测量 。

俄歇效应和表面结构分析

俄歇电子谱仪广泛地利用来确定固体表面的化学和电子结构(40 A)。这篇文章详细地讨论了利用俄歇电子谱仪分析表面结构的方法。给出了俄歇表面结构分析的许多应用。1.俄歇效应,提出可采用的俄歇效应有:(1)俄歇表面效应,(2)俄歇峰宽和化学效应,(3)俄歇复合,(4)俄歇电子结构效应和俄歇表面态效应。2.俄歇表面结构分析。3.俄歇表面电子结构研究。4.俄歇表面态和界面态研究。5.俄歇复合和h_(EF)参量的研究。6.讨论。

类硼S离子K壳层激发共振态的辐射和俄歇跃迁

采用多组态鞍点变分方法计算了类硼S离子K壳层激发共振态1s2s22p2, 1s2s2p3, 1s2p4 2,4L(L=S, P,D)的非相对论能量和波函数,利用截断变分方法饱和波函数空间,改进体系的非相对论能量.利用微扰理论计算了相对论修正和质量极化效应,利用屏蔽的类氢公式计算了QED (quantum electrodynamics)效应和高阶相对论修正.进一步,考虑闭通道和开通道相互作用,计算了由俄歇共振效应引起的能级移动,从而得到了共振态的精确相对论能级.利用优化的波函数,计算了类硼S离子K壳层激发共振态的电偶极辐射跃迁的线强度、振子强度、跃迁率和跃迁波长.计算的振子强度和辐射跃迁率均给出了长度规范、速度规范、加速度规范的结果.三种规范结果的一致性表明了本文计算的波函数是足够精确的.利用鞍点复数转动方法计算了类硼S离子K壳层激发共振态的俄歇跃迁率、俄歇分支率和俄歇电子能量.本文的计算结果与其他文献数据符合较好.

镀膜玻璃层结构及成分的俄歇电子能谱分析

利用俄歇电子能谱仪测试了一种镀膜玻璃的表面层成分 ,并利用深度剖析的方法测试分析了其镀膜层的结构 ,估算了镀膜层的厚度。

类锂离子内壳激发态的能量、俄歇宽度和俄歇分支率（英文）

采用鞍点变分方法和鞍点复数转动方法并考虑相对论修正和质量极化效应,计算了类锂离子内壳激发态的能量、俄歇宽度、俄歇分支率和俄歇电子能量.进一步采用截断变分方法饱和空间波函数.计算结果与其他理论结果以及实验数据符合得很好.

俄歇效应及其应用

用可见光光子可以从金属或半导体击出光电子,如果使用高能光子或电子,则能从原子的内壳层或固体的深层能带击出光电子。1925年法国人俄歇(M·P·Auger)在威尔逊云雾室中用 x

X射线诱导俄歇电子能谱(XAES)的应用

简要介绍X射线诱导俄歇电子能谱(XAES)用于化学分析的一般性理论。XAES可与X射线光电子能谱(XPS)一起用于元素化学态分析。但是XAES分析有其优势,(1)俄歇参数与荷电位移无关,结果无需荷电校准就可用于价态分析;(2)在一些涉及过渡元素和重元素物质的价态分析时,XAES峰化学位移大于XPS峰;(3)对于分析一些轻元素(如K、Mg、Al等),XAES峰比某些XPS峰有更高的灵敏度。因而,XAES可弥补XPS分析的某些不足,可方便、有效地表征元素价态。通过实例,介绍XAES在这3个方面的实际应用。

铈卤氧化物的ESCA表征（Ⅱ）──Ce的M_5N_（45）N_（45）俄歇峰

研究了ＸＰＳ诱导的ＣｅＭ５Ｎ４５Ｎ４５俄歇峰，由于其终态空穴处于芯能级，故俄歇峰有较好的分辨率。从ＣｅＭ５Ｎ４５Ｎ４５的俄歇峰可获得中心离子Ｃｅ的电子云密度等信息，发现其俄歇参数与配位体的极化变形程度有关，从而解释了双烯烃定向聚合必须有稀土卤氧键存在的原因。

类铍离子内壳激发态1s2p^(33)P0、~3D^0及2s2p^(33)D^0的俄歇宽度和俄歇分支率

采用鞍点变分方法和鞍点复数转动方法并考虑相对论修正和质量极化效应,计算了类铍离子内壳激发态1s2p3 3P0、3D0和内壳双激发态2s2p3 3D0的俄歇宽度、俄歇分支率和俄歇电子能量.同时还对1s22p2 3Pe态到1s2p3 3P0、3D0态(Z=4~10)的振子强度和辐射跃迁率进行了计算,计算结果与其他理论结果以及实验数据符合得很好.

