信号调制法测量中性粒子ESD脱附截面

SD截面是电子诱导脱附研究中的用以描述脱附产物的一个重要物理量 ,中性粒子ESD脱附截面的测量一直是ESD截面测量中比较难以解决的问题。本文介绍了利用信号调制法测量了中性粒子ESD脱附截面的原理 ,同时利用该方法测量了 1× 10 -3 Pa下 ,N2 从多晶W表面脱附时N2 的中性脱附产物的ESD截面 ,并对实验方法及测量结果进行了分析讨论。

“信号调制法”研究电子诱导脱附——基本原理及误差分析

电子诱导脱附是近年来在真空科学与表面科学领域内的热门研究课题。它不仅作为研究和探讨原子激发过程以及电子能量传输机制的有效手段,而且已经逐渐成为获取表面和界面结构、状态等信息的有效方法。“信号调制法”是利用脉冲电流能量调制的电子探束取代传统的直流电子探束,并通过测量电子诱导脱附产物引起的压强变化量,来研究电子诱导脱附的新方法。本文系统地介绍了该方法的基本原理,并从理论上对该方法带来的测量误差进行了分析。

电子诱导脱附研究钨表面O_2对N_2的置换吸附

实验测量了室温高真空条件下,多晶W表面O2和N2的电子诱导脱附(ESD)阈值能量.O2-W吸附对的ESD能量约为15.5eV,N2-W吸附对的ESD能量约为13.8eV.实验结果具有良好的可重复性.利用ESD阈值能量研究了多晶W表面O2对N2的置换吸附过程,表明在一定的时间间隔内,O2可以置换吸附在多晶W表面的N2,且该过程不可逆.对实验结果进行了分析.