角分布俄歇显微术──俄歇电子能谱的新进展

综述了俄歇电子能谱的新进展──角分布俄歇显微术。测量和展示俄歇电子的全角分布可给出浅表面原子的影象，借此可对样品表面原子、分子结构进行表征。理论认为这种原子形象是浅表面原子受较深层原子发射俄歇电子映照而成的，以Ｐｔ、Ｉ２为例，用相应理论教学模式模拟，所得结果和实验结果极相符合。角分布俄歇显微术在实践和理论上将俄歇电子能谱向前推进了一步。

镀膜玻璃层结构及成分的俄歇电子能谱分析

利用俄歇电子能谱仪测试了一种镀膜玻璃的表面层成分 ,并利用深度剖析的方法测试分析了其镀膜层的结构 ,估算了镀膜层的厚度。

俄歇电子谱术

介绍了俄歇电子谱术的某些基本问题。内容包括 :俄歇电子发射 ,表面灵敏性 ,俄歇电子谱的测量 ,定性和定量分析 ,深度剖析等。最后介绍了三种俄歇谱仪的功能扩展 ,功函数测量 。

金属铀与铝薄膜界面的俄歇电子能谱研究

以磁控溅射沉积方法 ,采用循环氩离子轰击镀和未循环轰击镀工艺在金属铀上制备了铝薄膜。俄歇电子能谱分析结果表明 :循环氩离子轰击镀获得的铝薄膜和铀基体的界面扩散比未循环轰击镀的显著增强 ,且界面发生化学反应 ,生成了UAl3和Al2 O3相。

Ti/莫来石陶瓷界面反应的俄歇电子能谱研究

在２００℃抛光的莫来石陶瓷衬底上用电子束蒸发２００ｎｍ的Ｔｉ膜，并在高真空中退火．首次利用俄歇电子能谱（ＡＥＳ）和Ｘ射线衍射分析（ＸＲＤ），研究了从２００～８５０℃Ｔｉ与莫来石的固相界面反应，并用热力学解释了实验结果．结果表明，在淀积过程中，最初淀积的Ｔｉ与衬底表面的氧形成Ｔｉ－Ｏ键，界面区很窄；４５０℃退火１ｈ后，有少量元素态Ａｌ、Ｓｉ原子析出，界面区有所展宽，但变化不大；６５０℃退火１ｈ后，界面发生强烈反应，有ＴｉＯ和Ｔｉ－Ａｌ、Ｔｉ－Ｓｉ化合物生成．８５０℃退火１ｈ后，除上述反应产物外又生成了Ｔｉ２Ｏ．

俄歇电子能谱仪在材料分析中的应用

俄歇电子能谱仪(AES)是建立在电子技术、弱信号检测技术和超高真空技术基础上的一种研究材料表面组成元素的新型分析仪器。本文介绍了俄歇电子能谱技术的基本原理、技术发展和样品制备技术,重点介绍了俄歇电子能谱仪在材料分析(失效分析、表面分析、微区分析等)方面的应用。俄歇电子能谱仪在材料表面性质研究方面,有着不可替代的作用。

PECVD法低温形成SiO_xN_y介质膜的俄歇电子能谱和红外吸收光谱分析

采用俄歇电子能谱和红外吸收光谱分析PECVD法低温形成SiOxNy薄介质膜的微观组分及其与制膜工艺间关系,通过椭圆偏振技术测试该薄膜的物理光学性能。

铀铌合金真空热氧化膜的俄歇电子能谱研究

用俄歇电子能谱(AES)研究了高真空下,环境温度对铀铌合金真空氧化膜的影响。当温度高于603K时,氧化膜表面结构发生明显改变,表面主要由铀碳化合物、金属态的U和Nb组成。利用Ar+溅射铀铌合金真空热氧化膜进行深度分布分析,发现在热氧化膜的表面氧含量很小,而在热氧化膜的内部有氧增多的现象。

俄歇电子能谱仪在氧化铜定量分析中的应用

将基体效应修正引入到俄歇电子能谱仪定量分析中,基于Monte Carlo模拟和TPP-2M模型进行了氧化铜样品中各元素背散射因子和非弹性平均自由程的计算,对氧化铜标样在相同条件下重复10次进行俄歇能谱试验。将修正因子引入到氧化铜标样的俄歇定量分析中,基体效应修正后,氧化铜中各元素含量的相对误差大大减小,俄歇定量分析的精确度有很大提高。

俄歇电子谱学在地球化学中的应用

俄歇电子谱（ＡＥＳ）在研究ｎｍ厚度表面层物质的主量和微量元素组成有广泛用途。ＡＥＳ可以观察到高放大倍率的表面组构和形貌，其极端表面灵敏度、极好的侧向分辨率使它能够在μｍ尺度上对矿物表面不同的晶畴进行化学分析，证明在矿物单个表面上存在侧向不均一性。ＡＥＳ不仅在扫描模式下可检测痕量的二次相，也可用来分析直径在μｍ尺度的几个ｎｍ厚度的产物，同样ＡＥＳ在测定热爆低盐度流体包裹体极薄的盐膜时也显示出独特的能力。ＡＥＳ最有潜力的地质应用是可以在侧向分辨率为μｍ级时得到ｎｍ尺度上的深度剖面。用ＡＥＳ得到的深度剖面对于研究化学风化作用是很重要的，因为它们直接提供了反应随深度的变化规律。俄歇谱结合ＸＰＳ研究提供对矿物流体界面输运机制的研究方法和矿物流体之间的反应机制。

