类硼S离子K壳层激发共振态的辐射和俄歇跃迁

采用多组态鞍点变分方法计算了类硼S离子K壳层激发共振态1s2s22p2, 1s2s2p3, 1s2p4 2,4L(L=S, P,D)的非相对论能量和波函数,利用截断变分方法饱和波函数空间,改进体系的非相对论能量.利用微扰理论计算了相对论修正和质量极化效应,利用屏蔽的类氢公式计算了QED (quantum electrodynamics)效应和高阶相对论修正.进一步,考虑闭通道和开通道相互作用,计算了由俄歇共振效应引起的能级移动,从而得到了共振态的精确相对论能级.利用优化的波函数,计算了类硼S离子K壳层激发共振态的电偶极辐射跃迁的线强度、振子强度、跃迁率和跃迁波长.计算的振子强度和辐射跃迁率均给出了长度规范、速度规范、加速度规范的结果.三种规范结果的一致性表明了本文计算的波函数是足够精确的.利用鞍点复数转动方法计算了类硼S离子K壳层激发共振态的俄歇跃迁率、俄歇分支率和俄歇电子能量.本文的计算结果与其他文献数据符合较好.

TiN_x/TiSi_x双层结构的俄歇深度分析

TiN的俄歇分析十分困难。这主要是由于主N俄歇跃迁KL_(23)L_(23)(379eV)与Ti L_3M_(23)M_(23)(387eV)重叠的缘故。本文采用窄能量窗口选择和谱图叠减处理法精确的分析了TiN_X/TiSi_X双层结构中N的深度分布,同时给出了有关Ti/Si,Ti/SoO_2/Si在快速热退火后界面反应和产物的结果。

俄歇效应和表面结构分析

俄歇电子谱仪广泛地利用来确定固体表面的化学和电子结构(40 A)。这篇文章详细地讨论了利用俄歇电子谱仪分析表面结构的方法。给出了俄歇表面结构分析的许多应用。1.俄歇效应,提出可采用的俄歇效应有:(1)俄歇表面效应,(2)俄歇峰宽和化学效应,(3)俄歇复合,(4)俄歇电子结构效应和俄歇表面态效应。2.俄歇表面结构分析。3.俄歇表面电子结构研究。4.俄歇表面态和界面态研究。5.俄歇复合和h_(EF)参量的研究。6.讨论。

类铍离子双激发态能级和辐射及Auger跃迁率

用组态相互作用方法计算了类铍Ar^(14+)离子高双激发态能级结构及辐射和Auger跃迁率,发现与类氦离子的相应结果有所不同。结果表明这是由于类铍离子中的激发电子偏离了O(4)对称性的缘故。

洞态氩离子的退激发及末电离态离子分布的理论研究

在描述洞原子(或离子)退激发过程只考虑单俄歇跃迁和辐射跃迁的辐射-单俄歇级联退激发模型的基础上,进一步考虑了双俄歇跃迁的贡献,发展了辐射-单俄歇-双俄歇级联退激发模型.据此模型研究了Ar+(1s-1)(1s洞态氩离子)和Ar+(2s-1)(2s洞态氩离子)的退激发过程及末电离态离子的分布,获得了与实验相符的结果.