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基于AlGaN/GaNHEMT的功率放大器的研究进展 被引量：3
1
作者 王冲 刘道广 +1 位作者 郝跃 张进城 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2005年第3期245-247,共3页
介绍了几类常见的基于AlGaN/GaNHEMT的微波功率放大器;论述了制造微波功率放大器的两种关键工艺技术———倒装芯片集成(FCIC)和共平面线(CPW);分析了自行研制的微波功率放大器核心器件AlGaN/GaNHEMT的性能。
关键词 微波功率放大器 微波集成电路 高电子迁移率器件 ALGAN/GAN 倒装芯片集成 共平面线
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