“俄歇电子”带来的启示

有这样一道试题:原子从一个能级跃迁到一个较低能级时,有可能不发射光子,例如在某种条件下,铬原子的n=2能级上的电子跃迁到n=1能级上时并不发射光子,而是将相应的能量转交给n=4能级上的电子,使之能脱离原子,这一现象叫作"俄歇效应".

金属铀与铝薄膜界面的俄歇电子能谱研究

以磁控溅射沉积方法 ,采用循环氩离子轰击镀和未循环轰击镀工艺在金属铀上制备了铝薄膜。俄歇电子能谱分析结果表明 :循环氩离子轰击镀获得的铝薄膜和铀基体的界面扩散比未循环轰击镀的显著增强 ,且界面发生化学反应 ,生成了UAl3和Al2 O3相。

俄歇电子能谱仪在材料分析中的应用

俄歇电子能谱仪(AES)是建立在电子技术、弱信号检测技术和超高真空技术基础上的一种研究材料表面组成元素的新型分析仪器。本文介绍了俄歇电子能谱技术的基本原理、技术发展和样品制备技术,重点介绍了俄歇电子能谱仪在材料分析(失效分析、表面分析、微区分析等)方面的应用。俄歇电子能谱仪在材料表面性质研究方面,有着不可替代的作用。

Ti/莫来石陶瓷界面反应的俄歇电子能谱研究

在２００℃抛光的莫来石陶瓷衬底上用电子束蒸发２００ｎｍ的Ｔｉ膜，并在高真空中退火．首次利用俄歇电子能谱（ＡＥＳ）和Ｘ射线衍射分析（ＸＲＤ），研究了从２００～８５０℃Ｔｉ与莫来石的固相界面反应，并用热力学解释了实验结果．结果表明，在淀积过程中，最初淀积的Ｔｉ与衬底表面的氧形成Ｔｉ－Ｏ键，界面区很窄；４５０℃退火１ｈ后，有少量元素态Ａｌ、Ｓｉ原子析出，界面区有所展宽，但变化不大；６５０℃退火１ｈ后，界面发生强烈反应，有ＴｉＯ和Ｔｉ－Ａｌ、Ｔｉ－Ｓｉ化合物生成．８５０℃退火１ｈ后，除上述反应产物外又生成了Ｔｉ２Ｏ．

因子分析技术在铀与CO,O_2反应俄歇分析中的运用

运用因子分析技术和Multipak软件中的TFA功能对铀分别在CO和O2气氛中的俄歇谱进行了处理。分析表明,因子分析方法能有效地解决C(KLL)和U(LMM)俄歇峰中的重峰问题,并能从原始数据中剥离出纯组元;同时还清楚地表明,铀与CO在300℃作用1 h后,在其表面形成了铀的碳化物(或碳氧化物);对铀在低压氧气中的氧化反应,用因子分析技术获得了金属态和氧化态的铀元素随氧气暴露剂量的变化情况,清楚地显示了氧化膜生长的3个阶段。

PECVD法低温形成SiO_xN_y介质膜的俄歇电子能谱和红外吸收光谱分析

采用俄歇电子能谱和红外吸收光谱分析PECVD法低温形成SiOxNy薄介质膜的微观组分及其与制膜工艺间关系,通过椭圆偏振技术测试该薄膜的物理光学性能。

铀铌合金真空热氧化膜的俄歇电子能谱研究

用俄歇电子能谱(AES)研究了高真空下,环境温度对铀铌合金真空氧化膜的影响。当温度高于603K时,氧化膜表面结构发生明显改变,表面主要由铀碳化合物、金属态的U和Nb组成。利用Ar+溅射铀铌合金真空热氧化膜进行深度分布分析,发现在热氧化膜的表面氧含量很小,而在热氧化膜的内部有氧增多的现象。