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AlN靶材射频磁控溅射制备AlN薄膜及性质研究
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作者 阿布都艾则孜.阿布来提 杨世才 +3 位作者 简基康 郑毓峰 孙言飞 吴荣 《新疆大学学报（自然科学版）》 CAS 2009年第3期327-331,共5页
以AlN作为靶材,使用射频磁控溅射法在Si(100)和玻璃衬底上,在纯氮气气氛条件下制备得到AlN薄膜,并研究了衬底温度对薄膜的结构,形貌和性质的影响.实验表明,衬底温度为370℃的条件下制备的AlN薄膜具有C轴择优取向,薄膜表面均匀、致密和平... 以AlN作为靶材,使用射频磁控溅射法在Si(100)和玻璃衬底上,在纯氮气气氛条件下制备得到AlN薄膜,并研究了衬底温度对薄膜的结构,形貌和性质的影响.实验表明,衬底温度为370℃的条件下制备的AlN薄膜具有C轴择优取向,薄膜表面均匀、致密和平整,均方根粗糙度为4.83nm.随着基片温度的增加,薄膜的折射率增加,对应着薄膜从非晶态到晶态过程的演变. 展开更多
关键词 AlN靶 射频溅射 倾斜扫描(std) AFM 折射率
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