俄歇电子谱学在地球化学中的应用

俄歇电子谱（ＡＥＳ）在研究ｎｍ厚度表面层物质的主量和微量元素组成有广泛用途。ＡＥＳ可以观察到高放大倍率的表面组构和形貌，其极端表面灵敏度、极好的侧向分辨率使它能够在μｍ尺度上对矿物表面不同的晶畴进行化学分析，证明在矿物单个表面上存在侧向不均一性。ＡＥＳ不仅在扫描模式下可检测痕量的二次相，也可用来分析直径在μｍ尺度的几个ｎｍ厚度的产物，同样ＡＥＳ在测定热爆低盐度流体包裹体极薄的盐膜时也显示出独特的能力。ＡＥＳ最有潜力的地质应用是可以在侧向分辨率为μｍ级时得到ｎｍ尺度上的深度剖面。用ＡＥＳ得到的深度剖面对于研究化学风化作用是很重要的，因为它们直接提供了反应随深度的变化规律。俄歇谱结合ＸＰＳ研究提供对矿物流体界面输运机制的研究方法和矿物流体之间的反应机制。

In_xGa_(1-x)As的俄歇电子谱定量分析

采用As元素作为内标对分子束外延生长In_xGa_(1-x)As进行定量俄歇分析。实验测定了元素相对灵敏度因子、基体修正因子和离子溅射修正因子,给出一个定量修正公式。检测结果与电子探针、X射线双晶衍射和手册灵敏度因子法等结果进行了比较。

Al_xGa_(1-x)As的俄歇电子谱定量分析

用手册提供的元素相对灵敏度因子,将基体效应修正和离子溅射效应的修正用于Al_xGa_(1-x)As的俄歇电子谱(AES)定量分析获得了比较满意的结果.在这种方法中避免了采用As为内标的内标法时测量元素相对灵敏度因子方面的不足.文中就文献给出的相对灵敏度因子及其离子溅射修正因子之间的差别进行了讨论.

MBE生长氮化镓薄膜的X光电子谱和俄歇电子谱分析(英文)

用X光电子谱和俄歇电子能谱的方法对射频等离子体辅助分子束外延 (MBE)技术生长的氮化镓(GaN)薄膜进行了表面分析和深度剖析。发现薄膜实际表面存在O和C吸附层 ,C主要为表面污染 ,而O形成一定的深度分布 ,从而影响氮化镓薄膜的电学和光学性质。

俄歇电子谱术

介绍了俄歇电子谱术的某些基本问题。内容包括 :俄歇电子发射 ,表面灵敏性 ,俄歇电子谱的测量 ,定性和定量分析 ,深度剖析等。最后介绍了三种俄歇谱仪的功能扩展 ,功函数测量 。

氮化硅和氮氧化硅在俄歇电子谱分析中的电子束和离子束辐照效应

本文观察和测量了Si_3N_4和SiO_xN_y薄膜在俄歇电子谱(AES)分析中的电子束和离子束效应。结果表明在高束流密度电子束辐照下没有观察到任何损伤特征峰。延长辐照时间仅导致氧的解吸和Si、N讯号增加,最后达到一个稳定态。Si_3N_4和SiO_xN_y对离子辐照很容易造成损伤。但在高束流密度的电子束辐照下离子损伤的表面可以恢复。恢复程度与电子束流密度、束能、辐照时间和样品制备工艺有关。最后,本文对离子辐照损伤和恢复的机理进行了讨论。

用蒙特卡罗方法计算俄歇电子谱中的背散射因子

俄歇电子谱（AES）要成为样品定量分析的手段，必须考虑背散射电子与俄歇电子平均逃逸深度对俄歇电子产额的影响。本文提出一种对固体中低能电子背散射过程的简化模型，并进行蒙特卡罗计算机模拟研究，以确定背散射因子的方法，不仅可减少计算时间又能保持必要的精度，而且具有不依赖于实验测量误差的优点。以铜、银材料为实例，所得的背散射因子与文献报道相符，表明所采用的简化模型是合理的。

CVV俄歇电子谱的退自卷积计算

本文简述了对CVV俄歇电子谱峰退自卷积得到固体表面价带电子占有态密度(DOS)的方法。并讨论了退自卷积的算法,尤其是新的计算方法——下降法。采用这种方法对一些假想和实际的态密度分布函数进行了自卷积计算及其结果的逆计算——退自卷积。获得较fdLM法更为满意的结果。

