X射线诱导俄歇电子能谱(XAES)的应用

简要介绍X射线诱导俄歇电子能谱(XAES)用于化学分析的一般性理论。XAES可与X射线光电子能谱(XPS)一起用于元素化学态分析。但是XAES分析有其优势,(1)俄歇参数与荷电位移无关,结果无需荷电校准就可用于价态分析;(2)在一些涉及过渡元素和重元素物质的价态分析时,XAES峰化学位移大于XPS峰;(3)对于分析一些轻元素(如K、Mg、Al等),XAES峰比某些XPS峰有更高的灵敏度。因而,XAES可弥补XPS分析的某些不足,可方便、有效地表征元素价态。通过实例,介绍XAES在这3个方面的实际应用。

俄歇电子谱仪(AES)在天然风化普通角闪石研究中的应用

用俄歇电子谱仪对天然风化普通角冈石头表面化学进广了分析研究.AES具有很高的空问分辨率和进行深度截面分析的功能,从而能对亚微米级深度区间中的微米级面积中的阳离子相对浓度变化进行测定.所获数据表明,在化学风化过程中有如特征:(1)在12×10^(-8)m厚度范围内表面化学特征存在系统的变化;(2)并未发生表面层阳离子耗尽现象;(3)不同组分以不同程度渗漏到不同深度;(4)并不一定生成粘土或蒙脱石新的矿物相、非稳态扩散模型与这些数据最为吻合.

金属铀与铝薄膜界面的俄歇电子能谱研究

以磁控溅射沉积方法 ,采用循环氩离子轰击镀和未循环轰击镀工艺在金属铀上制备了铝薄膜。俄歇电子能谱分析结果表明 :循环氩离子轰击镀获得的铝薄膜和铀基体的界面扩散比未循环轰击镀的显著增强 ,且界面发生化学反应 ,生成了UAl3和Al2 O3相。

Ti/莫来石陶瓷界面反应的俄歇电子能谱研究

在２００℃抛光的莫来石陶瓷衬底上用电子束蒸发２００ｎｍ的Ｔｉ膜，并在高真空中退火．首次利用俄歇电子能谱（ＡＥＳ）和Ｘ射线衍射分析（ＸＲＤ），研究了从２００～８５０℃Ｔｉ与莫来石的固相界面反应，并用热力学解释了实验结果．结果表明，在淀积过程中，最初淀积的Ｔｉ与衬底表面的氧形成Ｔｉ－Ｏ键，界面区很窄；４５０℃退火１ｈ后，有少量元素态Ａｌ、Ｓｉ原子析出，界面区有所展宽，但变化不大；６５０℃退火１ｈ后，界面发生强烈反应，有ＴｉＯ和Ｔｉ－Ａｌ、Ｔｉ－Ｓｉ化合物生成．８５０℃退火１ｈ后，除上述反应产物外又生成了Ｔｉ２Ｏ．

PECVD法低温形成SiO_xN_y介质膜的俄歇电子能谱和红外吸收光谱分析

采用俄歇电子能谱和红外吸收光谱分析PECVD法低温形成SiOxNy薄介质膜的微观组分及其与制膜工艺间关系,通过椭圆偏振技术测试该薄膜的物理光学性能。

铀铌合金真空热氧化膜的俄歇电子能谱研究

用俄歇电子能谱(AES)研究了高真空下,环境温度对铀铌合金真空氧化膜的影响。当温度高于603K时,氧化膜表面结构发生明显改变,表面主要由铀碳化合物、金属态的U和Nb组成。利用Ar+溅射铀铌合金真空热氧化膜进行深度分布分析,发现在热氧化膜的表面氧含量很小,而在热氧化膜的内部有氧增多的现象。

俄歇电子能谱的数据分析系统和设计考虑

本文介绍一种由微机控制、操作简便的俄歇电子能谱(AES)数据分析系统,及其设计考虑。谱图既可直接显示,也可打印输出,从而把成本降到最低限度。此外,软件全部采用FORTRAN语言和汇编语言混合编程,不仅提高了速度,也提供了各种强有力的图形功能。

In_xGa_(1-x)As的俄歇电子谱定量分析

采用As元素作为内标对分子束外延生长In_xGa_(1-x)As进行定量俄歇分析。实验测定了元素相对灵敏度因子、基体修正因子和离子溅射修正因子,给出一个定量修正公式。检测结果与电子探针、X射线双晶衍射和手册灵敏度因子法等结果进行了比较。

Ti/Al_2O_3界面反应的俄歇电子能谱研究

用俄歇电子能谱详细研究了Ti／Al2O3的界面反应。通过观察Ti的L23M23M45，L23M23M23及Al的LVV俄歇发射强度、峰形及位置随深度变化，研究Ti－O，Al－O，Ti－Al等价键结合状态，同时考虑Al不同化合态俄歇峰的化学位移。选取特征峰，进行Auger深度分析。实验表明室温下Ti／Al2O3的界面已发生反应，Al—O键被还原，元素Al在界面析出。仅在600℃以上退火样品中存在Ti—A1价键结合状态。原子浓度分布曲线显示界面反应区域随退火温度增加而变宽变高。850℃时曲线上已形成平台。平台区的成分（原子百分浓度）为53％Ti，32％Al，约12％O。界面反应产物由Ti3Al，Al与固溶O组成，同时XRD分析在850℃样品上观察到了Ti3Al相的衍射线。

