负电子亲合势GaAs光电阴极稳定性的研究

本文采用在超高真空系统中引入少量Ａｒ气及在激活到最高灵敏度时维持一定Ｃｓ蒸气压的方法，改进了激活系统的环境气氛，使阴极在台内的寿命得到极大地延长，为封管提供了足够的时间文中还探讨了影响阴极稳定性的重要因素。

用异质结构控制GaN阴极电子发射

从自洽求解薛定谔方程和泊松方程出发,研究了GaN异质结构上偏压变化时异质结电场的变化。发现异质结量子阱能把外电场屏蔽在异质界面以外。利用这种异质结量子阱的屏蔽效应,可以使外电场都降落在异质结表面来控制表面势。为了把表面电势剪裁成半导体阴极所需的陡直下降的电势结构,进一步深入研究了双势垒异质结的电场结构,发现外面的异质结能屏蔽里面异质结的势垒。利用这种双势垒异质结的屏蔽效应设计出可由偏压直接控制电子亲合势的异质结构,从而为半导体阴极开辟出一条新的研究途径。

GaAs阴极激活氧源获得技术研究

为满足制备GaAs阴极高灵敏度的需要,对三种获得高纯氧的方法进行了试验研究。结果表明,膨胀法进氧纯度最低,银管渗氧纯度高于80%,过氧化钡氧纯度最高,可高达90%。经阴极激活证明,用过氧化钡氧源制成的三代管内阴极灵敏度最高,是获得负电子亲合势高灵敏度阴极的最佳氧源。

其他

O462.3 2001053533透射式GaAs光电阴极激活技术研究=Research on transmissive GaAs photocathode active technique[刊,中]/徐江涛(西安应用光学研究所.陕西,西安(710065))//应用光学.—2000,21(4).—5-7,15通过对成像器件GaAs负电子亲合势(NEA)光电阴极激活技术的研究。运用分析仪器进行工艺质量在线监测,在大、薄、均的GaAs外延层激活出的台内阴极灵敏度大于1300 μA/lm。图4参9(吴淑珍)

其他

O462.3 2003053823砷化镓负电子亲合势光电阴极激活灵敏度在线检测与分析=On-line inspection and analysis of the active sensitivityof GaAs negative electron affinity photocathode[刊,中]/徐江涛(西安光学应用研究所.陕西,西安(710100))//应用光学.—2002,23(1).—26-28,33模拟光电阴极灵敏度测试仪对GaAs阴极激活光源进行校准,并对透、反射阴极光电流比值对灵敏度的影响进行了讨论。实验结果证明,P^+衬底和阴极组件激活灵敏度的差别主要来源于台外工艺质量的影响。

其它

O462.3 2000021331三代微光像增强器GaAs负电子亲合势(NEA)光电阴极稳定性研究=Research on stability of GaAsNEA photocathode of generation Ⅲ image intensifiers[刊,中]/徐江涛(西安应用光学研究所.陕西,西安(710100))//应用光学.-1999,20(2).-6-9针对三代管GaAs阴极灵敏度下降问题,开发工艺过程质量研究,分析影响因素,并经工艺改进解决阴极不稳定问题。图7参4(吴淑珍)

其它光电技术及器件

O462.3 98063949负电子亲合势GaAs光电阴极稳定性的研究=Stabilityof NEA GaAs photocathode[刊,中]/米侃,张景文,赛小峰,何益民,高鸿楷,侯洵(中科院西安光机所半导体室.陕西,西安(710068))//光子学报.—1998,27(2).