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一种低熔点玻璃保护浆料
1
作者
张忠模
《电子元件与材料》
CAS
CSCD
1998年第4期12-13,共2页
研制了一种厚膜片电阻用低熔点玻璃保护浆料。这种浆料由玻璃粉、颜料及有机载体按一定比例混合而成。烧结温度约600℃,黏度180~240Pa·s,颗粒度不大于3μm,被封电阻烧成后,平均阻值变化率为0.65%。
关键词
低熔点玻璃
保护浆料
烧结温度
厚膜电路
下载PDF
职称材料
片式电阻保护浆料的制备
2
作者
张国春
高伟
+1 位作者
韩文
杨宗炼
《电子元件与材料》
CAS
CSCD
北大核心
2007年第3期27-28,共2页
通过与日本样进行对比试验,研究了片式电阻保护浆料的制备工艺及要求。分析了玻璃组成和浆料配方对元件电阻值漂移的影响,并对其保护机理进行了探讨。制备的浆料达到日本样技术指标的要求。利用4号玻璃组分的1MΩ片电阻的阻值漂移率最小...
通过与日本样进行对比试验,研究了片式电阻保护浆料的制备工艺及要求。分析了玻璃组成和浆料配方对元件电阻值漂移的影响,并对其保护机理进行了探讨。制备的浆料达到日本样技术指标的要求。利用4号玻璃组分的1MΩ片电阻的阻值漂移率最小为0.9%
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关键词
电子技术
保护浆料
电阻漂移率
电阻膜
附着强度
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职称材料
题名
一种低熔点玻璃保护浆料
1
作者
张忠模
机构
重庆仪表材料研究所
出处
《电子元件与材料》
CAS
CSCD
1998年第4期12-13,共2页
文摘
研制了一种厚膜片电阻用低熔点玻璃保护浆料。这种浆料由玻璃粉、颜料及有机载体按一定比例混合而成。烧结温度约600℃,黏度180~240Pa·s,颗粒度不大于3μm,被封电阻烧成后,平均阻值变化率为0.65%。
关键词
低熔点玻璃
保护浆料
烧结温度
厚膜电路
Keywords
low melting point glass, Pb-Si-B glass, protection paste, sintering temperature
分类号
TN452 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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职称材料
题名
片式电阻保护浆料的制备
2
作者
张国春
高伟
韩文
杨宗炼
机构
贵州省轻工业科学研究所
出处
《电子元件与材料》
CAS
CSCD
北大核心
2007年第3期27-28,共2页
基金
贵州省科学技术基金资助项目[黔基合计字(2002)3030号]
文摘
通过与日本样进行对比试验,研究了片式电阻保护浆料的制备工艺及要求。分析了玻璃组成和浆料配方对元件电阻值漂移的影响,并对其保护机理进行了探讨。制备的浆料达到日本样技术指标的要求。利用4号玻璃组分的1MΩ片电阻的阻值漂移率最小为0.9%
关键词
电子技术
保护浆料
电阻漂移率
电阻膜
附着强度
Keywords
electron technology
protective paste
resistance fluctuating
resistor film
adhesion strength
分类号
TN604 [电子电信—电路与系统]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
一种低熔点玻璃保护浆料
张忠模
《电子元件与材料》
CAS
CSCD
1998
0
下载PDF
职称材料
2
片式电阻保护浆料的制备
张国春
高伟
韩文
杨宗炼
《电子元件与材料》
CAS
CSCD
北大核心
2007
0
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职称材料
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