俄歇电子谱的定量分析

俄歇电子谱定量分析的通常方法的准确度为±30%。为了提高准确度,用蒙特卡洛法计算电子背散射因子R,并将此因子用于定量分析。最后举了一个简单的例子说明新方法的应用。

因子分析法及其在俄歇电子谱研究中的应用

详述了因子分析法的基本原理和发展状况，并介绍了这种方法在俄歇电子谱研究领域中的应用现状。包括元素化学态的分析、ＡＥＳ深度剖析、ＡＥＳ定量研究等领域。实践证明因子分析法作为一种强有力的谱分解、技术，在表面分析的研究中具有广泛的应用前景。

俄歇电子谱仪(AES)在天然风化普通角闪石研究中的应用

用俄歇电子谱仪对天然风化普通角冈石头表面化学进广了分析研究.AES具有很高的空问分辨率和进行深度截面分析的功能,从而能对亚微米级深度区间中的微米级面积中的阳离子相对浓度变化进行测定.所获数据表明,在化学风化过程中有如特征:(1)在12×10^(-8)m厚度范围内表面化学特征存在系统的变化;(2)并未发生表面层阳离子耗尽现象;(3)不同组分以不同程度渗漏到不同深度;(4)并不一定生成粘土或蒙脱石新的矿物相、非稳态扩散模型与这些数据最为吻合.

MBE生长氮化镓薄膜的X光电子谱和俄歇电子谱分析

用X光电子谱和俄歇电子能谱的方法对射频等离子体辅助分子束外延(MBE)技术生长的氮化镓(GaN)薄膜进行了表面分析和深度剖析.发现薄膜实际表面存在O和C吸附层,C主要为表面污染,而O形成一定的深度分布,从而影响氮化镓薄膜的电学和光学性质.

俄歇电子谱仪在金属材料中的应用

一、引言 1967年L.A.Harris采用电子能量分布微分方法,使二次电子能量分布曲线上的俄歇峰同强大的本底和噪声区分开来,从此,俄歇电子谱(AES)成了一种有效的表面分析方法;1969年,因筒镜电子能量分析器应用于俄歇电子谱仪,进一步改善了仪器的分辨率、灵敏度和分析速度。进入七十年代以来,俄歇电子能谱已迅速地发展成为强有力的固体表面分析手段,并正在得到愈来愈广泛的应用。

光电材料的俄歇电子谱分析

俄歇电子能谱 (AES)是测定固体表面元素组分的分析技术。由于AES具有很高的空间分辨率和表面灵敏度 ,并可以通过离子束溅射刻蚀获得组分深度剖面分布 ,所以它在各种材料 ,特别是微电子材料、光电子材料和纳米薄膜材料的分析中应用广泛。

金属铀与铝薄膜界面的俄歇电子能谱研究

以磁控溅射沉积方法 ,采用循环氩离子轰击镀和未循环轰击镀工艺在金属铀上制备了铝薄膜。俄歇电子能谱分析结果表明 :循环氩离子轰击镀获得的铝薄膜和铀基体的界面扩散比未循环轰击镀的显著增强 ,且界面发生化学反应 ,生成了UAl3和Al2 O3相。

Ti/莫来石陶瓷界面反应的俄歇电子能谱研究

在２００℃抛光的莫来石陶瓷衬底上用电子束蒸发２００ｎｍ的Ｔｉ膜，并在高真空中退火．首次利用俄歇电子能谱（ＡＥＳ）和Ｘ射线衍射分析（ＸＲＤ），研究了从２００～８５０℃Ｔｉ与莫来石的固相界面反应，并用热力学解释了实验结果．结果表明，在淀积过程中，最初淀积的Ｔｉ与衬底表面的氧形成Ｔｉ－Ｏ键，界面区很窄；４５０℃退火１ｈ后，有少量元素态Ａｌ、Ｓｉ原子析出，界面区有所展宽，但变化不大；６５０℃退火１ｈ后，界面发生强烈反应，有ＴｉＯ和Ｔｉ－Ａｌ、Ｔｉ－Ｓｉ化合物生成．８５０℃退火１ｈ后，除上述反应产物外又生成了Ｔｉ２Ｏ．