铈卤氧化物的ESCA表征（Ⅱ）──Ce的M_5N_（45）N_（45）俄歇峰

研究了ＸＰＳ诱导的ＣｅＭ５Ｎ４５Ｎ４５俄歇峰，由于其终态空穴处于芯能级，故俄歇峰有较好的分辨率。从ＣｅＭ５Ｎ４５Ｎ４５的俄歇峰可获得中心离子Ｃｅ的电子云密度等信息，发现其俄歇参数与配位体的极化变形程度有关，从而解释了双烯烃定向聚合必须有稀土卤氧键存在的原因。

不同阳极靶材上GaN半导体材料的XPS分析

在X射线光电子能谱(XPS)分析表征样品时,经常会出现俄歇峰与其他元素特征峰干扰的现象,影响谱峰的拟合与分析。本文以GaN半导体材料为例,分别采用单色Al靶、单色Ag靶、双阳极Mg靶作为X射线源进行表征,得到GaN材料中各元素精细谱,分析发现常用的Mg靶和Al靶为X射线源时,Ga LMM俄歇峰与N 1s峰互相重叠的问题,影响了N 1s能谱的准确解析,而高能Ag靶为X射线源时,上述二峰完全分离,有利于N 1s的谱峰的准确分析。

RF磁控溅射法在Si衬底上生长ZnO薄膜界面的XPS研究

采用 RF磁控溅射方法在 Si衬底上生长 Zn O薄膜 . XRD测量结果表明 ,Zn O薄膜为 c轴择优取向生长的 .对 Zn O薄膜进行了 XPS深度剖析及测试 .测试结果表明 ,在未达到界面时 Zn O均符合正化学计量比 ,是均匀的单相膜 ,表明该方法具有较好的成膜特性 .在界面处 ,Zn的俄歇修正型的化学位移及俄歇峰峰型的变化、 Zn2 p3/2 与 Zn LMM峰积分面积比值的变化、 Si2 p峰的非对称性 ,均表明 Si与 Zn O的界面处有明显的成键作用 .在界面处 ,n型 Si反型为 p型 .