爆轰合成纳米金刚石中保护介质的影响研究

为提高爆轰合成纳米金刚石(UltrafineDiamond,简称UFD)的得率,就合成过程中保护介质水对纳米金刚石得率的影响进行了研究,并在合成过程中应用了固液两态的双重保护介质。结果表明,适量的水介质能明显提高纳米金刚石的得率,在本实验条件下,即装药量为100gTNT/RDX注装混合炸药,110升球形爆炸容器内,合成纳米金刚石的最佳水介质的量约为8.8L;双重保护介质可进一步提高纳米金刚石的得率。

保护介质对爆轰固相产物生成的影响

通过爆轰合成超细金刚石实验，对装药在不同环境下引爆后得到的固相碳产物进行比较分析，研究不同介质如氮气、水、冰、遇热分解的盐等对爆轰产物中固相碳形成的影响，同时提出用石墨化程度来比较这种影响。结果显示，介质对爆轰产物中固相碳的石墨化和超细金刚石的保护有着重要的作用。几种介质中水的保护效果较好。

以水为保护介质爆轰法合成纳米石墨

介绍了以水为保护介质和冷却剂利用炸药爆轰制备纳米石墨的方法。该法简单易行,操作安全、成本低,石墨得率和纯度都很高,颗粒分布集中,用TNT/RDX/石墨混合药柱制得的纳米石墨中位粒径达到9.3nm,比表面达到1116.2m2·g-1。

炎症时内源性保护介质的研究进展(文献综述)

炎症的消散是一个需要十分精确调节的动态过程 ,受体内外多种因素的影响 ,包括内源性“刹车信号”的产生 ,聚集的白细胞的清除等。炎症时机体内有整套的内源性保护机制存在 ,尤其是内源性抗炎介质的产生。近年来的研究表明 ,机体内的内源性保护介质主要有cAMP、脂毒素、环戊烯前列腺素(cyPGs)和磷脂氧化产物。本文综述了内源性抗炎介质在炎症消散过程中的作用。模拟体内抗炎介质的产生 。

一类新的流体室温磷光法——无保护介质流体室温磷光

一类新的流体室温磷光法——无保护介质流体室温磷光李隆弟赵瑜童爱军（清华大学化学系北京１０００８４）李隆弟男，５９岁，教授，从事光致发光、分子识别等领域研究及分析化学教学工作。国家自然科学基金资助项目１９９７－０６－２６收稿前文［１，２］曾报道仅以Ｎａ...

镁合金介质保护熔炼技术及其进展

在分析镁合金极高氧化活性的基础上,介绍了镁合金熔体介质保护性熔炼的几种方法,着重对国外应用比较多、保护效果较好的SF_6混合气体保护进行了讨论,并对镁合金介质保护熔炼技术发展趋势进行了展望。

介质保护膜制备参数对AC PDP放电特性的影响

以ＭｇＯ为例，对ＡＣ ＰＤＰ中电子束蒸发介质保护膜制备的工艺参数，如成膜时基板温度、沉积速率、成膜后的热处理条件等对ＡＣＰＤＰ工作特性的影响进行了系统的研究和分析，讨论了保护膜成分、结构、形貌等对发射特性和ＡＣＰＤＰ工作特性的影响，探讨了成膜的最佳工艺，并根据在放电过程中，由离子轰击产生的 ＭｇＯ膜表面特性的变化和假设氧对 ＭｇＯ膜表面特性的作用，对观测到的放电特性对 ＡＣＰＤＰ板各种制造工艺参数的依赖性进行了解释。

AC PDP介质保护膜材料的选择

随着对交流等离子体显示板（ＡＣＰＤＰ）电压变化原因的探讨、新型表面保护材料的开发研究以及为除去污染而对制造工艺的调整，ＡＣＰＤＰ正在获得极好的寿命特性。介质保护膜直接与放电气体相接触，其材料和表面状况是决定ＡＣＰＤＰ寿命及放电特性的重要因素，因而保护膜材料的选择尤为重要。本文叙述了保护层材料应具备的特性及其选择标准，就ＡＣＰＤＰ保护膜中所用的材料及其特性进行了分析总结。

等离子体显示器的介质保护膜

介质保护膜对改善等离子体显示器的工作特性有极其重要的意义。本文概述了一些作为等离子体显示器介质保护层材料的特点 ,特别是氧化镁薄膜的性质及制备方法 ,分析了在显示屏制作过程中后工序对氧化镁介质保护层的影响 ,对等离子体显示器的产业化的发展具有重要意义。

电介质保护膜对磁光记录膜的磁和磁光特性的影响

采用射频磁控溅射法制备了非晶TbFeCo薄膜及其保护层AlN薄膜 ,并研究保护层对薄膜的磁和磁光特性的影响。结果表明 ,AlN薄膜可以增强薄膜磁光效应 ,同时 ,AlN薄膜对TbFeCo磁光薄膜的矫顽力、垂直磁各向异性以及本征克尔角都有一定的影响。