Ti/Al_2O_3界面反应的俄歇电子能谱研究

用俄歇电子能谱详细研究了Ti／Al2O3的界面反应。通过观察Ti的L23M23M45，L23M23M23及Al的LVV俄歇发射强度、峰形及位置随深度变化，研究Ti－O，Al－O，Ti－Al等价键结合状态，同时考虑Al不同化合态俄歇峰的化学位移。选取特征峰，进行Auger深度分析。实验表明室温下Ti／Al2O3的界面已发生反应，Al—O键被还原，元素Al在界面析出。仅在600℃以上退火样品中存在Ti—A1价键结合状态。原子浓度分布曲线显示界面反应区域随退火温度增加而变宽变高。850℃时曲线上已形成平台。平台区的成分（原子百分浓度）为53％Ti，32％Al，约12％O。界面反应产物由Ti3Al，Al与固溶O组成，同时XRD分析在850℃样品上观察到了Ti3Al相的衍射线。

俄歇电子能谱的数据分析系统和设计考虑

本文介绍一种由微机控制、操作简便的俄歇电子能谱(AES)数据分析系统,及其设计考虑。谱图既可直接显示,也可打印输出,从而把成本降到最低限度。此外,软件全部采用FORTRAN语言和汇编语言混合编程,不仅提高了速度,也提供了各种强有力的图形功能。

In_xGa_(1-x)As的俄歇电子谱定量分析

采用As元素作为内标对分子束外延生长In_xGa_(1-x)As进行定量俄歇分析。实验测定了元素相对灵敏度因子、基体修正因子和离子溅射修正因子,给出一个定量修正公式。检测结果与电子探针、X射线双晶衍射和手册灵敏度因子法等结果进行了比较。

发射俄歇电子核素靶向治疗应用研究

俄歇电子的细胞毒性作用及其在靶向内放射治疗中的应用，特别是对１２５Ｉ及１２５Ｉ标记的碘苷（ＩＵｄＲ）的长期研究，使人们对这一领域的认识有了突破性进展。国际原子能机构（ＩＡＥＡ）于１９７６年启动了国际合作攻关项目，以研究１２５ＩＵｄＲ治疗人类肿瘤的机...

俄歇电子能谱数据采集和处理

本文介绍了微型计算机与俄歇电子能谱仪的接口软硬件及在微机控制下得到的铜样品的俄歇电子能谱,讨论了一次束流、调制电压等实验参数对谱图质量的影响,并总结出最佳实验条件。文中还着重研究了平均法、光滑样条法、积分、微分、卷积及去卷积等数值方法在谱线平滑化、本底扣除和峰形恢复等方面的作用,并建立了一整套俄歇谱线数据处理的算法及程序。作为一个实例,文中还介绍了实测铜峰的峰形恢复过程及结果。

Al_xGa_(1-x)As的俄歇电子谱定量分析

用手册提供的元素相对灵敏度因子,将基体效应修正和离子溅射效应的修正用于Al_xGa_(1-x)As的俄歇电子谱(AES)定量分析获得了比较满意的结果.在这种方法中避免了采用As为内标的内标法时测量元素相对灵敏度因子方面的不足.文中就文献给出的相对灵敏度因子及其离子溅射修正因子之间的差别进行了讨论.

利用俄歇电子能谱确定Au-Cu系统的互扩散系数及晶界扩散系数

本文利用俄歇电子能谱(PHI-550)测得了经过不同时间间隔热处理的Au-Cu系统中铜在金薄膜内的浓度剖面。根据铜的浓度斟面及Hall公式,我们使用了两种方法——“中心梯度法”及“平坦区上升法”计算出Au-Cu系统的互扩散系数以及晶界扩散系数。本文还对上述计算结果进行了讨论。

俄歇电子能谱定量分析方法及其在Ni_3Al中的应用

基于相对灵敏度因子,提出了一个无需直接借助于标样的含基体效应修正的俄联定量计算方法.为保证该方法的实用有效性,两个必要条件是测量数据的统计重复性好以及对合金电化学状态敏感的修正因子的恰当选择.作者用此法成功地进行了Ni_(76)Al_(24)和Ni_(76)Al_(24)-B两种合金的定量分析.

俄歇电子能谱分析方法及其应用

国内从1980年开始引进了多台俄歇电子能谱分析仪器。为了让从事电子材料及元器件科研和生产方面的科技人员了解这种分析方法的工作原理、仪器结构和具体应用,在工作中及时地应用这种方法,本文拟就上述几个方面作一些简要的介绍。