缺陷俘获势垒测定新方法──瞬态光霍耳谱

以瞬态光霍尔测量为基础，建立了直接观测俘获过程的深中心分析测试新手段．该方法不需要做肖特基结、ｐ－ｎ结、或ＭＩＳ结构，几乎可在零电场下测量缺陷参数，克服电场、德拜带尾、非指数瞬态等对缺陷特性的影响，也克服了深能级瞬态谱技术（ＤＬＴＳ）只能通过载流子发射过程间接测量俘获参数的缺点．用此方法测量了Ｇａ０．７Ａｌ０．

InAs自组织生长量子点的空穴俘获势垒

成功地用深能级瞬态谱（ＤＬＩＳ）研究了ｐ 型ＩｎＡｓ 自组织生长的量子点的电学性质，测得２．５ 原子层ＩｎＡｓ 量子点空穴基态能级在ＧａＡｓ 价带底上约０．０９ｅＶ，该量子点在荷电状态发生变化时需要克服一个势垒，俘获势垒高度为０．２６ｅＶ．本工作首次利用ＤＬＴＳ测定了量子点空穴的基态能级和俘获势垒。

InAs自组织生长量子点的电子俘获势垒

成功地用深能级瞬态谱（ＤＬＴＳ）研究了ＩｎＡｓ自组织生长的量子点电学性质，获得２．５原子层ＩｎＡｓ量子点电子基态能级在ＧａＡｓ导带底下约０．１３ｅＶ，该量子点在荷电状态发生变化时伴随有晶格弛豫，对应俘获势垒为０．３２ｅＶ．本工作也证明可以把量子点类比深中心进行研究．

AlGaAs∶Sn中DX中心电子俘获势垒的精细结构

采用定电容电压法 ,测量了n型Al0 2 6 Ga0 74 As∶Sn中DX中心电子热俘获瞬态 ,以及不同俘获时间后的电子热发射瞬态 ;并对瞬态数据进行数值Laplace变换 ,得到其Laplace缺陷谱 (LDS) .通过分析LDS谱 ,确定了电子热俘获和热发射LDS谱之间的对应关系 ,从而得到热俘获系数对温度依赖关系 ,以及与Sn相关的DX中心部分电子热俘获势垒的精细结构 ;通过第一原理赝势法计算表明 ,Sn附近的Al

In_(0.49)Ga_(0.51)P中缺陷的俘获行为

利用深能级瞬态谱（ＤＬＴＳ）和瞬态光电阻率谱（ＴＰＲＳ）研究了利用金属有机物化学汽相沉淀（ＭＯＣＶＤ）生长的未有意掺杂的Ｉｎ０．４９Ｇａ０．５１Ｐ中缺陷对载流子的俘获过程和发射过程．利用ＤＬＴＳ测量观测到了一个激活能为０．３７ｅＶ的缺陷，该缺陷的俘获势垒值介于１８０ｍｅＶ到２４０ｍｅＶ之间．该缺陷的俘获势垒值的大的分布被解释为缺陷周围原子重组的微观波动．在研究中发现研究这些缺陷的俘获过程比发射过程更有效，俘获势垒为０．０６ｅＶ和０．４０ｅＶ的两个缺陷在俘获过程中被观测到。

等效深中心研究新方法—瞬态光霍耳和光电阻率谱

考虑到深中心俘获与发射载流子对自由载流子浓度的影响而对深中心俘获过程进行了推导与讨论，发展了以瞬态光霍耳谱测量和瞬态光电阻率谱测量为基础的两套新的深能级分析测试手段，并证明了其等效性。用此方法测量样品不需做结，且对大浓度的深中心也可不做任何修正，尤其适用于缺陷对载流子俘获机制的研究，因而弥补了深能级瞬态谱技术的不足。

MOCVD生长的未掺杂的In_(1-x)Ga_xP中的本征缺陷

利用深能级瞬态谱（ Ｄ Ｌ Ｔ Ｓ）和瞬态光电阻率谱（ Ｔ Ｐ Ｒ Ｓ）研究了利用金属有机物化学气相沉淀（ Ｍ Ｏ Ｃ Ｖ Ｄ）方法生长的未有意掺杂的 Ｉｎ１－ ｘ Ｇａｘ Ｐ中缺陷对载流子的俘获和发射过程。利用 Ｄ Ｌ Ｔ Ｓ测量观测到了一个激活能为０３５ ｅ Ｖ 的缺陷，由 Ｔ Ｐ Ｒ Ｓ测量确定该缺陷的俘获势垒值介于１８０ ｍ ｅ Ｖ 到２４０ｍ ｅ Ｖ 之间。该缺陷的俘获势垒值的大的分布解释为缺陷周围原子重组的微观波动。同时在 Ｔ Ｐ Ｒ Ｓ测量中观测到俘获势垒为００６ ｅ Ｖ 和０４０ ｅ Ｖ 的两个缺陷。