芯片倒装封装中焊球及铜互连对高速差分信号传输特性影响的仿真研究

焊球与铜互连是芯片倒装封装中两种主要的互连结构,而随着数字电路时钟频率的不断提升,差分信号已成为高速数字电路中最常用的信号形式。采用HFSS全波仿真方法对芯片倒装封装中高速差分信号在差分对焊球和铜互连结构中的传输特性进行了研究。首先在理想情况下对差分对焊球结构进行了建模,分析了焊球阵列中焊球的尺寸和节距参数对差分信号传输特性的影响,发现在假定焊球节距为焊球直径2倍的情况下,现阶段常用的直径为0.1-1.27 mm的焊球中焊球尺寸和节距越小越能在宽频段内实现更好的传输性能。其次对平行式和内弯式、外弯式非平行差分铜互连结构进行了对比研究,发现平行式结构优于内弯式非平行结构,内弯式非平行结构优于外弯式非平行结构。

各向异性导电胶倒装封装电子标签的可靠性

各向异性导电胶(ACA)广泛用于RFID电子标签芯片封装,具有芯片对位方便、热压温度低和工艺时间短的优点。但ACA互连本质上是机械接触,其互连可靠性强烈依赖于粘接界面性质、胶水粘接力及环境稳定性。本文试验表明,168 h高温高湿和D20 mm心轴弯曲对芯片粘接点的电接触性能有所影响;铜模组良品率显著高于铝天线Inlay。

刚性有机封装基板标准的研制与进展

随着对先进封装需求的快速增加,作为封装载体的封装基板的需求也大幅度增加,而国际和国内的标准化组织暂时都还没有制订出刚性有机封装基板的产品标准,生产厂家、用户对产品的质量要求和检验方法等无法有效统一,容易造成重复认证和质量问题的经济索赔等。要解决这些矛盾,就需要研制用户和生产厂家都能接受的产品标准。本文就刚性有机封装基板标准的研制进行了探讨,并展示了最新的进展。

倒装芯片封装技术概论

高密度电子封装正朝着小型化、高I/O密度、更好的散热性和高的可靠性方向发展,传统引线键合技术已经无法满足要求。先进的倒装芯片封装技术由于具有较高的单位面积内I/O数量、短的信号路径、高的散热性、良好的电学和热力学性能,在电子封装中被广泛关注。底部填充胶被填充在芯片与基板之间的间隙,来降低芯片与基板热膨胀系数不匹配产生的应力,提高封装的稳定性。然而,流动底部填充胶依赖于胶的毛细作用进行填充,存在很多缺点。为了克服这些缺点,出现了非流动底部填充胶,以改善倒装芯片底部填充工艺。文章回顾了倒装芯片封装技术的发展,阐述了流动和非流动底部填充胶的施胶方式和性质。

填充不流动胶的倒装焊封装中芯片的断裂问题

用断裂力学方法和有限元模拟分析了填充不流动胶芯片断裂问题 .模拟时在芯片上表面中心预置一裂缝 ,计算芯片的应力强度因子和能量释放率 .模拟表明 ,由固化温度冷却到室温时 ,所研究的倒装焊封装在填充不流动胶时芯片断裂临界裂纹长度为 12 μm,而填充传统底充胶时为 2 0 μm.模拟结果显示芯片断裂与胶的杨氏模量和热膨胀系数相关 ,与胶的铺展关系不大 .焊点阵列排布以及焊点位置也会影响封装整体翘曲和芯片断裂 .

芯片封装互连新工艺热超声倒装焊的发展现状

介绍了一种芯片封装互连新工艺热超声倒装芯片连接工艺。在比较当前多种芯片封装方式的基础上,总结了这一工艺的特点及优越性,并详细论述了当前这一工艺的技术进展与理论研究状况,指出该工艺是芯片封装领域中具有发展潜力的新工艺。

倒装芯片封装技术的凸点、压焊及下填充

简要叙述了IBM公司的倒装片技术,包括凸点形成技术、压焊技术和下填充技术,并展望了倒装片技术的发展前景。

倒装芯片封装电迁移失效仿真研究

随着电子封装发展趋于微型化,由倒装芯片封装的电迁移失效而引起的可靠性问题日益严重。运用ANSYS软件建立了倒装芯片三维封装模型,仿真计算得到电-热-力多物理场耦合下互连结构的温度分布、电流密度分布、焦耳热分布和应力分布,深入研究了焊球材料和铜布线结构及铜布线尺寸对电迁移失效的影响,结果表明优化后的电流密度缩小了4倍,电迁移失效寿命提高了8.4倍。

以氮化铝陶瓷为基板的倒装式封装工艺研究

详细比较了氮化铝的各种金属化工艺。分别研究化学镀镍与激光诱导淀积实现金属化的方法。测量表明，两种方法制备的金属层与氮化铝的粘附力均大于10MPa。同时对这两钟方法的特点与适用范围进行概述。

倒装片封装与芯片规模封装的综合比较及其发展前景

本文主要论述了现代微电子封装技术中倒装片封装技术和芯片规模封装技术的结构类型,应用产品,倒装片与晶片级规模封装,并阐述了倒装片封装与芯片规模封装的综合比较及其发展前景。

