小顶角平台硅中阶梯光栅光刻胶掩模制备工艺研究

为降低硅中阶梯光栅制作工艺中顶角平台对光栅衍射效率的影响,提出了"紫外曝光-倒置热熔"结合法用于制备具有小占宽比的光刻胶掩模,对中阶梯光栅设计、硅基片准备以及光刻胶掩模制备等环节进行了研究。AFM测试结果表明,可以制备占宽比为1∶5的光刻胶掩模,远远超出光栅理论设计中对顶角平台尺寸的要求。