共面波导形式的倒扣焊X波段低噪声放大器

研究了倒扣焊封装的共面波导 ( CPW) X波段低噪声单片放大器的设计方法、制作工艺及测量结果 ,验证了倒扣焊技术在微波频段应用的可行性。低噪声放大器单片是在 Ga As MMIC工艺线上用全离子注入、0 .8μm栅工艺研制完成。单片电路使用共面波导作为传输线 ,它可以将电磁场束缚在较小的空间内 ,受倒扣衬底的影响较微带线小。与传统的引线键合技术相比 ,单片倒扣焊于陶瓷载体上 ,性能有明显改善 ,在 9.2～ 10 .3GHz,G≈ 12 .1d B。

倒扣焊安装的微机械毫米波介质集成波导滤波器

为了解决毫米波段滤波器因倒扣焊安装引起的性能恶化问题,本文基于MEMS技术提出了联合仿真设计方法,将MEMS介质集成波导滤波器芯片与罗杰斯介质板利用三维高频仿真软件HFSS进行共同建模设计,充分考虑两者互连时易产生的问题,完成了芯片的制作、安装、测试及结果分析。测试结果表明,该滤波器通带为41.5~42.7GHz,去嵌后通带插损小于0.8dB,通带内反射损耗优于17dB,在38GHz处带外抑制优于40dB,芯片尺寸仅为5.2mm×3.0mm×0.4mm。考虑工艺误差影响,设计与测试结果吻合良好,该方法有效改善了毫米波段滤波器频率偏移及安装互连引起反射损耗恶化等问题。

大尺寸高铅凸点倒扣焊芯片的焊接过程控制

新一代航天工程、战略武器装备对电子系统提出了高性能、智能化、小型化、轻质化和高可靠的迫切需求,推动了系统级封装(SiP)的快速发展。微组装技术方面,在传统基于裸芯片堆叠、引线键合组装技术的基础上,基于TSV硅转接板的芯片级微凸点倒扣焊技术得到快速发展,该技术大大增加了输入/输出端的数目,可提供更短的引线、更小的电感、更高的频率、更好的噪声控制、更高的互连密度、更小的器件外形以及更低的器件安装高度。针对芯片级倒扣焊的工艺方法和可靠性研究已成为高性能SiP模块发展的重点研究方向。结合一款航天SiP模块实际应用需求,针对大尺寸高铅凸点倒扣焊芯片与SnAg凸台TSV硅基板结构,通过不同倒扣焊方式过程控制及可靠性影响进行分析研究,为高性能航天电子产品的倒扣焊技术研究提供思路。

一种基于顶部热沉的混合集成电源结构设计

介绍了一种基于顶部热沉的混合集成电源结构设计,该电源结构的载体为ALN陶瓷基板,内部采用多层布线结构,功率芯片植球后倒扣焊到陶瓷基板的焊盘上,无源器件采用高温焊料焊接在陶瓷基板焊盘上,顶部的热沉通过有机胶与陶瓷基板的边缘粘接,热沉和芯片背面、电感顶部之间采用导热胶填充,以提高芯片和电感的散热效果。该结构在抗辐射负载点电源中应用,验证了该方案的可行性。