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金属反射层制备工艺对倒装LED芯片光电性能的影响
1
作者
刘智超
林海峰
郭贵田
《厦门理工学院学报》
2024年第1期23-28,共6页
为了解决倒装GaN基LED芯片中金属反射层的Ag原子迁移问题,提高反射层的反射率和稳定性,采用Ag作为GaN基倒装LED芯片反射层薄膜材料;在Ag层上蒸镀TiW保护层,改变Ag反射镜制备过程中Ag/TiW溅射功率、Ar气体流量等工艺参数,研究其对LED芯...
为了解决倒装GaN基LED芯片中金属反射层的Ag原子迁移问题,提高反射层的反射率和稳定性,采用Ag作为GaN基倒装LED芯片反射层薄膜材料;在Ag层上蒸镀TiW保护层,改变Ag反射镜制备过程中Ag/TiW溅射功率、Ar气体流量等工艺参数,研究其对LED芯片光电性能的影响。实验结果表明,当Ag溅射功率为200 W、TiW溅射功率为3 000 W、环境Ar气流量为150 mL/min时,LED芯片的工作电压和出光功率分别为2.91 V、1 247.03 mW,在400~800 nm波段,金属反射层的反射率平均提高了约0.31%,460 nm处的反射率高达96.70%,且产品的综合良率提升了约1.17%。
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关键词
倒装
led
芯片
光电性能
金属反射层
Ag/TiW溅射功率
Ar气体流量
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职称材料
焊接工艺对倒装芯片LED可靠性影响综述
2
作者
聂呈呈
《中国照明电器》
2023年第2期5-12,共8页
随着倒装芯片LED(FC LED)技术的发展,FC LED在其性能工艺等方面都有了很大的改进,焊接时产生的问题日益突出,对焊接工艺的要求越来越高。焊接时如操作不当会产生空洞,空洞的存在对FC LED的可靠性会产生较大的影响。本文综述了倒装芯片(F...
随着倒装芯片LED(FC LED)技术的发展,FC LED在其性能工艺等方面都有了很大的改进,焊接时产生的问题日益突出,对焊接工艺的要求越来越高。焊接时如操作不当会产生空洞,空洞的存在对FC LED的可靠性会产生较大的影响。本文综述了倒装芯片(FC LED)的发展现状、研究热点、相关技术,主要介绍了焊接工艺及其可靠性影响。
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关键词
倒装芯片led
焊接工艺
空洞
可靠性
原文传递
GaN基倒装焊LED芯片的热学特性模拟与分析
被引量:
2
3
作者
董向坤
杜晓晴
+2 位作者
钟广明
唐杰灵
陈伟民
《光电子技术》
CAS
北大核心
2012年第2期113-118,共6页
采用有限元方法建立了GaN基倒装LED芯片的三维热学模型,并对其温度分布进行模拟,比较了在不同凸点(焊点)分布、不同粘结层材料与厚度、不同蓝宝石衬底厚度及蓝宝石图形化下的倒装芯片温度分布,研究了粘结层空洞对倒装芯片热学特性的影响...
采用有限元方法建立了GaN基倒装LED芯片的三维热学模型,并对其温度分布进行模拟,比较了在不同凸点(焊点)分布、不同粘结层材料与厚度、不同蓝宝石衬底厚度及蓝宝石图形化下的倒装芯片温度分布,研究了粘结层空洞对倒装芯片热学特性的影响,并根据芯片传热模型对模拟结果进行了分析。
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关键词
GaN基
倒装
led
芯片
温度分布
有限元数值模拟
凸点分布
蓝宝石图形化
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职称材料
倒装LED芯片的焊料互连可靠性评估
被引量:
3
4
作者
蒋富裕
陈亮
+1 位作者
张文林
夏卫生
《电子工艺技术》
2017年第4期187-189,207,共4页
对比测试了两类不同焊垫的倒装LED芯片的焊料互连可靠性。结果表明,采用金锡共晶合金焊垫和金焊垫的倒装LED芯片适于金锡共晶焊,具有高的互连焊点可靠性,但共晶倒装焊设备昂贵,制造成本很高;若采用普通锡基焊料封装,则由于液-固和固-固...