俄歇电子谱学在地球化学中的应用

俄歇电子谱（ＡＥＳ）在研究ｎｍ厚度表面层物质的主量和微量元素组成有广泛用途。ＡＥＳ可以观察到高放大倍率的表面组构和形貌，其极端表面灵敏度、极好的侧向分辨率使它能够在μｍ尺度上对矿物表面不同的晶畴进行化学分析，证明在矿物单个表面上存在侧向不均一性。ＡＥＳ不仅在扫描模式下可检测痕量的二次相，也可用来分析直径在μｍ尺度的几个ｎｍ厚度的产物，同样ＡＥＳ在测定热爆低盐度流体包裹体极薄的盐膜时也显示出独特的能力。ＡＥＳ最有潜力的地质应用是可以在侧向分辨率为μｍ级时得到ｎｍ尺度上的深度剖面。用ＡＥＳ得到的深度剖面对于研究化学风化作用是很重要的，因为它们直接提供了反应随深度的变化规律。俄歇谱结合ＸＰＳ研究提供对矿物流体界面输运机制的研究方法和矿物流体之间的反应机制。

俄歇电子能谱仪在氧化铜定量分析中的应用

将基体效应修正引入到俄歇电子能谱仪定量分析中,基于Monte Carlo模拟和TPP-2M模型进行了氧化铜样品中各元素背散射因子和非弹性平均自由程的计算,对氧化铜标样在相同条件下重复10次进行俄歇能谱试验。将修正因子引入到氧化铜标样的俄歇定量分析中,基体效应修正后,氧化铜中各元素含量的相对误差大大减小,俄歇定量分析的精确度有很大提高。

Al_xGa_(1-x)As的俄歇电子谱定量分析

用手册提供的元素相对灵敏度因子,将基体效应修正和离子溅射效应的修正用于Al_xGa_(1-x)As的俄歇电子谱(AES)定量分析获得了比较满意的结果.在这种方法中避免了采用As为内标的内标法时测量元素相对灵敏度因子方面的不足.文中就文献给出的相对灵敏度因子及其离子溅射修正因子之间的差别进行了讨论.

俄歇电子能谱定量分析方法及其在Ni_3Al中的应用

基于相对灵敏度因子,提出了一个无需直接借助于标样的含基体效应修正的俄联定量计算方法.为保证该方法的实用有效性,两个必要条件是测量数据的统计重复性好以及对合金电化学状态敏感的修正因子的恰当选择.作者用此法成功地进行了Ni_(76)Al_(24)和Ni_(76)Al_(24)-B两种合金的定量分析.

角分布俄歇显微术──俄歇电子能谱的新进展

综述了俄歇电子能谱的新进展──角分布俄歇显微术。测量和展示俄歇电子的全角分布可给出浅表面原子的影象，借此可对样品表面原子、分子结构进行表征。理论认为这种原子形象是浅表面原子受较深层原子发射俄歇电子映照而成的，以Ｐｔ、Ｉ２为例，用相应理论教学模式模拟，所得结果和实验结果极相符合。角分布俄歇显微术在实践和理论上将俄歇电子能谱向前推进了一步。

俄歇电子能谱分析方法及其应用

国内从1980年开始引进了多台俄歇电子能谱分析仪器。为了让从事电子材料及元器件科研和生产方面的科技人员了解这种分析方法的工作原理、仪器结构和具体应用,在工作中及时地应用这种方法,本文拟就上述几个方面作一些简要的介绍。

TIN_x薄膜的特性和俄歇电子能谱分析

采用不同工艺，在Ｆｅ基上气相沉积ＴＩＮｘ薄膜。通过扫描电镜，划痕仪，俄歇电子能谱，粘着力测量仪的观测，分析和计算，给出了膜的形貌，组份，光学特性和力学特性。发现随着ＴＩＮｘ膜中组分及其氧含量的变化，膜的颜色，粘着力，ＴＩＮｘ膜的均匀性都发生显著的变化。本文还采用一种与文献不同的方法，较为简便地处理了俄歇谱中Ｔｉ和Ｎ峰的重造现象。

俄歇电子谱术

介绍了俄歇电子谱术的某些基本问题。内容包括 :俄歇电子发射 ,表面灵敏性 ,俄歇电子谱的测量 ,定性和定量分析 ,深度剖析等。最后介绍了三种俄歇谱仪的功能扩展 ,功函数测量 。

MBE生长氮化镓薄膜的X光电子谱和俄歇电子谱分析(英文)

用X光电子谱和俄歇电子能谱的方法对射频等离子体辅助分子束外延 (MBE)技术生长的氮化镓(GaN)薄膜进行了表面分析和深度剖析。发现薄膜实际表面存在O和C吸附层 ,C主要为表面污染 ,而O形成一定的深度分布 ,从而影响氮化镓薄膜的电学和光学性质。