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题名X光电子能谱分析中光电子峰和俄歇峰的干扰及消除
被引量:3
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作者
吴正龙
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机构
北京师范大学分析测试中心
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出处
《分析测试学报》
CAS
CSCD
北大核心
2005年第3期45-47,共3页
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基金
国家自然科学基金资助项目(10244007)
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文摘
X光电子能谱(XPS)在分析多元素材料时,光电子峰可能受到其它元素俄歇谱的干扰。在AlKα激发CrZnSi合金样品时,光电子峰Cr2p和俄歇峰ZnLMM相互干扰,而换用双阳极中的MgKα源激发,虽可消除此相互干扰,但样品表面的C1s和N1s又会受到ZnLMM干扰。类似地,AlKα激发的GaN样品中N1s受俄歇峰GaLMM的严重干扰,而换用MgKα源激发时,C1s峰又受到的GaLMM的干扰。交替使用Mg/Al双阳极激发源,可改变XPS分析中的俄歇谱及其背景对光电子峰的干扰位置,并用未受干扰的峰互相校正2组谱图能量位置,以对样品谱峰作出正确的分析。
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关键词
XPS
光电子峰
俄歇电子峰
CrZnSi合金
GAN
双阳极X射线源
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Keywords
XPS
Photoelectron peak
Auger electron peak
CrZnSi alloy
GaN
Twin anode X-ray source
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分类号
O766.3
[理学—晶体学]
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