对比测试了两类不同焊垫的倒装LED芯片的焊料互连可靠性。结果表明,采用金锡共晶合金焊垫和金焊垫的倒装LED芯片适于金锡共晶焊,具有高的互连焊点可靠性,但共晶倒装焊设备昂贵,制造成本很高;若采用普通锡基焊料封装,则由于液-固和固-固界面的焊料反应,导致焊料与焊垫之间出现严重的界面不稳定状态,进而引起不受控的焊点剥离等一系列可靠性问题。而在倒装LED芯片的焊垫材料表层增加一层焊料阻挡层,则可以通过简单的工艺流程实现高可靠的互连封装。
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关键词
倒装
led
芯片
焊料互连
可靠性
焊料阻挡层
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职称材料
反射层对倒装LED芯片性能的影响
被引量:
2
5
作者
郝锐
武杰
+3 位作者
吴魁
李玉珠
易翰翔
吴懿平
《电子工艺技术》
2019年第3期125-129,178,共6页
对比研究了倒装LED芯片的银镜倒装和DBR倒装两种技术方案各自特点。结果表明:银镜倒装芯片具有高电流密度驱动的优势;DBR倒装芯片具有良好的机械强度及工艺成熟特点。DBR在垂直方向入射的反射率较高,但大角度掠射的反射效果略差。金属...
对比研究了倒装LED芯片的银镜倒装和DBR倒装两种技术方案各自特点。结果表明:银镜倒装芯片具有高电流密度驱动的优势;DBR倒装芯片具有良好的机械强度及工艺成熟特点。DBR在垂直方向入射的反射率较高,但大角度掠射的反射效果略差。金属反射膜虽然整体的反射率低一些,但各个角度反射率保持得很好,可以弥补DBR斜角入射反光的不足。
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关键词
倒装
led
芯片
DBR
银镜
高压
倒装
led
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职称材料
TCL+DBR与Ag+DBR倒装结构LED芯片光电性能比较
6
作者
刘英策
《厦门理工学院学报》
2019年第5期65-70,共6页
为给产业提供有效的参考,在同一的外延结构下,设计了TCL(透明导电层)+DBR(布拉格反射层)和Ag+DBR两种不同的结构倒装芯片,并实验对比两种结构的光电性能。结果显示:在500 mA的驱动电流下,相比于TCL+DBR结构的倒装芯片,Ag+DBR结构倒装芯...
为给产业提供有效的参考,在同一的外延结构下,设计了TCL(透明导电层)+DBR(布拉格反射层)和Ag+DBR两种不同的结构倒装芯片,并实验对比两种结构的光电性能。结果显示:在500 mA的驱动电流下,相比于TCL+DBR结构的倒装芯片,Ag+DBR结构倒装芯片的输出亮度提升了8.7%,其饱和电流为1.32 A,比TCL+DBR结构的倒装芯片的饱和电流(1.16 A)高17.5%;同时,相比于TCL+DBR结构的倒装芯片,Ag+DBR结构的倒装芯片显示出更优的效率衰减性能。输出亮度、效率衰减性能的提升以及饱和电流的增加,主要归因于Ag+DBR结构的倒装芯片具有更佳的热分布效果、更宽的发光角度和更优的电流扩展效果。
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关键词
led
倒装
芯片
TCL+DBR结构
Ag+DBR结构
光电性能
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职称材料
TiO_2含量对倒装LED白光封装的发光性能的影响
被引量:
3
7
作者
李金玉
谢冰
章少华
《南昌大学学报(理科版)》
CAS
北大核心
2015年第1期56-59,共4页
平面封装工艺正在应用于LED闪光灯等产品的制造。针对白光LED高光效、高散热、色温一致性的要求,利用新型的倒装LED芯片,并采用荧光粉和亚微米级TiO2颗粒分离的平面封装工艺制备白光LED,研究了不同TiO2掺杂硅胶的浓度对白光LED光通量、...
平面封装工艺正在应用于LED闪光灯等产品的制造。针对白光LED高光效、高散热、色温一致性的要求,利用新型的倒装LED芯片,并采用荧光粉和亚微米级TiO2颗粒分离的平面封装工艺制备白光LED,研究了不同TiO2掺杂硅胶的浓度对白光LED光通量、色温、显色指数等发光性能的影响。实验结果表明,0.4wt%的TiO2掺杂浓度比无TiO2掺杂的白光LED的光通量增长约6%,随着TiO2掺杂的质量百分比的继续增加,光通量逐渐减小。当TiO2的掺杂浓度到达5wt%时,光通量比无TiO2掺杂的白光LED的光通量减小了25%。在硅胶中掺杂TiO2能有效改善白光LED侧面漏蓝光的现象。
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关键词
倒装
led
芯片
亚微米级TiO2掺杂硅胶
白光
led
光通量
色温
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职称材料
p型GaN上Pd/NiO/Al/Ni反射电极欧姆接触的热稳定性研究
被引量:
1
8
作者
左秉鑫
曾昭烩
+5 位作者
李祈昕
李叶林
刘宁炀
赵维
陈志涛
李云平
《半导体光电》
CAS
北大核心
2020年第2期242-246,共5页
研究了p型GaN上Pd/NiO/Al/Ni反射电极欧姆接触的比接触电阻率、热稳定性,以及光学反射率。与传统Pd/Al/Ni电极相比,Pd/NiO/Al/Ni电极的欧姆接触在氮气环境中经300℃下热处理10min后,仍保持低比接触电阻率(小于5×10-4Ω·cm2)...
