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电子设备退化分析的新方法 被引量：1
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作者 马书懿 陈海霞 张汉谋 《兰州大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 2006年第5期106-108,共3页
偏压浸透模型是基于对实际薄膜设备退化的分析而提出的,研究的是类似于薄膜退化过程的导体向绝缘体或半导体的转化过程,并对标准浸透模型和偏压浸透模型做一对比,进一步说明偏压浸透模型更适合于分析实际薄膜的退化．
关键词 薄膜缺陷 标准浸透模型 偏压浸透模型
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