倒装芯片技术分析

倒装芯片封装技术(FC)是由IBM公司在上个世纪60年代开发的,即将芯片正面朝下向基板进行封装。本文论述了倒装芯片技术的优点,并对其凸点形成技术、测试技术、压焊技术和下填充技术进行了分析,为倒装芯片技术的发展提供借鉴。

倒装芯片技术如何改变LED产业

近日，博恩世通光电股份有限公司总经理林宇杰分享了倒装芯片的应用优势以及未来封装发展趋势。

倒装芯片互连技术在光电子器件封装中的应用

分析了倒装芯片技术在光电子器件封装中应用时对基板和焊料的性能要求,在硅基板上设计和制作了用于激光芯片和光电探测器贴片的焊料凸点结构,并应用全自动贴片设备进行了贴片工艺试验.试验结果表明,倒装芯片技术可实现芯片与基板的高精度、高可靠性的互连,这种技术用于光收发器件的封装,可实现光电子器件的小型化和批量化生产,并能大大提高光收发模块的传输速率.

倒装芯片封装技术概论

高密度电子封装正朝着小型化、高I/O密度、更好的散热性和高的可靠性方向发展,传统引线键合技术已经无法满足要求。先进的倒装芯片封装技术由于具有较高的单位面积内I/O数量、短的信号路径、高的散热性、良好的电学和热力学性能,在电子封装中被广泛关注。底部填充胶被填充在芯片与基板之间的间隙,来降低芯片与基板热膨胀系数不匹配产生的应力,提高封装的稳定性。然而,流动底部填充胶依赖于胶的毛细作用进行填充,存在很多缺点。为了克服这些缺点,出现了非流动底部填充胶,以改善倒装芯片底部填充工艺。文章回顾了倒装芯片封装技术的发展,阐述了流动和非流动底部填充胶的施胶方式和性质。

BGA/CSP/倒装芯片技术的发展

本文介绍了几种先进的电子封装技术:球栅阵列(BGA)、芯片规模封装(CSP)以及倒装芯片技术的特点、发展和应用领域,分析了当前及今后一段时间内微电子封装技术的发展趋势,从市场角度预测未来这几种封装技术的比较优势及各自的市场份额。

倒装芯片集成电力电子模块

倒装芯片(Flip Chip,FC)技术广泛应用于微电子封装中,将该技术引入到三维的集成电力电子模块(Integrated Power Electronics Module,IPEM)的封装中,可以构成倒装芯片集成电力电子模块(FC-IPEM)。该文详细介绍FC-IPEM的结构和组装程序。在实验室完成由两只MOSFET和驱动、保护等电路构成的半桥FC-IPEM,并采用它构成同步整流Buck变换器,对半桥FC-IPEM进行电气性能测试,最后给出测试结果。

倒装芯片集成电力电子模块寄生参数的建模

采用球栅阵列芯片尺寸封装技术和倒装芯片(Flip Chip,FC)技术构建了半桥集成电力电子模块(Integrated Power Electronics Module,IPEM),半桥FC-IPEM实现三维封装结构。采用阻抗测量法提取模块寄生电感和寄生电容,建立模块的寄生参数模型,对模块进行电气性能测试。结果表明:半桥FC-IPEM构成的同步整流Buck变换器输出滤波电感中的电流波动幅度小于0.6A。

倒装芯片封装极具竞争力

随着倒装芯片封装在成本和性能上的不断改进,加上键合金线价格的不断攀升,从手机到游戏机芯片的各种应用领域里,倒装芯片技术都变得更具竞争力。

晶元光电：倒装和高压芯片将实现LED的无限可能

近年来，在芯片领域，倒装芯片技术正异军突起，特别是在大功率、户外照明的应用市场上颇受欢迎。同时，成本、散热等问题一直困扰LED室内照明产品性价比的提升，而高压芯片解决方案的适时出现，也有望成为照明灯具低成本高光效的一个有效解决方案。

MEMS封装技术研究进展与趋势

介绍了MEMS(microelectromechanicalsystems)封装技术的研究现状和存在的问题,重点介绍了倒装芯片技术(flip chiptechnology简称FCT)、上下球栅阵列封装技术和多芯片模块封装技术三种很有前景的封装技术的特点及其在MEMS领域的应用实例,并且对MEMS封装有可能的发展趋势进行了分析。