研究了p型GaN上Pd/NiO/Al/Ni反射电极欧姆接触的比接触电阻率、热稳定性,以及光学反射率。与传统Pd/Al/Ni电极相比,Pd/NiO/Al/Ni电极的欧姆接触在氮气环境中经300℃下热处理10min后,仍保持低比接触电阻率(小于5×10-4Ω·cm2)和高反射率(大于80%@365nm)。研究获得的优化Pd/NiO层厚度为1nm/2nm,此时的Pd/NiO/Al/Ni反射电极既能形成良好的欧姆接触,拥有低比接触电阻率,又能减少对紫外光的吸收,保持高反射率。研究表明适当的NiO层厚度能够有效地防止热处理过程中上层Al金属向p-GaN表面层的渗入,对于制备高质量的Al基反射电极至关重要。
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关键词
GAN
电极材料
欧姆接触
热稳定性
倒装
紫外
led
芯片
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职称材料
题名
金属反射层制备工艺对倒装LED芯片光电性能的影响
1
作者
刘智超
林海峰
郭贵田
机构
福建省光电技术与器件重点实验室
厦门士兰明镓化合物半导体有限公司
出处
《厦门理工学院学报》
2024年第1期23-28,共6页
基金
福建省自然科学基金项目(2022J011274)。
文摘
为了解决倒装GaN基LED芯片中金属反射层的Ag原子迁移问题,提高反射层的反射率和稳定性,采用Ag作为GaN基倒装LED芯片反射层薄膜材料;在Ag层上蒸镀TiW保护层,改变Ag反射镜制备过程中Ag/TiW溅射功率、Ar气体流量等工艺参数,研究其对LED芯片光电性能的影响。实验结果表明,当Ag溅射功率为200 W、TiW溅射功率为3 000 W、环境Ar气流量为150 mL/min时,LED芯片的工作电压和出光功率分别为2.91 V、1 247.03 mW,在400~800 nm波段,金属反射层的反射率平均提高了约0.31%,460 nm处的反射率高达96.70%,且产品的综合良率提升了约1.17%。
关键词
倒装
led
芯片
光电性能
金属反射层
Ag/TiW溅射功率
Ar气体流量
Keywords
flip
led
chip
photoelectric performance
metal reflector layer
Ag/TiW sputtering power
Ar gas
分类号
TN312.8 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
焊接工艺对倒装芯片LED可靠性影响综述
2
作者
聂呈呈
机构
山东省环能设计院股份有限公司
出处
《中国照明电器》
2023年第2期5-12,共8页
文摘
随着倒装芯片LED(FC LED)技术的发展,FC LED在其性能工艺等方面都有了很大的改进,焊接时产生的问题日益突出,对焊接工艺的要求越来越高。焊接时如操作不当会产生空洞,空洞的存在对FC LED的可靠性会产生较大的影响。本文综述了倒装芯片(FC LED)的发展现状、研究热点、相关技术,主要介绍了焊接工艺及其可靠性影响。
关键词
倒装芯片led
焊接工艺
空洞
可靠性
Keywords
flip chip
led
welding process
voids
reliability
分类号
TN312.8 [电子电信—物理电子学]
TG40 [金属学及工艺—焊接]
原文传递
题名
GaN基倒装焊LED芯片的热学特性模拟与分析
被引量:
2
3
作者
董向坤
杜晓晴
钟广明
唐杰灵
陈伟民
机构
光电技术与系统教育部重点实验室
出处
《光电子技术》
CAS
北大核心
2012年第2期113-118,共6页
基金
重庆市自然科学基金资助项目(cstc2011jjA0126)
文摘
采用有限元方法建立了GaN基倒装LED芯片的三维热学模型,并对其温度分布进行模拟,比较了在不同凸点(焊点)分布、不同粘结层材料与厚度、不同蓝宝石衬底厚度及蓝宝石图形化下的倒装芯片温度分布,研究了粘结层空洞对倒装芯片热学特性的影响,并根据芯片传热模型对模拟结果进行了分析。
关键词
GaN基
倒装
led
芯片
温度分布
有限元数值模拟
凸点分布
蓝宝石图形化
Keywords
GaN-based flip-chip
led
s
temperature distribution
finite-element method nu-merical simulation
bump configurations
sapphire surface roughening
