星载微波器件无源互调和二次电子倍增放电的产生与抑制

在星载微波器件的设计和使用过程中,产生于大功率条件下微波器件中的无源互调和二次电子倍增放电始终是一对容易发作的问题。为了加深对这两种特殊现象的理解,文章探讨了星载微波器件的无源互调和二次电子倍增放电的产生原因,并给出了抑制措施。

一种多载波情况下的微放电检测新方法

文章基于航天器无源产品在二次电子倍增微放电过程中,多载波信号通过会在近载波产生互调产物这一机理,介绍了在多载波情况下,用检测近载波互调产物变化来检测微放电的新方法。依据无源互调的幂级数非线性分析方法,建立双载波线性模型加以分析,说明距离载波较近的三阶互调产物的功率变化比载波功率变化快,提供了这种检测方法的理论依据,最后用实验结果验证了此方法。

真空高功率微波介质窗表面击穿破坏现象的研究进展

综述了国内外真空中高功率微波(HPM)下介质窗表面击穿问题的研究现状和进展。在介质窗表面击穿实验研究方面,介绍了国外最具代表性的研究成果,给出了介质窗材料表面及内部的破坏发展规律,并提出相应的理论模型。在理论仿真方面,重点介绍了国外在运用蒙特卡罗(Monte Carlo)程序和PIC模型对认识HPM下介质窗表面倍增放电机理上做出的突出贡献,给出了HPM下介质窗表面电子在不同影响因素下的运行状态,并提出了一个理论模型,从本质上解释了倍增电子数目和表面静电场以微波频率的2倍振荡的原因。介绍了目前几种可有效抑制介质窗表面微波击穿的技术手段。

纳米级ta-C薄膜对二次电子发射抑制的研究

二次电子倍增引起的微放电效应已经成为制约空间通信技术发展的重要因素。提出采用纳米级四面体非晶碳(ta-C)薄膜抑制二次电子发射的新方法,研究了在镀银铝基材料上制备ta-C薄膜的工艺,以及薄膜中sp2键的含量以及薄膜的厚度对二次电子发射系数的影响。研究结果表明,涂层后的二次电子发射系数减小了35%;且当薄膜厚度超过5 nm,二次电子发射系数显著降低,当厚度大于10 nm,二次电子发射系数会增加,分析主要原因是薄膜厚度在5-10 nm时,sp2键的含量较大,呈现出石墨的弱二次电子发射特性,研究结果表明,ta-C薄膜可以较好地起到抑制二次电子作用。