上房沟钼矿辉钼矿俄歇能谱分析

通过扫描电镜分析和俄歇能谱分析对上房沟钼矿原矿、浮选精矿和浮选尾矿以及三道庄钼矿(易选矿)中辉钼矿进行了表面元素组成和微形貌研究。结果显示上房沟钼矿中辉钼矿表面呈陡峭阶梯状,且氧化强烈,而三道庄钼矿中辉钼矿表面平整,氧化较弱。综合分析认为上房沟钼矿中辉钼矿陡峭阶梯状表面会增加其表面极性面的比重;表面氧化会增加辉钼矿表面非极性面的表面能,改变其表面疏水性。两者都会降低辉钼矿的可浮性。因此上房沟钼矿中辉钼矿表面氧化程度高、表面不平整是影响其浮选效果的主要因素之一。

高性能陶瓷材料的俄歇能谱分析

降低陶瓷材料表面电荷的积累一直是俄歇分析技术能否成功应用于该类材料必须解决的首要问题，通过实验认为：陶瓷材料试样减薄法可以用来降低表面电荷．采用这种方法，样品可分析区域大小仅依赖于电子束斑尺寸．因而，用 Ｍｉｃｒｏｌａｂ ３１０－Ｆ热场发射扫描俄歇微探针分析仪能在几十纳米的微区内，获取结构信息和除氢氦外的化学成分信息，突破了陶瓷材料在低电压、低电流下约几十微米的分析范围．在此基础上，挑选了掺Ｄｙ的α－Ｓｉａｌｏｎ，掺Ｙ、Ｌａ的α－Ｓｉ３Ｎ４与以Ａｌ２Ｏ３为基体加入ＳｉＣ晶须，并通氮气氛处理的三种高性能陶瓷作为实验对象，分析和研究它们的晶粒、界面的成份、化学态和结构．发现α－Ｓｉ３Ｎ４和α－Ｓｉａｌｏｎ陶瓷中的 Ｓｉ（ＬＶＶ， ＫＬＬ）峰位都会向低能端漂移，峰位分别为：８４ｅＶ和 １６１３ｅＶ． Ｓｉ－Ｎ－Ｏ的结合态又使 Ｓｉ（ＬＶＶ）峰继续漂移到 ８０ｅＶ左右．掺Ｙ、 Ｌａ的α－Ｓｉ３Ｎ４的玻璃相区， Ｓｉ至少以两种或者两种以上的化学态存在．掺Ｄｙ的α－Ｓｉａｌｏｎ陶瓷的局部区域内有四种组分不同的固溶相及三种组分不同的晶间相．另外，在ＳｉＣ与ＳｉＣ－ＢＮ－Ｃ纤维补强复合陶瓷材料的断裂面，观察到从ＳｉＣ基体拔出的纤维表?

河南省栾川上房沟钼矿辉钼矿俄歇能谱分析及其选矿意义

俄歇电子能谱分析(AES)作为一种研究固体表面的有力工具,其对矿物表面性质的研究对于指导矿物浮选具有重要意义。然而其目前的研究主要集中在纳米薄膜技术、微电子技术和光电子技术领域(张录平等,2009)。在研究矿物表面性质及其对浮选过程的影响研究还鲜有报道。栾川上房沟钼矿矿区位于栾川县城西北。该矿山为共生滑石和伴生磁铁矿多金属复合钼矿床。

镀膜玻璃层结构及成分的俄歇电子能谱分析

利用俄歇电子能谱仪测试了一种镀膜玻璃的表面层成分 ,并利用深度剖析的方法测试分析了其镀膜层的结构 ,估算了镀膜层的厚度。

3YC25合金腐蚀表面的俄歇电子能谱分析

使用俄歇电子能谱分析技术对3YC25合金(Ni-Mo-W-Cu)的腐蚀表面膜进行了分析,发现在最外层表面膜中有高于基体含量的Cu存在;含Cu合金表面膜中的Mo含量比不含Cu的明显增加,并有较充裕的氧存在,这对于构成致密完整的氧化膜是有利的。分析结果认为,Cu的加入对提高Ni-Mo合金耐非氧化性酸类介质腐蚀能力提供了依据。

AES与计算机模拟技术研究Ce-P晶界共偏聚

用俄歇能谱分析(AES),结合计算机模拟技术研究稀土元素Ce与杂质元素P在铁中的晶界共偏聚规律。实验结果表明,在P含量较低的情况下,Ce有抑制P晶界偏聚的作用,而当P含量较高时,Ce却有促进P晶界偏聚的作用。计算机模拟结果表明,当晶界上P的偏聚量不同时,Ce原子与P原子在晶界形成的偏聚结构不同。Ce对P在晶界偏聚作用的改变主要是因为晶界偏聚的P浓度不同使Ce与P晶界共偏聚所形成的最低能量结构改变。

一种利用夹层Ta难熔金属提高NiSi薄膜热稳定性的新方法

本文首次给出了一种具有规律性的能用来提高镍硅化物热稳定性的方法.依据此方法,首次摸索出在Ni中掺入夹层金属Ta来提高NiSi硅化物的热稳定性.Ni/Ta/Ni/Si样品经600~800℃快速热退火后,薄层电阻率保持较小值,约2Ω/□.XRD衍射分析结果表明,在600~800℃快速热退火温度下形成的Ni（Ta）Si薄膜中只存在低阻NiSi相,而没有高阻NiSi2相生成,从而将NiSi薄膜的低阻温度窗口的上限从700℃提高到800℃,使形成高阻NiSi2相的最低温度提高到850℃.AES俄歇能谱,RBS卢瑟福背散射和AFM原子力显微镜分析表明,夹层金属层Ta在镍硅化反应中向表面移动,其峰值距离薄膜顶层2nm左右,在阻止氧原子参与镍硅化反应中起到很好的屏蔽层作用.Ni（Ta）Si薄膜中Ta与Ni的原子比约为2.1∶98,硅化物薄膜界面平整,均方根粗糙度仅为1.11nm.研制的高压Ni（Ta）Si/Si肖特基硅器件在650~800℃温度跨度范围内保留了与NiSi/Si肖特基相近的整流特性,因此Ni（Ta）Si硅化物在深亚微米集成电路制造中是一种令人满意的互连和接触材料.