MEMS封装技术的现状与发展趋势

介绍MEMS(MicroElectromechanicalSystem)封装技术的难点和现状,重点介绍倒装芯片技术(FCT)、上下球栅阵列封装技术(TB-BGA)和多芯片封装技术(MCMs)三种很有前景的封装技术的特点,并且对MEMS封装的发展趋势进行分析。

微电子封装技术的现状及发展

论述了微电子封装技术的发展状况,介绍了微电子封装的代表性技术,包括带载封装(TCP)、栅阵列封装(BGA)、倒装芯片技术(FCT)、芯片规模封装(CSP)、多芯片模式(MCM)、三维(3D)封装等,并概述了其发展趋势。

柔性电子封装技术研究进展与展望

柔性电子以其独特的柔性/延展性,在信息、能源、医疗与国防等领域具有广泛的应用前景。而柔性电子技术的可弯曲及可延展特性对其封装技术提出了更高要求。以柔性电子封装技术为重点,综述柔性电子制造中的特殊工艺制程,包括倒装芯片技术和CIF(Chip in Flex)封装技术的研究进展,并展望柔性电子中封装技术的发展趋势。

大功率白光LED封装工艺技术与研制

与传统的白炽灯、荧光灯照明相比,由于大功率白光LED具有显著的节能、环保、使用寿命长等一系列不可比拟的优势,代表着新型绿色、环保照明的发展方向,正迅速进军照明领域。从1W大功率白光LED的封装工艺技术出发,在分析比较了几种产生白光LED方法的成本、性能的基础上,最终选取性价比相对较高的"蓝光芯片+YAG荧光粉"产生白光LED的制作方法。实践证明,在提高大功率白光LED发光效率、均匀性和稳定性等方面,还需要进一步开发新材料,采用新工艺。

微系统集成用倒装芯片工艺技术的发展及趋势

倒装芯片(Flip Chip,FC)技术是一种应用广泛的集成电路电子封装技术。随着电子产品不断向小型化和多功能化方向升级,尤其是在微系统集成领域飞速发展的驱动下,FC技术也在不断发展以满足细节距和极细节距芯片的封装要求。同时,FC技术也在工业化的过程中追求着性能、成本和封装效率的平衡。将FC封装体分为芯片凸点、基板以及底填充材料三个主要部分,深入讨论了FC封装的主流工艺和新兴工艺,介绍了各个工艺的流程及优缺点。此外,还分析了FC封装体在热、力以及电载荷作用下的可靠性问题。

电镀方法制备锡铅焊料凸点

介绍了利用甲磺酸锡铅合金镀液制备电镀凸点的工艺过程 ,讨论了影响电镀质量的工艺参数 :表面光亮度、分散及覆盖能力、沉积速率等 .研究发现 ,电流密度Dk 与最低搅拌转速密切相关 .在相同的时间里 ,Dk越大 ,镀液的分散能力越稳定 ,合金的沉积速率也越高 .在甲磺酸质量分数、Dk 一定的条件下 ,适当地提高搅拌转速有利于改善凸点的电镀质量 .对电镀凸点的剪切强度测试表明 。

提高LED外量子效率的研究进展

近年来半导体照明光源-发光二极管(LED)产业和技术发展迅速,取代传统白炽灯的步伐越来越快,相关核心技术的研究也成为各国研究的热点,但LED的发光效率和制造成本依然是阻碍LED绿色照明光源普遍推广应用的一个绊脚石。文章简述了提高外量子效率的几种有效途径,如表面微粗化技术、芯片非极性面/半极性面生长技术、倒装芯片技术、生长分布布喇格反射层(DBR)结构、激光剥离技术,纳米压印与SU8胶相结合技术、光子晶体技术等。

焊料凸点回流时的桥接现象研究

在用回流焊料凸点时,常会发生凸点的桥接现象,致使芯片报废。此时,相邻的多个凸点彼此融合,聚集成一个更大的焊料球,并吸干先前各凸点中的焊料。本文研究了电镀PbSn凸点和蒸发铟凸点的回流过程中出现的桥接现象。介绍了桥接现象产生的过程及其背景,分析了桥接现象的机理,提出了改进措施。