分类号
O482.31 [理学—固体物理]
TK124 [动力工程及工程热物理—工程热物理]
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职称材料
题名
倒装LED芯片的焊料互连可靠性评估
被引量:
3
4
作者
蒋富裕
陈亮
张文林
夏卫生
机构
广东天圣高科股份有限公司
华中科技大学材料科学与工程学院
珠海市一芯半导体科技有限公司
出处
《电子工艺技术》
2017年第4期187-189,207,共4页
基金
广东省产学研计划基金项目(项目编号:2013B090600031)
文摘
对比测试了两类不同焊垫的倒装LED芯片的焊料互连可靠性。结果表明,采用金锡共晶合金焊垫和金焊垫的倒装LED芯片适于金锡共晶焊,具有高的互连焊点可靠性,但共晶倒装焊设备昂贵,制造成本很高;若采用普通锡基焊料封装,则由于液-固和固-固界面的焊料反应,导致焊料与焊垫之间出现严重的界面不稳定状态,进而引起不受控的焊点剥离等一系列可靠性问题。而在倒装LED芯片的焊垫材料表层增加一层焊料阻挡层,则可以通过简单的工艺流程实现高可靠的互连封装。
关键词
倒装
led
芯片
焊料互连
可靠性
焊料阻挡层
Keywords
flip-chip
led
solder interconnection
reliability
solder barrier layer
分类号
TN60 [电子电信—电路与系统]
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职称材料
题名
反射层对倒装LED芯片性能的影响
被引量:
2
5
作者
郝锐
武杰
吴魁
李玉珠
易翰翔
吴懿平
机构
五邑大学应用物理与材料学院
广东德力光电有限公司
华中科技大学连接与电子封装中心
出处
《电子工艺技术》
2019年第3期125-129,178,共6页
基金
广东省省级科技计划项目(2017B010127001)
文摘
对比研究了倒装LED芯片的银镜倒装和DBR倒装两种技术方案各自特点。结果表明:银镜倒装芯片具有高电流密度驱动的优势;DBR倒装芯片具有良好的机械强度及工艺成熟特点。DBR在垂直方向入射的反射率较高,但大角度掠射的反射效果略差。金属反射膜虽然整体的反射率低一些,但各个角度反射率保持得很好,可以弥补DBR斜角入射反光的不足。
关键词
倒装
led
芯片
DBR
银镜
高压
倒装
led
Keywords
flip-chip
led
DBR
silver mirror
high voltage flip-chip
led
分类号
TN60 [电子电信—电路与系统]
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职称材料
题名
TCL+DBR与Ag+DBR倒装结构LED芯片光电性能比较
6
作者
刘英策
机构
厦门乾照光电股份有限公司
出处
《厦门理工学院学报》
2019年第5期65-70,共6页
文摘
为给产业提供有效的参考,在同一的外延结构下,设计了TCL(透明导电层)+DBR(布拉格反射层)和Ag+DBR两种不同的结构倒装芯片,并实验对比两种结构的光电性能。结果显示:在500 mA的驱动电流下,相比于TCL+DBR结构的倒装芯片,Ag+DBR结构倒装芯片的输出亮度提升了8.7%,其饱和电流为1.32 A,比TCL+DBR结构的倒装芯片的饱和电流(1.16 A)高17.5%;同时,相比于TCL+DBR结构的倒装芯片,Ag+DBR结构的倒装芯片显示出更优的效率衰减性能。输出亮度、效率衰减性能的提升以及饱和电流的增加,主要归因于Ag+DBR结构的倒装芯片具有更佳的热分布效果、更宽的发光角度和更优的电流扩展效果。
关键词
led
倒装
芯片
TCL+DBR结构
Ag+DBR结构
光电性能
Keywords
flip chip
led
TCL+DBR structure
Ag+DBR structure
photoelectric performance
分类号
TN312.8 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
TiO_2含量对倒装LED白光封装的发光性能的影响
被引量:
3
7
作者
李金玉
谢冰
章少华
机构
南昌大学材料科学与工程学院
南昌大学分析与测试中心
出处
《南昌大学学报(理科版)》
CAS
北大核心
2015年第1期56-59,共4页
基金
江西省科技厅对外合作项目(S00789)
文摘
