GA系列砷化镓射频倍频芯片

ＧＡ０１／０２／０３是美国ＣＯＮＮＯＲＷＩＮＦＩＥＤ公司生产的射频ＰＬＬ倍频芯片，在低频晶振后接该芯片，可得到与低频晶振稳定度相同而成本很低的１１５～８２０ＭＨｚ信号。本文介绍了该系列芯片的构成、外接环路滤波器的设计方法。

一种10~20GHz宽带二倍频放大芯片设计

基于砷化镓赝配高电子迁移率晶体管(pseudomorphic High Electron Mobility Transistor,pHEMT)工艺,进行了覆盖10~20 GHz宽带二倍频放大芯片的设计,着重分析了在本振链路中基波和三次谐波产生的原因和抑制方法。基于差分电路,设计了一款不含滤波器且基波频率为10~20 GHz宽带二倍频放大芯片。该芯片通过探针台在片测试,证实在工作频带内,基波和三次谐波抑制均优于35 dBc,倍频损耗优于-0.5 dB。

晶振失效故障分析

本文通过对无输出晶振的失效分析,确定了失效原因。由于该晶振内部锁相倍频集成芯片性能不良导致。使用有延时的DC-DC电源对晶振进行加电测试,发现失效问题,可在早期解决这一问题。