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考虑地震波激振方向的浅埋偏压双联拱黄土隧道动力响应规律研究
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作者 郭子润 梁庆国 +3 位作者 房志群 樊纯坛 陈星宇 孙纬宇 《地震工程学报》 CSCD 北大核心 2023年第3期742-750,共9页
以实际工程为背景,在模型试验结果和数值模拟结果验证合理的基础上,通过建立三维数值模型,研究兰州人工波在不同激振方向下坡-隧体系动力响应规律,通过小波包变换从能量和频域角度对衬砌结构动力响应规律进行分析。研究结果表明:水平、... 以实际工程为背景,在模型试验结果和数值模拟结果验证合理的基础上,通过建立三维数值模型,研究兰州人工波在不同激振方向下坡-隧体系动力响应规律,通过小波包变换从能量和频域角度对衬砌结构动力响应规律进行分析。研究结果表明:水平、竖直面内垂直隧道轴向(X、Z)的地震波在隧道最大埋深处引起较大响应,水平面平行于隧道轴向的地震波(Y)对埋深较浅的洞口处的结构最为不利。频率在0~12.5 Hz范围内的低频波是引起隧道结构响应的主要波段,该频段中竖直向地震波(Z)能量相较于其他方向地震波能量占比最高。地震作用中衬砌结构的存在对坡体内的围岩变形有一定的抑制效应。X、Y向地震波容易引起坡脚附近的围岩发生剪切破坏,Y向地震波对隧道洞口段仰坡的稳定性影响最大;Z向地震波容易造成坡顶附近区域围岩的拉伸破坏,且对隧道拱顶附近产生最不利响应。研究成果对浅埋偏压双联拱隧道的抗震优化设计具有借鉴意义。 展开更多
关键词 黄土联拱隧道 动力响应 小波包变换 激振方向 偏压特征
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浅埋偏压黄土双连拱隧道-边坡地震响应特性研究
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作者 张建 郭子润 +2 位作者 李超杰 岳建平 陈星宇 《公路》 北大核心 2024年第5期457-465,共9页
结合实际工程,在模型试验结果和数值模拟结果验证合理的基础上,以地震作用下浅埋偏压黄土双连拱隧道坡—隧系统动力响应特性作为主要研究目标,选取波形为EL波模拟地震作用,建立有限元三维模型,分析了隧道修建前后坡体动力响应差异和不... 结合实际工程,在模型试验结果和数值模拟结果验证合理的基础上,以地震作用下浅埋偏压黄土双连拱隧道坡—隧系统动力响应特性作为主要研究目标,选取波形为EL波模拟地震作用,建立有限元三维模型,分析了隧道修建前后坡体动力响应差异和不同地震动强度下坡隧系统的动力响应规律。结果表明:边坡加速度放大系数在陡坡段呈现出明显的非线性变化趋势,隧道修建完成后,地震动在陡坡段引起较大响应,而在缓坡段出现一定的加速度饱和现象;隧道的存在对附近围岩有加固效应,而对坡面有一定的劣化效应;地震动引起台阶状护坡交界处以及距坡脚2/3处附近产生较大的剪应变,且这种响应规律随着地震动强度的增加而显著;地震动强度增加时,岩土—结构相互作用增强,浅埋侧隧道拱顶和右拱腰受力更为不利;0.1~6.25 Hz(低频波)的能量占比测点变化规律与加速度沿测点变化规律一致,是引起土体响应和破坏的主要因素;随着高程增加,陡坡段低频波能量占比高,在缓坡段有减小趋势,而高频波变化趋势与低频波变化趋势相反。本研究对黄土地区软弱围岩的双连拱隧道及边坡抗震设计具有一定的借鉴意义。 展开更多
关键词 连拱隧道 黄土边坡 动力响应特征 偏压特征 小波包分析
原文传递
Electrical Characterization of Semiconductor Diode Using Alternating Signal Measurements at Forward Bias
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作者 赵锋 沈君 +2 位作者 朱传云 李乐 王存达 《Transactions of Tianjin University》 EI CAS 2003年第3期193-197,共5页
The general analysis of the forward AC behavior of a semiconductor diode under series mode is pre- sented for the first time.A new method without any particular assumption to characterize a diode was developed. This m... The general analysis of the forward AC behavior of a semiconductor diode under series mode is pre- sented for the first time.A new method without any particular assumption to characterize a diode was developed. This method can accurately measure the dependence of series resistance, junction capacitance, junction vol- tage, ideality factor, and interfacial layer impedance on forward biases. The measurements confirm that the ne- gative capacitance (NC) of Schottky diode is an effect of the junction, and the interfacial layer can be consi- dered as a layer structure with nonlinear resistance and capacitance. 展开更多
关键词 semiconductor diode forward electrical characterization negative capacitance interfacial layer GAN
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