ECCD中的俘获电子效应

通过对聚变堆级条件下的电子回旋波电流驱动(ECCD)进行模拟,研究了俘获电子效应对电流驱动及功率沉积的影响。结果表明:俘获电子会吸收更多的波功率,使波功率的沉积更加集中,并且使电流驱动效率明显降低。

未被俘获电子对多光子非线性Compton散射能量转换效率的影响

应用单粒子理论和电子与光子非弹性碰撞模型,研究了未被俘获电子对多光子非线性Compton散射能量转换效率的影响。结果表明,未被俘获电子使该散射的频谱展宽随入射电子速度和与电子同时作用的光子数的增大而增大,随电子与光子非弹性碰撞成分的增大而减小,从而使能量转换效率近乎与电子入射速度正比降低。用低能电子入射,能有效地减小这种损失。

利用离子阻停对电子俘获致核激发的研究

当特定能量的自由电子被原子核外电子轨道俘获时,有可能导致原子核被共振激发,这就是电子俘获致核激发.该机制的一个应用愿景是通过操纵电子使同核异能态所储存的核能按照人们的需求释放出来.如果能够实现这种技术,有望为核能的储存和利用带来巨大变革.本文对比了近年来基于加速器装置,在高电荷态离子阻停过程中测量电子俘获致核激发几率的两次实验研究工作.对于两次测量结果的不一致,从误差水平评估这一个新的角度分析了可能的原因.此外,通过评估四种可能的熔合蒸发反应道,发现94Zr束流和氦气靶可能是利用次级束开展下一步实验工作的理想弹靶组合.

掺稀土离子的电子俘获材料

可利用不等价离子取代法或高能射线辐照法制备电子俘获材料,如长余辉发光材料ZnO SiO2 B2O3 MnO、CaS∶Eu2+,Tm3+、CaGa2S4∶Eu2+,Ho3+和固体剂量材料Zn0. 96 (BO2 )2∶0. 04Tb,Sr0. 93Dy0. 07B4O7 等。利用俘获在缺陷中的电子空穴对的复合,并把能量传递给Eu2+或Mn2+等激活离子而产生长余辉发光或热释光。它们将在弱光照明与显示,信息存储和辐射治疗与探测、监控等方面获得应用。

电子俘获光存储材料BaLiF_3:Eu^(2+)的光激励发光及光存储性质研究

利用高温固相反应法制备了混晶状的BaLiF3Eu2+样品。其紫外光激发的发射峰与光激励发光峰均在410nm处,属于Eu2+的5d—4f跃迁发光。光激励峰位于660nm,因而可以配用简单廉价的氦氖激光器。根据光谱特征给出了光激励发光的简单机理。测量了该材料光激励发光衰减性能,结果表明BaLiF3Eu2+存储的信息可以方便地擦除掉。该材料具有优良的光激励发光特性,是一类很有发展前途的电子俘获光存储材料。

电子俘获光存储材料的研究进展

电子俘获光存储技术是一种新型的存储技术 ,有望从存储机制方面突破现有的光存储介质的限制 ,实现大密度稳定可重复擦写存储。文中详细报道了近年来电子俘获光存储材料的研究进展。着重介绍了电子俘获材料光存储机制 ,以及各种材料的存储特性 ,并探讨了存在的问题。

电子俘获材料在光存储技术中的应用

阐述了电子俘获光存储技术原理 ,进行了图像写 /读 /擦除及图像加 /减等实验 ,探讨了电子俘获光存储中的动力学机制 ,研究了电子俘获材料中读出光、写入光和发射光三者之间的关系。实验表明 ,电子俘获材料以其写 /读 /擦速度快、存储密度高以及无限的读写循环寿命等优点 ,在光存储、光信息处理领域具有非常广阔的应用前景。

电子俘获材料的红外上转换效率

采用稀土直接掺杂工艺提高了电子俘获材料ＣａＳ∶Ｅｕ，Ｓｍ和ＣａＳ∶Ｃｅ，Ｓｍ的发光亮度和制备效率，并利用超短脉冲红外激光测试了它们的红外上转换效率借助等离子体质谱技术检测了硫化助熔剂法和稀土直接掺杂工艺合成电子俘获材料中主要掺杂剂的化学计量比。

电子俘获型红外上转换屏

利用溶液悬浮分层提取技术获得粒度较为一致的电子俘获材料（ＥＴＭ）粉末，考虑ＥＴＭ屏空间分辨率、红外→可见发光亮度、ＥＴＭ化学稳定性和膜层均匀性等主要因素，采用不同方法制作了ＥＴＭ屏，较好地解决了ＥＴＭ膜层均匀性及器件封装后的化学稳定性等问题，并通过测试比较，提出了一种兼顾空间分辨率和红外上转换发光亮度的微镶嵌屏制作技术方案．

用吸收差谱研究电子俘获材料的光激励发光

以SrS:Eu,Sm为例说明可以利用电子俘获材料在光激发前后的吸收谱的差别来获取电子俘获材料光激励发光的信息。电子俘获材料在激发后的吸收光谱同时包含了不同陷阱(杂质)对光激励的吸收情况。因此激发前后的吸收光谱差(吸收差谱)除了能给出与光激励谱相同的信息外,还包含空穴陷阱的激励,光存储总量等信息,因此有助于更全面地了解材料的光激励发光过程。

