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偏压加强MPCVD法Ir(100)/MgO(100)基片上金刚石异质外延形核 被引量:4
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作者 李义锋 佘建民 +3 位作者 苏静杰 唐伟忠 李效民 徐小科 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第4期896-901,共6页
利用自行研制的可调谐圆柱谐振腔式微波等离子体化学气相沉积(MPCVD)装置的结构优势,设计了电极可调节的偏压加强MPCVD装置。采用脉冲激光沉积(PLD)法制备了Ir(100)/MgO(100)基片。采用偏压加强MPCVD装置进行了金刚石异质外延... 利用自行研制的可调谐圆柱谐振腔式微波等离子体化学气相沉积(MPCVD)装置的结构优势,设计了电极可调节的偏压加强MPCVD装置。采用脉冲激光沉积(PLD)法制备了Ir(100)/MgO(100)基片。采用偏压加强MPCVD装置进行了金刚石异质外延形核的探索,在Ir(100)/MgO(100)基片上实现了金刚石异质外延形核。扫描电镜结果显示,[100]取向的金字塔状外延金刚石晶粒的形核密度达108~109cm-2。 展开更多
关键词 金刚石 异质外延 化学气相沉积 微波等离子体 偏压加强
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