IMC厚度对倒装芯片组装微焊点热疲劳寿命的影响

为研究微焊点中金属间化合物(IMC)比例不断增加对其热疲劳可靠性的影响,构建了细间距倒装芯片组装的有限元模型,探讨热循环条件下微焊点的累积损伤与疲劳寿命;采用Darveaux疲劳寿命预测模型建立损伤尺度与热循环次数间的关系,定量计算不同IMC厚度下微焊点的疲劳寿命。结果表明,在稳定热循环条件下,随着微焊点中IMC厚度的增加,微焊点的累积塑性应变能密度增量增大,疲劳寿命降低;当IMC在微焊点中所占比例达到80%时,微焊点的疲劳寿命降低约25%,但IMC厚度的增加对微焊点疲劳裂纹的萌生位置几乎没有影响。

ASE和IBM二公司在倒装芯片组装中进行合作

据可靠消息，台湾ASE(日月光半导体制造公司)和美国IBM公司在倒装芯片组装技术方面相互合作，采用IBM公司开发的SLC(Surface Laminar Circuit)基板，共同开发第二代的倒装芯片组装技术。ASE公司采用该基板进行倒装芯片组件的设计、制造、安装等。另外，二公司计划共同提供基板组装的设计服务等。

倒装芯片组装中微米级互连焊点的界面金属间化合物生长及动力学

利用焊点间距为100μm,高度约为45μm,成分为Sn-3.0Ag-0.5Cu(wt%)(SAC305)的倒装硅芯片与BT树脂基板组装互连,分别在150、125和100℃条件下时效至650 h。研究时效过程中界面主要金属间化合物的生长,结合经验功率定律及阿伦斯公式计算基板侧Cu焊盘界面IMC生长的动力学参数,对IMC的生长动力学探讨。结果表明,在互连回流后,双侧焊盘界面主要IMC为(Cu,Ni)6Sn5。在时效前100 h,(Cu,Ni)6Sn5生长速率较快;而在随后的时效过程中,随时效时间的增加生长速率逐渐降低。界面主要金属间化合物(Cu,Ni)6Sn5生长动力学研究结果可知:150、125以及100℃条件下时间参数分别为2.61、2.35和2.18,界面(Cu,Ni)6Sn5的生长激活能为67.89 kJ/mol。