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X光电子能谱分析中光电子峰和俄歇峰的干扰及消除 被引量:3
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作者 吴正龙 《分析测试学报》 CAS CSCD 北大核心 2005年第3期45-47,共3页
X光电子能谱(XPS)在分析多元素材料时,光电子峰可能受到其它元素俄歇谱的干扰。在AlKα激发CrZnSi合金样品时,光电子峰Cr2p和俄歇峰ZnLMM相互干扰,而换用双阳极中的MgKα源激发,虽可消除此相互干扰,但样品表面的C1s和N1s又会受到ZnLMM... X光电子能谱(XPS)在分析多元素材料时,光电子峰可能受到其它元素俄歇谱的干扰。在AlKα激发CrZnSi合金样品时,光电子峰Cr2p和俄歇峰ZnLMM相互干扰,而换用双阳极中的MgKα源激发,虽可消除此相互干扰,但样品表面的C1s和N1s又会受到ZnLMM干扰。类似地,AlKα激发的GaN样品中N1s受俄歇峰GaLMM的严重干扰,而换用MgKα源激发时,C1s峰又受到的GaLMM的干扰。交替使用Mg/Al双阳极激发源,可改变XPS分析中的俄歇谱及其背景对光电子峰的干扰位置,并用未受干扰的峰互相校正2组谱图能量位置,以对样品谱峰作出正确的分析。 展开更多
关键词 XPS 电子 俄歇电子峰 CrZnSi合金 GAN 双阳极X射线源
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