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电荷俘获存储器中俘获层的研究进展 被引量:1
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作者 李德君 刘明 +8 位作者 龙世兵 王琴 张满红 刘璟 杨仕谦 王永 杨潇楠 陈军宁 代月花 《微纳电子技术》 CAS 北大核心 2009年第9期518-524,539,共8页
随着45nm和32nm技术节点的来临,传统Si3N4作为电荷俘获存储器的俘获层已经使器件的性能受到了限制。指出采用高k材料代替Si3N4作为俘获层已成为目前微电子材料研究的热点和趋势;着重对电荷俘获存储器的俘获层,包括对Si3N4掺O的无定形氧... 随着45nm和32nm技术节点的来临,传统Si3N4作为电荷俘获存储器的俘获层已经使器件的性能受到了限制。指出采用高k材料代替Si3N4作为俘获层已成为目前微电子材料研究的热点和趋势;着重对电荷俘获存储器的俘获层,包括对Si3N4掺O的无定形氧氮化硅(α-SiOxNy)俘获层、高k介质材料俘获层、植入纳米晶材料的俘获层及其叠层结构的研究现状和存在的问题进行了综述和分析,并对其进一步的研究趋势进行了展望。 展开更多
关键词 高K材料 非挥发性存储器(NVM) 电荷俘获存储器 俘获层 隧穿
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高k介质在浮栅型非挥发性存储器中的应用 被引量:1
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作者 刘璟 王琴 +4 位作者 龙世兵 胡媛 杨仕谦 郭婷婷 刘明 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2009年第3期414-419,共6页
随着微电子技术节点不断向前推进,基于传统浮栅结构的非挥发性存储器(NVM)技术遇到严重的技术难点,其中最主要的问题是SiO2隧穿层已经接近厚度极限,很难继续减薄。作为改进措施,引入高k介质作为新型隧穿层材料。文章介绍了高k材料的研... 随着微电子技术节点不断向前推进,基于传统浮栅结构的非挥发性存储器(NVM)技术遇到严重的技术难点,其中最主要的问题是SiO2隧穿层已经接近厚度极限,很难继续减薄。作为改进措施,引入高k介质作为新型隧穿层材料。文章介绍了高k材料的研究现状和在NVM器件中应用所取得的进展;最后,对高k介质进一步应用的研究趋势进行了展望。 展开更多
关键词 高k介质 非挥发性存储器 隧穿 俘获层
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欠匹配型磁绝缘感应电压叠加器次级阻抗优化方法 被引量:1
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作者 魏浩 孙凤举 +1 位作者 呼义翔 邱爱慈 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2017年第20期255-261,共7页
磁绝缘感应电压叠加器(MIVA)次级阻抗对脉冲功率驱动源和负载之间的功率耦合具有重要影响.基于稳态磁绝缘Creedon层流理论和鞘层电子流再俘获(re-trapping)理论,建立了负载欠匹配型MIVA电路分析方法,数值分析获得了MIVA输出参数(输出电... 磁绝缘感应电压叠加器(MIVA)次级阻抗对脉冲功率驱动源和负载之间的功率耦合具有重要影响.基于稳态磁绝缘Creedon层流理论和鞘层电子流再俘获(re-trapping)理论,建立了负载欠匹配型MIVA电路分析方法,数值分析获得了MIVA输出参数(输出电压、阴/阳极电流和电功率)随负载欠匹配程度的变化规律.考虑阴极传导电流作为闪光X射线照相二极管的有效电流,建立了以MIVA末端X射线剂量率最大为目标的次级阻抗优化方法.获得了欠匹配型MIVA次级优化阻抗Z_(op)~*的变化规律:随着X射线剂量率对电压依赖程度提高,欠匹配型MIVA次级优化阻抗Z_(op)~*呈指数降低;负载阻抗越大,Z_(op)~*越大. 展开更多
关键词 磁绝缘感应电压叠加器 次级阻抗 磁绝缘最小电流 电子流再俘获
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L3-Edge Jump and Shift on White-Line of Pd Interlayer for Trilaminar Neutron Production Target under H2^+ Irradiation
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作者 Shintaro Ishiyama Ryo Fujii +1 位作者 Masaru Nakamura Yoshio Imahori 《Journal of Chemistry and Chemical Engineering》 2014年第9期870-875,共6页
Interlayer Pd for the Li/Pd/Cu neutron target for BNCT (boron neutron capture therapy) was characterized after 0.1-5 keV H2^+ irradiation by XAFS (X-ray absorption fine structure) technique, and following conclus... Interlayer Pd for the Li/Pd/Cu neutron target for BNCT (boron neutron capture therapy) was characterized after 0.1-5 keV H2^+ irradiation by XAFS (X-ray absorption fine structure) technique, and following conclusions were derived: (1) from the XAFS observation of white line of Pd, remarkable Pd L3 edge jump was found in 1.1-3 times higher than before irradiation in low irradiation fluence; (2) this fact indicates increase of hole density in Pd 4d-band, whereas, no change was observed for XASF spectra of Ag sample under the same irradiation conditions; (3) remarkable Pd L3 edge shift of 0.12-0.66 eV was also found with increase of H2+ irradiation energy in low fluence, and drastically decreased after peak in high irradiation energy and fluence; (4) implanted protons deposited in Pd as negative under the balance of electron population enhanced by proton irradiation and charge transfer. 展开更多
关键词 Boron neutron capture therapy lithium target PALLADIUM X-ray absorption fine structure H2^+.
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MOSFET辐照诱生界面陷阱形成过程的1/f噪声研究 被引量:14
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作者 李瑞珉 杜磊 +1 位作者 庄奕琪 包军林 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2007年第6期3400-3406,共7页
基于界面陷阱形成的氢离子运动两步模型和反应过程的热力学平衡假设,推导了金属-氧化物-半导体-场效应晶体管(MOSFET)经历电离辐照后氧化层空穴俘获与界面陷阱形成间关系的表达式.利用初始1/f噪声功率谱幅值与氧化层空穴俘获之间的联系... 基于界面陷阱形成的氢离子运动两步模型和反应过程的热力学平衡假设,推导了金属-氧化物-半导体-场效应晶体管(MOSFET)经历电离辐照后氧化层空穴俘获与界面陷阱形成间关系的表达式.利用初始1/f噪声功率谱幅值与氧化层空穴俘获之间的联系,建立了辐照前的1/f噪声幅值与辐照诱生界面陷阱数量之间的半经验公式,并通过实验予以验证.研究结果表明,由于辐照诱生的氧化层内陷阱通过与分子氢作用而直接参与到界面陷阱的建立过程中,从而使界面陷阱生成数量正比于这种陷阱增加的数量,因此辐照前的1/f噪声功率谱幅值正比于辐照诱生的界面陷阱数量.研究结果为1/f噪声用作MOSFET辐照损伤机理研究的新工具,对其抗辐照性能进行无损评估提供了理论依据与数学模型. 展开更多
关键词 辐照效应 界面陷阱 1/f噪声 氧化空穴俘获
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