基于车辆偏移阈值的隧道洞口缓和曲线参数研究

为了确定隧道洞口缓和曲线参数的合理取值,建立了隧道洞口附近缓和曲线的计算模型,分析了隧道洞口明暗适应时间、反应时间、缓和曲线起点至隧道洞口距离,确定了有效的适应距离长度,并结合车辆偏移阈值,根据几何关系确定了隧道洞口最小缓和曲线参数随缓和曲线起点至隧道洞口距离的计算图。该计算结果对今后隧道洞口附近线形的设计具有指导意义,避免了JTG D20-2006《公路路线设计规范》中关于隧道洞口内外侧不小于3s设计速度行程长度范围内的线形一致性中定性描述的模糊性。

低功耗CMOS工艺中NMOS管阈值电压偏移的研究

研究了在 LPLV CMOS工艺中 ,用表面沟 PMOS管工艺使 NMOS管的阈值电压发生偏移的问题。在使用表面沟 PMOS管的 LPLV CMOS工艺中 ,NMOS管的多晶栅中的杂质不能达到均匀的分布 ,导致阈值电压发生偏移。文章提出了三个解决方案 。

古建筑彩画照明色彩偏移表现评价定量研究

北京、陕西两个地区的古建筑保存较为完好且有代表性,因此我们对这两个地区的古建筑照明进行了实地调研。在照明设计中,古建筑彩画照明是展现古建筑古韵的最佳承载者,通过研究发现彩画照明效果主要影响因素为光源功率和色温。本文以D65为标准参照光源,以3000 K、4000 K、5000 K、6000 K的4 W、9 W、13 W、20 W LED为实验用灯具对古建筑修复工艺制作的彩画试块,分别进行照射实验,测量色彩偏移指标ΔE,并在同等实验条件下进行主观测试实验,在测定了测试试块的客观色差值和主观感受评价后,通过直线内插法计算6种常用彩画颜色在常用的4种色温(3000 K、4000 K、5000 K、6000 K)下的色彩偏移阈值及其对应的最大功率值,汇总出适用于各颜色彩画照明的LED光源参数,为古建筑彩画照明设计提供参考。

基于信道负载阈值的车联网信标消息生成策略

为了解决车联网中的信道饱和、拥塞以及由此带来的消息冲突问题,研究和设计车联网信标消息生成策略.根据卡尔曼滤波预测时间域关系,提出卡尔曼滤波差分预测方程,建立卡尔曼滤波预测信标消息生成模型.根据信道负载实测值与预设阈值,建立时间间隔自适应调节的信标消息生成模型和策略.通过仿真八车道高速公路基本路段和利用浮动车在长春市某路段行车实验,进行数据采集.对基于信道负载阈值的车联网信标消息生成模型和策略进行验证,开展相关分析.结果表明,提出的该分布式策略在满足车联网应用所需的位置信息准确度的要求下,能够有效地降低信道负载,避免信道拥塞,保证了各节点的消息生成和传输的公平性.

基于尺度比及坐标偏移约束的图像特征点匹配方法

针对特征向量最近邻次近邻距离比值的特征点匹配算法中存在匹配点对少、误匹配的问题,本文从改善特征点匹配策略方面对其进行改进。首先运用Gabor核函数对图像进行滤波处理,并在滤波图像上提取SIFT特征点,得到参考图像与待匹配图像的初步转换关系及特征点的尺度比均值;然后对参考图像与待匹配图像进行SIFT特征匹配,将尺度比作为相似性测度,并结合坐标偏移阈值约束获取同名点对。相较于传统SIFT算法,实验表明该方法在获取更多的同名点对同时,能够有效减少误匹配,匹配精度也有显著提升。

基于模糊判决改进的Otsu图像分割算法

在图像分割中,阈值的选取是十分重要的.提出了一种基于模糊判决的Otsu图像分割算法,通过对Otsu算法中阈值的模糊判决处理,采用重心法来求取阈值,使所求阈值更加接近实际最佳阈值,从而能更好地分割图像.实验结果表明,与当前的一维Otsu算法和二维Otsu算法相比,改进算法有着更好的图像分割效果.

噪声所致听力损失现象的物种差异及可能生理机制研究进展

噪声广泛存在于人和动物的生活环境中,从无脊椎动物到哺乳动物乃至人类,都会受到噪声的负面影响.强烈的噪声会损伤听觉系统的结构和功能,引起噪声性听力损失(noise-induced hearing loss,NIHL).本文对噪声性听力损失的类型、影响因素、噪声所致不同程度听力损失形成的可能机制进行了总结,发现NIHL主要与突触结构肿胀、谷氨酸引起的可逆兴奋性中毒以及活性氧引起的氧化应激、细胞凋亡、带状体损伤、α激动型鸟嘌呤核苷酸结合蛋白(guanine nucleotide binding protein alpha stimulating,GNAS)基因的mRNA及其上游lncRNA Sept7的表达量上调等因素有关.比较噪声暴露后不同物种听力损失情况的差异,发现鱼类和鸟类由于具有毛细胞再生能力而能够较快从听力损伤中恢复,啮齿类较容易受到噪声影响,而回声定位鲸类噪声暴露后的暂时性听觉阈移较小,非常有趣的是回声定位蝙蝠在噪声高强度暴露后未表现出暂时性听觉阈移的现象.上述结论提示,对不同物种的比较生理研究可深入揭示NIHL机制,并为听力保护以及噪声所致的听力损伤后修复等提供理论参考.

一种改进的SOI Flash存储器

提出了一种缩短SOI Flash存储器浮栅长度的改进结构。对采用改进结构的器件进行仿真,结果表明,改进型结构与传统型结构相比,其存储窗口由3.7V提升到4.9V,提升了32%;在相同的阈值电压改变量(编程和擦除过程中阈值电压偏移量分别为3.5V/-3.5V)的情况下,所需的编程时间缩短了73%,擦除时间缩短了64%,表明改进型结构的性能得到了显著提高。

基于表面势的碳化硅基VDMOS器件模型

为了满足功率电路及系统设计对碳化硅基垂直双注入金属氧化物半导体晶体管(VDM OS)模型的需求,建立了一套基于表面势计算方法的可描述碳化硅基VDM OS器件电学特性的模型.模型包括静态部分与动态部分.静态部分不仅分别针对沟道区、积累区、寄生结型场效应晶体管(JFET)区及N-外延层建立电流模型,还考虑了界面态对于阈值电压偏移与沟道迁移率的影响.动态部分中引入了界面陷阱对于电容的影响,完善了基于端电荷划分理论的动态模型.结果表明,所提器件模型的输出特性和转移特性的仿真结果与实测结果之间的均方根误差均小于5%,开关特性的仿真结果与实测结果之间的均方根误差小于10%.