平面封装工艺正在应用于LED闪光灯等产品的制造。针对白光LED高光效、高散热、色温一致性的要求,利用新型的倒装LED芯片,并采用荧光粉和亚微米级TiO2颗粒分离的平面封装工艺制备白光LED,研究了不同TiO2掺杂硅胶的浓度对白光LED光通量、色温、显色指数等发光性能的影响。实验结果表明,0.4wt%的TiO2掺杂浓度比无TiO2掺杂的白光LED的光通量增长约6%,随着TiO2掺杂的质量百分比的继续增加,光通量逐渐减小。当TiO2的掺杂浓度到达5wt%时,光通量比无TiO2掺杂的白光LED的光通量减小了25%。在硅胶中掺杂TiO2能有效改善白光LED侧面漏蓝光的现象。
关键词
倒装
led
芯片
亚微米级TiO2掺杂硅胶
白光
led
光通量
色温
Keywords
flip-chip
led
submicron TiO2-doped silicone
white
led
luminous flux
correlated color temperature
分类号
TN312.8 [电子电信—物理电子学]
TQ134.11 [化学工程—无机化工]
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职称材料
题名
p型GaN上Pd/NiO/Al/Ni反射电极欧姆接触的热稳定性研究
被引量:
1
8
作者
左秉鑫
曾昭烩
李祈昕
李叶林
刘宁炀
赵维
陈志涛
李云平
机构
中南大学材料科学与工程学院
广东省半导体产业技术研究院
中南大学粉末冶金国家重点实验室
出处
《半导体光电》
CAS
北大核心
2020年第2期242-246,共5页
基金
广州珠江科技新星项目支持项目(201806010087).
文摘
研究了p型GaN上Pd/NiO/Al/Ni反射电极欧姆接触的比接触电阻率、热稳定性,以及光学反射率。与传统Pd/Al/Ni电极相比,Pd/NiO/Al/Ni电极的欧姆接触在氮气环境中经300℃下热处理10min后,仍保持低比接触电阻率(小于5×10-4Ω·cm2)和高反射率(大于80%@365nm)。研究获得的优化Pd/NiO层厚度为1nm/2nm,此时的Pd/NiO/Al/Ni反射电极既能形成良好的欧姆接触,拥有低比接触电阻率,又能减少对紫外光的吸收,保持高反射率。研究表明适当的NiO层厚度能够有效地防止热处理过程中上层Al金属向p-GaN表面层的渗入,对于制备高质量的Al基反射电极至关重要。
关键词
GAN
电极材料
欧姆接触
热稳定性
倒装
紫外
led
芯片
Keywords
GaN
electrode materials
ohmic contact
thermal stability
flip-chip ultraviolet light-emitting diodes
分类号
TN312.8 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
金属反射层制备工艺对倒装LED芯片光电性能的影响
刘智超
林海峰
郭贵田
《厦门理工学院学报》
2024
0
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职称材料
2
焊接工艺对倒装芯片LED可靠性影响综述
聂呈呈
《中国照明电器》
2023
0
原文传递
3
GaN基倒装焊LED芯片的热学特性模拟与分析
董向坤
杜晓晴
钟广明
唐杰灵
陈伟民
《光电子技术》
CAS
北大核心
2012
2
下载PDF
职称材料
4
倒装LED芯片的焊料互连可靠性评估
蒋富裕
陈亮
张文林
夏卫生
《电子工艺技术》
2017
3
下载PDF
职称材料
5
反射层对倒装LED芯片性能的影响
郝锐
武杰
吴魁
李玉珠
易翰翔
吴懿平
《电子工艺技术》
2019
2
下载PDF
职称材料
6
TCL+DBR与Ag+DBR倒装结构LED芯片光电性能比较
刘英策
《厦门理工学院学报》
2019
0
下载PDF
职称材料
7
TiO_2含量对倒装LED白光封装的发光性能的影响
李金玉
谢冰
章少华
《南昌大学学报(理科版)》
CAS
北大核心
2015
3
下载PDF
职称材料
8
p型GaN上Pd/NiO/Al/Ni反射电极欧姆接触的热稳定性研究
左秉鑫
曾昭烩
李祈昕
李叶林
刘宁炀
赵维
陈志涛
李云平
《半导体光电》
CAS
北大核心
2020
1
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职称材料
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