电子俘获材料的浓度猝灭

利用稀土直接掺杂工艺对电子俘获材料 Ｃａ Ｓ： Ｅｕ ， Ｓｍ 进行了配方优化，确定了最佳的激活剂浓度，并结合光谱测试，分析了引起 Ｃａ Ｓ： Ｅｕ ， Ｓｍ

恒星内部电荷屏蔽对电子俘获反应的影响

本文分析了在恒星环境下，电荷强屏蔽对原子核电子俘获反应的影响，分析中忽略了电荷屏蔽对核跃迁矩阵元的影响．作为例子，分别讨论了电荷屏蔽对核素33S、30P和57Fe的电子俘获率的影响．结果表明：在较低温度和较高密度下，由于电荷屏蔽，其电子俘获率相对于无屏蔽情形有明显降低，这可能对恒星晚期演化和超新星爆发理论带来明显的影响．

电子俘获材料KCl:Eu^(2+)的光存储特性研究

采用高温固相反应法制备出了粉末态的 KCl:Eu2 + 样品 ,研究了 Eu掺杂浓度与光激励发光的关系。测试了样品的发光性能和存储性能 ,并分析了 KCl:Eu2 +的光存储的机制。

强电荷屏蔽下的电子俘获率

分析了电荷屏蔽对超新星前身星环境下的电子俘获反应的影响,分析中强电荷屏蔽势能采用了最近人们利用线性响应理论给出的结果,对核素56Co,56Fe,56Mn电子俘获率的分析计算表明,在低温高密情形下,电荷屏蔽对电子俘获反应的影响较先前的分析的影响程度略小,但电荷屏蔽对电子俘获反应的影响仍然显著.

强磁场对非零温中子星壳层电子俘获反应的影响

本文讨论了强磁场作用下非零温电子气体的化学势，分析了磁场作用下电子气体屏蔽势的变化；以核素３３Ｓ为例，讨论了不同温度下，磁场对电子俘获率的影响，结果表明：在足够低的温度和密度下，足够强的磁场使电子俘获率显著降低，而就中子星表面存在的磁场强度（１０９－１０１３Ｇ）而言，磁场对其电子俘获率几乎没有影响．

电子俘获材料ZnS:Cu,Pb,Mn发光机理研究

对电子俘获材料ZnS:Cu,Pb,Mn作了XRD分析,并测试了材料的荧光谱、荧光激发谱、红外激励发光谱、红外激励谱、荧光余辉衰减曲线等光谱特性。结果显示:材料为六方晶系ZnS单相;可受460nm以下的紫外及可见光激发;红外响应范围为(700—1600)nm;荧光和红外激励发光的峰值波长在490nm和580nm。根据光谱特性对ZnS:Cu,Pb,Mn的上转换发光机理进行了探讨,提出了ZnS:Cu,Pb,Mn的上转换发光机理能级模型,并结合模型对材料的激发和激励过程作了具体的分析。

制备工艺对电子俘获材料性能的影响

利用等离子体质谱（ＩＣＰ－ＭＳ）技术测试了硫化助熔剂法和稀土直接掺杂工艺合成电子俘获材料的化学计量比，结果表明，采用稀土直接掺杂工艺合成材料的化学计量比更接近设计值；通过分析电子俘获材料的发光机制和光谱测试结果。

电子俘获材料CaS:Eu,Sm红外上转换光衰减特性的研究

根据电子俘获机制 ,提出了CaS :Eu ,Sm红外上转换发光的衰减模型 ,建立了速率方程并进行了初步的求解 ,其解具有三级指数衰减的形式 .从实验上测定了Cas :Eu ,Sm在不同温度下的红外上转换光衰减特性 ,对实验结果进行了非线性拟合 。

中低能区α粒子与Li原子碰撞中电子俘获总截面的计算

采用Ｌｉ原子价电子的有效势模型和两态轨道展开方法主要计算了中低能区（３０ｋｅＶ～２００ｋｅＶ）α粒子与Ｌｉ原子碰撞过程中价电子俘获的部分截面，提出了利用部分截面计算总截面的近似公式。计算结果表明，中低能区价电子的俘获截面对总截面有很大的贡献。

水热法合成电子俘获材料SrS:Eu^(2+)、Sm^(3+)

采用水热法合成了电子俘获材料SrS:Eu2+、Sm3+。通过X射线衍射分析、扫描电子显微镜、能谱、光激励发光光谱和荧光衰减,对其微观结构与光谱性能进行了表征。研究表明所制得的SrS:Eu2+、Sm3+电子俘获材料为单相的面心立方结构,粒度均一,且粒径小。采用水热合成法能够有效降低样品中杂质含量,并可有效减缓样品衰减速率。光激励发光光谱(λex=980nm)表明Eu2+和Sm3+能够掺入SrS基质中,与高温固相法制备的材料相比,水热法制备的SrS:Eu2+、Sm3+有更高的发光强度。