正比计数管倍增系数M及第一汤姆逊系数α的研究

正比计数管的倍增系数M涉及到正比计数管的工作电压、气体组分、阴阳极尺寸等参数,是正比计数管优化设计的关键;而第一汤姆孙系数与M值密切相关。引入约化场强的概念,分别对常用的Diethorn和Rose&Korll倍增公式进行了完整推导,明确了M与各项参数间的关系;同时也分析了二者的存在的问题并提出了修正措施,为正比计数管的优化设计提供理论依据。

基于零序电流幅值比倍增系数的灵活接地系统故障选线方法

针对灵活接地系统高阻接地故障选线困难的问题,提出一种基于零序电流幅值比倍增系数的灵活接地系统故障选线方法。首先,分析了系统单相接地故障时并联小电阻投入前后中性点与线路零序电流幅值比的变化特征,即:中性点与健全线路零序电流幅值比增大,而中性点与故障线路零序电流幅值比减小。其次,通过引进倍增系数定量刻画幅值比变化趋势,继而构造故障选线自适应判据。此外,利用中性点电感和电阻间接求解小电阻投入后零序电流幅值微弱的健全线路倍增系数,有效降低因零序CT精度限制所导致的选线误判概率。理论分析和仿真结果表明,该方法耐过渡电阻能力可达3000Ω,无需零序电压信息,可靠且适用性强。

基于联系数的电子装备体系效能倍增效应分析

提出了基于联系数的电子装备系统和体系作战效能倍增效应分析新方法。首先介绍了联系数的定义与数学运算,其次提出以基于作战能力指数的同异联系数来描述电子装备的作战效能,并根据不确定系数的取值分别对电子装备系统和体系的作战效能倍增效应进行了分析,最后基于侦察装备对目标的侦察能力进行了实例分析,结果表明该方法合理可行。

百千安FLTD模块负载电流倍增技术

基于百千安快脉冲直线变压器驱动源(fast linear transformer driver,FLTD)平台,设计了一种负载电流倍增结构(load current multiplier,LCM),并进行了实验验证。在电容器充电电压为±30kV,LCM电感为25nH的条件下,实现了负载电流的有效倍增,电流倍增系数κ为1.5,与理论估算值1.6接近。负载电流倍增技术可用于实验室现有脉冲功率装置的改造升级和后续装置的设计中,以提高负载电流。

跳源法在启明星1#次临界装置中的应用

简要介绍了跳源法在启明星1#次临界装置上测量次临界度的原理、外源驱动的次临界中子学实验装置、堆芯布置及中子源驱动系统。主要研究了中子源在堆芯轴向中心位置、不同装载情况下的反应性变化,并给出不同的有效倍增系数keff。实验测量结果与理论计算结果进行了比较,结果符合较好。

圆柱形涂硼正比计数管的性能参数研究

为了确定涂硼正比计数管的最优性能参数,运用Diethorn公式,对4种不同设计的涂硼圆柱正比计数管的倍增系数、阴阳极尺寸、电场强度分布、气体压强和最小工作电压这些参数进行了研究。结果表明:电子倍增发生在阳极附近几十μm的范围内,阳极丝直径的减小可导致周围电场强度加大,最小工作电压随阴阳极直径增加而提升,充气压力的降低也会使倍增系数变大。确定涂硼正比计数管的最优设计方案为:阳极为半径6μm镀金钨丝、阴极为半径30 mm不锈钢合金、工作电压为1 000 V、填充气体为0.6×105Pa的95%Ar+5%CH4(P5)。

带辅助磁场等离子体断路开关的数值模拟

利用全电磁网格粒子方法模拟了外加磁场对等离子体断路开关(POS)断路性能的影响,给出了电压倍增系数与外加磁场的关系曲线。数值模拟表明,外加轴向磁场线圈必须放在同轴型POS阴极的同侧才能显著改善开关的断路性能;当外加角向磁场时,内电极为阴、阳极的同轴型POS的断路性能都得到了不同程度的改善。随着外加磁场的增大,电压倍增系数将达到饱和。

槽筒材质对纱线毛羽的影响

通过应用钢质槽筒、胶木槽筒、铝合金槽筒对络筒工序纱线毛羽数量的影响分析,得出了钢质槽筒更有利于降低纱线毛羽的结论,并用毛羽倍增系数指标反映了槽筒材质对毛羽增加量的影响。

光纤有线电视技术入门30问(14)

在实际的 PD 中,在 P 层和 N 层之间还夹入一个本征层(i 层),因而也称之为 PIN—PD(Positive—Intrinsic—Negative PhotoDiode)。P 层和 N 层分别是在其中存在着有助于产生电流的空穴和电子的半导体,i

Study on the temperature dependence of BGO light yield

The temperature dependence of BGO coupled with photomultiplier tube R5610A-01 was studied in the range of-30–30℃. The temperature coefficient of the BGO and R5610 A as a whole was tested to be-1.82%/℃. And the temperature coefficient of the gain of the R5610 A is-0.44%/℃ which was tested in the same situation using a blue LED. Thus the temperature coefficient of BGO's light yield can be evaluated as-1.38%/℃.