交流等离子体显示器介质保护膜放电特性测量装置的研究

为了简捷地测量交流等离子体显示器(ACPDP)保护膜的放电特性,提出了用测量ACPDP放电特性和加速老化特性来探求保护膜发射和稳定性能的间接测量方法,并依此原理研制了模拟ACPDP放电特性的测量装置.该装置由驱动电源、放电室及真空系统组成,能够模拟ACPDP的工作条件和过程,可用来测量ACPDP工作过程中用不同材料、方法及工艺制成的保护膜的工作电压、稳定性等,从而衡量保护膜的二次电子发射性能,还可用来测量ACPDP放电单元内所充气体的种类、混合比例。

PDP介质保护膜材料的研究进展

由于AC PDP介质保护膜与放电气体直接接触,因而对PDP的工作特性如工作寿命、发光效率、发光亮度、着火电压及放电时间延迟等有重要影响,其性能的提升对提高AC PDP的工作特性有重要意义。本文综述了介质保护膜材料的最新发展状况,包括五种掺杂MgO保护膜和两种新型材料的介质保护膜,并将其发光效率、发光亮度、维持电压、记忆系数等工作特性同传统MgO保护膜进行了对比、分析。

介质保护膜对ACPDP放电特性影响测量装置的研究

本文提出并采用了用测量ＡＣ ＰＤＰ放电特性和加速老化特性来探求保护膜发射和稳定性能的间接测量方法，研制了模拟ＡＣＰＤＰ放电特性测量装置。该装置驱动电源、放电室及真空系统组成，能够模拟ＡＣ ＰＤＰ的工作条件和过程，不仅可用来测量不同材料和不同方法、工艺制成的保护膜对ＡＣ ＰＤＰ工作电压、寿命等的影响，还可用来测量ＡＣ ＰＤＰ放电单元内所充气体的种类、气体混合比例。

延长LED的寿命—第2部分:为LED设备选择正确的保护介质以延长寿命提升性能

LED市场增长迅速，必须选择正确的产品以确保LED性能和寿命。在本文第1部分中我们讨论了适当热管理的重要性，包括各种保证LED系统最佳散热的方法，还讨论了过量产热的影响与LED寿命的直接关系。类似地，在第2部分我们还会继续讨论LED的寿命，文章强调LED在各种环境中的使用，并介绍在这些条件下如何规范产品的适当保护。

镁合金的保护气体介质熔炼

至今在镁合金熔炼和铸造中采用的熔剂按其用途可分为三类:复盖熔剂、精炼熔剂和复盖一精炼(通用)熔剂。 现在工业中采用的熔剂一般在成分中都含有碱和碱土金属盐混合物。熔剂虽能防止金属氧化,也能落入铸件中成为熔剂夹杂。而且,在铸件表面上的氯化物熔剂夹杂会引起强烈的熔剂腐蚀和导致经机械加工的铸件成为废品。因而为了以先进工艺装备镁合金车间就需全部或部分取消熔剂的使用,建议应用保护气体介质。

传统音乐档案的介质保护及其协作策略

印第安纳大学传统音乐档案馆存放着超过10万份录音资料,时间跨度起自1893年,直至今天。这些资料包括来自世界各地的民族志录音和商业录音,内容涉及民族音乐学、民俗学、人类学、语言学、口述史及流行音乐等。过去的七年间,该档案馆构建起介质存放的协作环境,以消除其所面临的介质退化和格式过时的危险。2015年是该馆开展大规模介质保护的第一年,目标是在校园里面搭建一个共享的、集中化的介质数字化设施。本文将扼要阐述该传统音乐档案馆的背景,以及为发展"介质数字化与保护行动"所付出的努力;还将讨论当前的工作进度,以及档案管理必须经历的转型,包括元数据迁移、版权工作、录音资料在线传递的伦理。

ZrO_2掺杂及其工艺参数的对AC-PDP介质保护膜结晶取向的影响

在电子束蒸发镀膜工艺条件下,掺杂含量、基板温度和蒸镀速率都会对薄膜的结晶取向产生影响。掺杂含量会影响复合膜层的晶面取向和X射线衍射峰的强度,其中ZrO2掺杂比为0 2时,能获得相对最强的(111)晶面衍射峰。而对于复合介质保护膜的制备工艺,则是较低的基板温度和较高的蒸镀速率条件下,更容易形成(111)的晶面取向;较高的基板温度和较低的蒸镀速率条件下,则更容易形成(200)或(220)的晶面取向。

PECVD淀积介质层对MOSFET性能的影响

通过对nMOS器件随天线比增加的阈值电压漂移、跨导变化,MOS电容在TDDB测试后的QBD退化分析来评估在RIE(ReactiveIonEtching)金属前PECVD-TEOS预淀积保护介质层的保护作用,实验结果表明此介质层没有起到足够的保护作用,反而会由于更长的等离子体工艺时间产生更严重的损伤问题。传统的电荷在硅片表面积累理论不足以解释此现象,本文从高能电子隧穿作用来分析此性能退化的原因。