倒装芯片封装技术及内部应力检测技术探析

当前,倒装芯片封装技术已经成为相关领域的主流方法,但由于芯片、基板、焊球、下填料等材料具有差异化的热膨胀系数,导致封装过程中极易引入热应力,不利于保持芯片的性能及其可靠性。采用有效方法能够对倒装封装过程中所产生的应力进行检测,对于完善封装参数,提高产品可靠性,具有重要的现实意义。

高可靠先进微系统封装技术综述

在人工智能、航空航天、国防武器装备电子系统小型化、模块化、智能化需求驱动下,系统级封装设计及关键工艺技术取得了革命性突破。新型的系统封装方法可把不同功能器件集成在一起,并实现了相互间高速通讯功能。封装工艺与晶圆制造工艺的全面融合,使封装可靠性、封装效率得到极大的提升,封装寄生效应得到有效抑制。文章概述了微系统封装结构及类型,阐述了高可靠晶圆级芯片封装(WLP)、倒装焊封装(BGA)、系统级封装(SIP)、三维叠层封装、TSV通孔结构的实现原理、关键工艺技术及发展趋势。

倒装焊封装中无铅焊点在封装工艺中的热机械力学分析

采用粘塑性Garofalo—Arrhenius模型描述无铅焊料的蠕变行为，确定了96．5Sn3.5Ag焊点材料的模型参数。采用与固化过程相关的粘弹性力学模型描述倒装焊底充胶的力学行为。利用有限元法模拟了无铅板上倒装焊在封装工艺及热循环条件下的应力应变行为。结果表明由于无铅技术在封装中的引入，封装工艺对倒装焊器件的影响更为重要。

芯片级封装和倒装焊芯片封装的比较

随着电子工业不断扩展新的领域并改进现有产品,原始设备制造商(OEM)正在寻找新的方法使他们的产品更小、更轻和更便宜。从电学观点来看,集成电路的经典标准封装只增加很少的价值,这些封装保护IC免受外部环境的侵害,使芯片易于操作和测试。为消除经典封装和减小尺寸、重量、成本所做的努力,产生了新的替代方法,一般称之为芯片尺寸方法,其中包括倒装芯片(FC)和芯片级封装(CSP)。一、背景情况倒装芯片(FC)技术是在60年代首先由IBM公司设想并研制出来的。芯片级封装(CSP)最早被定义为增大面积不超过硅芯片面积20%的一种封装。

发光二极管倒装式封装新技术

发光二极管(LED)正在以飞速的市场渗透率出现在你我的周围;工业照明、商业照明、景观照明、家用照明等领域都大量涌现了LED光源,成为未来照明的发展趋势。但目前市场上LED产品的质量参差不齐。而更新更好的LED封装技术必将大大提高LED成品率、寿命及综合性能。倒装(Flip-chip)式封装技术凭借着先进的技术优势,将会获得更大推广及运用,并促进LED照明整体水平提升一个新台阶。通过工艺、光电性能及使用寿命等方面,以实验数据说明了倒装式封装的优势。

倒装焊封装工艺缺陷及检测方法研究

针对面阵列倒装焊封装结构内部互连工艺质量检测难度大的问题,提出了适用于倒装焊封装典型工艺缺陷的检测方法,阐述了光学二维视觉检测、X射线检测等常用缺陷检测技术的原理和工艺适用性,为倒装焊封装工艺质量提升提供有效技术参考。

倒装片封装引领风骚 2003年大展身手

2000年起,英特尔的Slot1架构全部转为Socket370,封装则采用Flip Chip PGA封装技术;其845芯片组目前也以倒装片技术进行封装。其后,英特尔的主要竞争者AMD也开始相继采用倒装片封装。在移动通讯的应用上,如索尼爱立信的蓝牙模块,也已经跨入倒装片封装的领域。2002年封装大厂的技术发展主力,多着重在倒装片技术能量的布局,在产品特性需求的驱动下,预计倒装片技术的应用将在2003年开始起飞。

倒装焊封装器件热仿真校准技术研究

倒装焊封装器件的热仿真对产品的散热评估与缩短产品设计周期具有重要的意义。针对倒装焊器件热仿真与实际热阻测试结果存在误差的情况,对误差来源进行了分析;同时,提出了一种根据热阻测试结果校准热仿真的方法。利用结壳热阻测试倒装焊封装器件,分步校准芯片衬底、导热胶、Bump和底填料等材料参数,以此来提高仿真结果的可信性与准确性。

倒装芯片封装极具竞争力

随着倒装芯片封装在成本和性能上的不断改进,加上键合金线价格的不断攀升,从手机到游戏机芯片的各种应用领域里,倒装芯片技术都变得更具竞争力。

宇航用非密封陶瓷倒装芯片封装FPGA质量保证技术分析

通过理论分析以及对国内外相关质量保证标准和论文分析,系统地介绍了非密封陶瓷倒装芯片封装FPGA产品的结构特点,分析了非密封陶瓷倒装芯片封装FPGA产品的封装评价要求、筛选试验以及鉴定检验要求,对于解决未来国产高密度非密封陶瓷倒装芯片封装FPGA产品的质量保证技术问题具有一定的指导意义。